用于模块半导体装置的回流保护的制作方法

本公开大体上涉及存储器装置、存储器装置操作，及例如涉及用于模块半导体装置的回流保护。

背景技术：

1、存储器装置广泛地用于在各种电子装置中存储信息。存储器装置包含存储器单元。存储器单元是能够被编程为两个或更多个数据状态中的数据状态的电子电路。举例来说，存储器单元可被编程为表示单个二进制值的数据状态，通常由二进制“1”或二进制“0”表示。作为另一实例，存储器单元可被编程为表示分数值(例如，0.5、1.5等)的数据状态。为了存储信息，电子装置可写入或编程存储器单元集合。为了存取所存储信息，电子装置可从存储器单元集合读取或感测所存储状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、静态ram(sram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、全息ram(hram)、快闪存储器(例如，nand存储器及nor存储器)等。存储器装置可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器(例如，快闪存储器)即使在不存在外部电源的情况下仍可将数据存储很长一段时间。除非通过电源刷新易失性存储器，否则易失性存储器(例如，dram)可能随时间推移而失去所存储数据。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括一或多个组件。所述一或多个组件经配置以：在非易失性存储器中配置回流关键数据区，所述回流关键数据区与用于存储在所述回流关键数据区中的数据的至少一个回流保护措施相关联；将数据集写入到所述回流关键数据区；确定已经完成与所述存储器装置相关联的回流工艺；及基于确定已经完成所述回流工艺而重新配置所述回流关键数据区以去除所述至少一个回流保护措施。

2、根据本公开的另一实施例，提供一种模块半导体装置。所述模块半导体装置包括：模块板；片上系统(soc)组件，其耦合到所述模块板；及一或多个存储器组件，其耦合到所述模块板且通信地连接到所述soc组件。所述soc组件或所述一或多个存储器组件中的至少一个经配置以：在与所述一或多个存储器组件相关联的非易失性存储器中配置回流关键数据区，所述回流关键数据区与用于存储在所述回流关键数据区中的数据的至少一个回流保护措施相关联；将数据集写入到所述回流关键数据区；确定已经完成与将所述模块板安装到载板相关联的回流工艺；及基于确定已经完成所述回流工艺而重新配置所述回流关键数据区以去除所述至少一个回流保护措施。

3、根据本公开的又另一实施例，提供一种方法。所述方法包括：由与模块半导体装置相关联的一或多个存储器组件在非易失性存储器中配置回流关键数据区，所述回流关键数据区与用于存储在所述回流关键数据区中的数据的至少一个回流保护措施相关联；由所述一或多个存储器组件将数据集写入到所述回流关键数据区；由所述一或多个存储器组件确定已经完成与将所述模块半导体装置安装到载板相关联的回流工艺；及由所述一或多个存储器组件基于确定已经完成所述回流工艺而重新配置所述回流关键数据区以去除所述至少一个回流保护措施。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述非易失性存储器与多个块组相关联，其中所述多个块组中的第一块组与所述回流关键数据区相关联，并且其中所述多个块组中的第二块组与非回流关键数据区相关联。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以将另一数据集写入到所述非回流关键数据区。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个回流保护措施包含在完成与所述存储器装置相关联的所述回流工艺之前使用单层级单元模式存储所述数据集。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中去除所述至少一个回流保护措施包含使用三层级单元模式存储所述数据集。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个回流保护措施包含在完成与所述存储器装置相关联的所述回流工艺之前，使用改变的阈值电压存储所述数据集。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以向所述非易失性存储器传输清除回流标志命令，并且其中去除所述至少一个回流保护措施进一步基于所述非易失性存储器接收到所述清除回流标志命令。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以基于包含在系统引导映像中的清除回流标志命令而确定已经完成与所述存储器装置相关联的所述回流工艺，在已经完成所述回流工艺之后将所述系统引导映像写入到所述非易失性存储器。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以在所述回流工艺之前将另一系统引导映像写入到所述非易失性存储器，并且其中所述另一系统引导映像不包含所述清除回流标志命令。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以基于与所述存储器装置的通用输入/输出相关联的电压电平而确定已经完成与所述存储器装置相关联的所述回流工艺。

11.一种模块半导体装置，其包括：

12.根据权利要求11所述的模块半导体装置，其中所述至少一个回流保护措施包含以下项中的至少一个：

13.根据权利要求11所述的模块半导体装置，其中去除所述至少一个回流保护措施进一步基于所述一或多个存储器组件接收到清除回流标志命令。

14.根据权利要求11所述的模块半导体装置，其中所述soc组件或所述一或多个存储器组件中的所述至少一个进一步经配置以基于从与所述载板相关联的电压源接收的信号而确定已经完成所述回流工艺。

15.一种方法，其包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括由所述一或多个存储器组件将另一数据集写入到非回流关键数据区。

17.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

18.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在完成所述回流工艺之前使用改变的阈值电压存储所述数据集。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括由所述一或多个存储器组件接收清除回流标志命令，其中去除所述至少一个回流保护措施进一步基于所述一或多个存储器组件接收到所述清除回流标志命令。

20.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括基于与关联于所述模块半导体装置的通用输入/输出相关联的电压电平而确定已经完成所述回流工艺。

技术总结本公开涉及用于模块半导体装置的回流保护。在一些实施方案中，存储器装置可在非易失性存储器中配置回流关键数据区，所述回流关键数据区与用于存储在所述回流关键数据区中的数据的至少一个回流保护措施相关联。所述存储器装置可将数据集写入到所述回流关键数据区。所述存储器装置可确定已经完成与所述存储器装置相关联的回流工艺。所述存储器装置可基于确定已经完成所述回流工艺而重新配置所述回流关键数据区以去除所述至少一个回流保护措施。技术研发人员：吴敏健受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/4