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动态随机存取存储器及设计方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 20:09:15

本发明涉及半导体,具体涉及一种动态随机存取存储器及设计方法。

背景技术:

1、动态随机存取存储器(dram,dynamic random access memory)具有容量大、速度快、单元成本低等特点,因此用途极为广泛。经过长期的发展,目前dram已经发展出多种多代产品,比如:在高性能领域已经从第一代ddr进化到第五代的ddr5,在低功耗的应用场合已经从lpddr进化到lpddr2。

2、目前的dram芯片,每一个芯片单元都有独立的测试电路来对dram 进行测试和修复。这些测试电路包含测试模块及测试pad。这些pad 在完成测试后,就不再需要了,也不用封装出去。导致测试电路占据了相当一部分芯片面积。在进行读写测试和老化测试和修补时,每颗dram芯片都通过独立的测试电路来进行操作,而测试机台的效率通常受限于测试pad的数目,这样每次能够同时测试的dram芯片就受到限制,导致测试的时间较长,测试成本较高。

技术实现思路

1、基于以上考虑,本发明提供一种动态随机存取存储器的设计方法,其特征在于,包括:于切割道设置相连至少一个所述动态随机存取存储器的测试电路。

2、优选的, m个所述动态随机存取存储器共用同一所述测试电路,m≥2。

3、优选的,相邻的所述动态随机存取存储器的设置方向相差180°或相镜像或相同。

4、优选的,所述测试电路包括选通模块以单次测试n个所述动态随机存取存储器,m≥n≥1。

5、优选的,所述测试电路还包括设有若干测试结构的测试模块以对所述动态随机存取存储器进行cp测试。

6、优选的,所述测试电路还包括映射模块,设于所述测试模块及所述选通模块之间和/或所述测试模块及所述动态随机存取存储器之间。

7、优选的,所述测试电路还包括相连所述选通模块的若干测试焊盘,所述测试焊盘设有至少一个间隙以切割分离相邻的所述动态随机存取存储器。

8、优选的,沿切割方向,所述间隙至少部分贯穿所述测试焊盘。

9、优选的,沿所述切割方向,多个所述间隙并排设置。

10、优选的,通过激光隐切方式沿所述间隙切割以分离相邻的所述动态随机存取存储器。

11、优选的,刻蚀形成所述测试焊盘的同时形成所述间隙。

12、优选的,所述测试焊盘包括设有所述间隙的至少一金属层。

13、优选的,所述间隙的宽度小于测试探针的直径。

14、本发明还提供一种动态随机存取存储器,采用上述设计方法而设计。

15、通过将测试电路设置于相邻动态随机存取存储器之间的切割道上,并于cp测试后沿切割道切除进行芯片级封装,采用该设计方式及测试方法能增加了动态随机存取存储器有效的版图面积,提高了动态随机存取存储器的测试效率,节省了测试时间。

技术特征:

1.一种动态随机存取存储器的设计方法,其特征在于,包括:于切割道设置相连至少一个所述动态随机存取存储器的测试电路。

2.如权利要求1所述的设计方法,其特征在于, m个所述动态随机存取存储器共用同一所述测试电路,m≥2。

3.如权利要求2所述的设计方法,其特征在于,相邻的所述动态随机存取存储器的设置方向相差180°或相镜像或相同。

4.如权利要求2所述的设计方法,其特征在于,所述测试电路包括选通模块以单次测试n个所述动态随机存取存储器,m≥n≥1。

5.如权利要求4所述的设计方法,其特征在于,所述测试电路还包括设有若干测试结构的测试模块以对所述动态随机存取存储器进行cp测试。

6.如权利要求5所述的设计方法,其特征在于,所述测试电路还包括映射模块,设于所述测试模块及所述选通模块之间和/或所述测试模块及所述动态随机存取存储器之间。

7.如权利要求4所述的设计方法,其特征在于,所述测试电路还包括相连所述选通模块的若干测试焊盘,所述测试焊盘设有至少一个间隙以切割分离相邻的所述动态随机存取存储器。

8.如权利要求7所述的设计方法,其特征在于,沿切割方向,所述间隙至少部分贯穿所述测试焊盘。

9.如权利要求8所述的设计方法,其特征在于,沿所述切割方向,多个所述间隙并排设置。

10.如权利要求7所述的设计方法,其特征在于,通过激光隐切方式沿所述间隙切割以分离相邻的所述动态随机存取存储器。

11.如权利要求7所述的设计方法,其特征在于,刻蚀形成所述测试焊盘的同时形成所述间隙。

12.如权利要求7所述的设计方法,其特征在于,所述测试焊盘包括设有所述间隙的至少一金属层。

13.如权利要求7所述的设计方法,其特征在于,所述间隙的宽度小于测试探针的直径。

14.一种动态随机存取存储器,其特征在于,采用如权利要求1至13任一项的设计方法而设计。

技术总结本发明提供一种动态随机存取存储器及设计方法,通过将测试电路设置于相邻动态随机存取存储器之间的切割道上,并于CP测试后沿切割道切除进行芯片级封装,通过M个所述动态随机存取存储器共用同一测试电路,M≥2,以提高存储器晶圆的版图利用面积。可以单次同时测试M个所述动态随机存取存储器,也可以分次对M个所述动态随机存取存储器的每一个或几个进行单独测试,节省测试时间,并降低测试成本。技术研发人员:赵立新,苏海磊,黄泽受保护的技术使用者:格科微电子(上海)有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/4

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