存储器设备以及操作存储器设备的方法与流程

本公开的各个实施例总体上涉及一种存储器设备以及操作存储器设备的方法，并且更具体地，涉及一种被配置为执行编程操作的存储器设备以及操作存储器设备的方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括：存储器单元阵列，在其中存储数据；外围电路，执行编程操作、读取操作或擦除操作；以及控制电路，该控制电路控制外围电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，存储器块中的每一个可以包括多个存储器单元。具有三维(3d)结构的存储器设备可以包括堆叠在衬底上的存储器单元。例如，在具有3d结构的存储器设备中，存储器块中的每一个可以包括从衬底沿垂直方向延伸的多个串，并且多个串中的每一个可以包括多个存储器单元。

3、在对选自多个存储器块之中的存储器块进行编程操作期间，被包括在页中的被选择的存储器单元可以被编程，该页选自被包括在被选择的存储器块中的多个页之中。耦合到被选择的页中的存储器单元的字线可以是被选择的字线，并且耦合到未被选择的页中的存储器单元的字线可以是未被选择的字线。

4、当对被选择的存储器单元执行编程操作时，耦合到未被选择的字线的存储器单元的阈值电压可以被维持而不改变。然而，未被选择的存储器单元的阈值电压可能由于被施加到被选择的字线和未被选择的字线的电压的影响而被改变。在这种情况下，存储器设备的编程操作的可靠性可能劣化。

技术实现思路

1、本公开的各个实施例涉及一种能够提高编程操作的可靠性的存储器设备以及操作存储器设备的方法。

2、本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备。存储器设备可以包括：存储器块，第一字线组和第二字线组被耦合到存储器块，并且被安置在第一字线组和第二字线组之间的第一虚设线组被耦合到存储器块。存储器设备还可以包括外围电路，该外围电路被配置为对被耦合到第一字线组或第二字线组的被选择的字线的存储器单元进行编程。该外围电路被配置为当被选择的字线被包括在第二字线组中、当编程电压被施加到被选择的字线时，将第一通过电压施加到被包括在第一字线组和第二字线组中的未被选择的字线并且施加到被包括在第一虚设线组中的虚设线。该外围电路被配置为当被选择的字线被包括在第一字线组中、当编程电压被施加到被选择的字线时，允许被安置在被选择的字线和第一虚设线组之间的第一未被选择的字线浮置，将第一通过电压施加到在被包括在第一字线组中的字线之中除被选择的字线和第一未被选择的字线之外的第二未被选择的字线，并且将高于第一通过电压的第二通过电压施加到被包括在第一虚设线组中的虚设线。

3、本公开的一个实施例可以提供一种操作存储器设备的方法。该方法可以包括：当第一字线组和第二字线组位于源极线与位线之间，其中第一字线组与源极线相邻，并且第二字线组与位线相邻，并且被选择的字线被包括在第一字线组中时，将编程电压施加到被选择的字线；当编程电压被施加到被选择的字线时，将高于第一通过电压的第二通过电压施加到第一字线组和第二字线组之间的第一虚设线组；当编程电压被施加到被选择的字线时，允许在被选择的字线和第一虚设线组之间的未被选择的字线浮置。

4、本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备。存储器设备可以包括：存储器块，第一字线组和第二字线组被耦合到存储器块，并且被安置在第一字线组和第二字线组之间的第一虚设线组被耦合到存储器块。存储器设备还可以包括外围电路，该外围电路被配置为对被耦合到第一字线组或第二字线组的被选择的字线的存储器单元进行编程。外围电路被配置为：当被选择的字线被包括在第二字线组中、当编程电压被施加到被选择的字线时，将第一通过电压施加到被包括在第一字线组和第二字线组中的未被选择的字线并且施加到被包括在第一虚设线组中的虚设线。该外围电路被配置为：当被选择的字线被包括在第一字线组中、当编程电压被施加到被选择的字线时，将高于第一通过电压的补偿电压施加到被安置在被选择的字线和第一虚设线组之间的第一未被选择的字线，将第一通过电压施加到在被包括在第一字线组中的字线之中除被选择的字线和第一未被选择的字线之外的第二未被选择的字线，并且将高于第一通过电压的第二通过电压施加到被包括在第一虚设线组中的虚设线。

5、本公开的一个实施例可以提供一种操作存储器设备的方法。该方法可以包括：当第一字线组和第二字线组位于源极线与位线之间，其中第一字线组与源极线相邻，并且第二字线组与位线相邻，并且被选择的字线被包括在第一字线组中时，将编程电压施加到被选择的字线；当编程电压被施加到被选择的字线时，将第一通过电压施加到第二字线组，当编程电压被施加到被选择的字线时，将高于第一通过电压的第二通过电压施加到第一字线组和第二字线组之间的第一虚设线组；当编程电压被施加到被选择的字线时，将高于第一通过电压的补偿电压施加到被选择的字线和第一虚设线组之间的未被选择的字线。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

3.根据权利要求2所述的存储器设备，还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：当所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线时，将低于所述第一通过电压的第三通过电压施加到所述第二虚设线组和所述第三虚设线组。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：在所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线之前，将所述第三通过电压施加到所述第二虚设线组和所述第三虚设线组。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：在所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线之前，将所述第一通过电压施加到被包括在所述第一字线组和所述第二字线组中的未被选择的字线并且施加到所述被选择的字线。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：在所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线期间，降低在被包括在所述第二字线组中的字线之中与所述第一虚设线组相邻的未被选择的字线的电压。

8.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：

12.一种存储器设备，包括：

13.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：根据所述被选择的字线与所述第一未被选择的字线之间的距离来控制所述补偿电压的电平。

14.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：随着所述被选择的字线与所述第一未被选择的字线之间的距离变短，将所述补偿电压设置为更高电压。

15.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为将所述补偿电压的电平设置为比所述编程电压的电平更低的电平。

16.根据权利要求12所述的存储器设备，还包括：

17.根据权利要求16所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：当所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线时，将低于所述第一通过电压的第三通过电压施加到所述第二虚设线组和所述第三虚设线组。

18.根据权利要求17所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：在所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线之前，将所述第三通过电压施加到所述第二虚设线组和所述第三虚设线组。

19.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：在所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线之前，将所述第一通过电压施加到被包括在所述第一字线组和所述第二字线组中的未被选择的字线并且施加到所述被选择的字线。

20.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：当所述编程电压被施加到被包括在所述第一字线组中的所述被选择的字线时，降低在被包括在所述第二字线组中的字线之中与所述第一虚设线组相邻的未被选择的字线的电压。

21.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

22.根据权利要求21所述的方法，还包括：

23.根据权利要求21所述的方法，还包括：

24.根据权利要求21所述的方法，还包括：

技术总结本公开的实施例涉及存储器设备以及操作存储器设备的方法。一种存储器设备以及操作存储器设备的方法，包括：存储器块，第一字线组和第二字线组被耦合到该存储器块，并且被安置在第一字线组和第二字线组之间的第一虚设线组被耦合到该存储器块。该存储器设备还包括外围电路，该外围电路被配置为对被耦合到第一字线组或第二字线组的被选择的字线的存储器单元进行编程。该外围电路被配置为当被选择的字线被包括在第二字线组中、当编程电压被施加到被选择的字线时，将第一通过电压施加到被包括在第一字线组和第二字线组中的未被选择的字线并且施加到被包括在第一虚设线组中的虚设线。技术研发人员：朴正浩受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/9