存储器装置的动态编程时间的制作方法

本公开大体上涉及存储器装置、存储器装置操作，且例如，涉及存储器装置的动态编程时间。

背景技术：

1、即使在未供应电源时，例如nand存储器装置的非易失性存储器装置也可使用电路系统来实现数据的电编程、擦除和存储。非易失性存储器装置可用于各种类型的电子装置中，例如计算机、移动电话或汽车计算系统，以及其它实例。

2、非易失性存储器装置可包含存储器单元阵列、页缓冲器和列解码器。另外，非易失性存储器装置可包含控制逻辑单元(例如，控制器)、行解码器或地址缓冲器，以及其它实例。存储器单元阵列可包含在列方向上延伸的连接到位线的存储器单元串。

3、可称为非易失性存储器装置的“单元”或“数据单元”的存储器单元可包含形成在半导体衬底上的源极与漏极之间的电流路径。存储器单元可进一步包含形成在半导体衬底上的绝缘层之间的浮动栅极和控制栅极。存储器单元的编程操作(有时称为写入操作)一般通过以下方式实现：将存储器单元的源极和漏极区域以及体区的半导体衬底接地；和将可称为“编程电压”、“编程电源电压”或“vpp”的高正电压施加到控制栅极，以在浮动栅极与半导体衬底之间产生佛勒-诺特海姆隧穿(称为“f-n隧穿”)。当发生f-n隧穿时，体区的电子通过施加到控制栅极的vpp的电场累积在浮动栅极上，以增加存储器单元的阈值电压。

4、通过将可称为“擦除电压”或“vera”的高负电压施加到控制栅极且将所配置电压施加到体区以产生f-n隧穿，同时在共享体区的区段的单元(称为“块”)中执行存储器单元的擦除操作。在此情况下，将累积在浮动栅极上的电子放电到源极区域中，使得存储器单元具有擦除阈值电压分布。

5、每一存储器单元串可具有彼此串联连接的多个浮动栅极类型存储器单元。存取线(有时称为“字线”)在行方向上延伸，且每一存储器单元的控制栅极连接到对应存取线。非易失性存储器装置可包含连接在位线与列解码器之间的多个页缓冲器。列解码器连接在页缓冲器与数据线之间。

技术实现思路

1、本公开的一方面针对一种存储器装置，其包括：一或多个组件，其配置成：使用第一编程时间执行第一一或多个写入操作，其中第一编程时间与第一时间量相关联；检测到与改变由存储器装置使用的编程时间相关联的触发事件；基于检测到触发事件，将编程时间从所述第一编程时间切换到第二编程时间，其中第二编程时间与第二时间量相关联；及使用第二编程时间执行第二一或多个写入操作。

2、本公开的另一方面针对一种方法，其包括：由存储器装置接收指示待进行编程的数据的写入命令；由存储器装置从第一编程时间和第二编程时间确定待用于对数据进行编程的编程时间，其中编程时间指示待与对数据进行编程相关联的时间量，且其中第一编程时间与第一时间量相关联，且第二编程时间与第二时间量相关联；及由存储器装置使用编程时间将数据编程到存储器装置的存储器。

3、本公开的又另一方面针对一种设备，其包括：用于使用编程时间的第一时间量执行第一一或多个写入操作的构件，其中编程时间指示与执行来自第一一或多个写入操作的写入操作相关联的时间量；用于检测到与改变与编程时间相关联的时间量相关联的触发事件的构件；及用于基于检测到触发事件而使用编程时间的第二时间量执行第二一或多个写入操作的构件。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中由所述存储器装置使用的所述编程时间指示与所述存储器装置执行写入操作相关联的时间量。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一一或多个写入操作与所述存储器装置的第一操作阶段相关联，且所述第二一或多个写入操作与所述存储器装置的第二操作阶段相关联。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一一或多个写入操作与写入原始装备制造商数据或原始设计制造商数据相关联，且

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述第一时间量大于所述第二时间量。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中为了检测到所述触发事件，所述一或多个组件配置成：

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述命令为供应商特定命令。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中为了检测到所述触发事件，所述一或多个组件配置成：

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述阈值的值是基于与所述第一一或多个写入操作相关联的数据的数据写入大小。

10.一种方法，其包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中确定所述编程时间是基于与所述数据相关联的数据类型，

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一编程时间为默认编程时间，且所述方法进一步包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中确定所述编程时间包括：

14.根据权利要求10所述的方法，其中确定所述编程时间包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中确定所述编程时间包括：

16.根据权利要求10所述的方法，其中确定所述编程时间包括：

17.一种设备，其包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一一或多个写入操作与初始化数据相关联，

19.根据权利要求17所述的设备，其中所述用于检测到所述触发事件的构件包括：

20.根据权利要求17所述的设备，其中所述用于检测到所述触发事件的构件包括：

技术总结本公开涉及存储器装置的动态编程时间。在一些实施方案中，存储器装置可接收指示待编程的数据的写入命令。所述存储器装置可从第一编程时间和第二编程时间确定待用于对所述数据进行编程的编程时间，其中所述编程时间指示待与对所述数据进行编程相关联的时间量，且其中所述第一编程时间与第一时间量相关联，且所述第二编程时间与第二时间量相关联。所述存储器装置可使用所述编程时间将所述数据编程到所述存储器装置的存储器。技术研发人员：王越,袁竟成受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/4