陶瓷生片制造用脱模薄膜的制作方法

本发明涉及具有聚酯薄膜和脱模层的陶瓷生片制造用脱模薄膜，可以合适地用于超薄层的陶瓷生片等的制造。

背景技术：

1、以往，将聚酯薄膜设为基材、在其上层叠脱模层而成的脱模薄膜被用作各种工序薄膜。其中，陶瓷生片制造用脱模薄膜也被用作层叠陶瓷电容器、陶瓷基板等要求高的平滑性的陶瓷生片制造用的工序薄膜。

2、近年，随着层叠陶瓷电容器的小型化/大容量化，存在陶瓷生片的厚度也薄膜化的倾向。陶瓷生片通过将含有钛酸钡等陶瓷成分和粘结剂树脂的浆料涂布于脱模薄膜上、并进行干燥来成型。对通过在所成型的陶瓷生片印刷电极、从脱模薄膜剥离而得到的陶瓷生片，进行层叠、压制、焙烧、外部电极涂布，由此制造层叠陶瓷电容器。

3、近年陶瓷生片的薄膜化进展，从脱模薄膜将陶瓷生片剥离时的剥离性变得更重要。若剥离力大、不均匀，则在剥离工序中，对陶瓷生片附加损伤，产生片缺陷、厚度不均等，存在产生针孔、片裂纹等不良情况的问题。因此要求以更低、均匀的力将陶瓷生片剥离。

4、作为将脱模层轻剥离化的对策，如专利文献1等那样提出了，使用具有烯基的聚二甲基硅氧烷、具有氢化甲硅烷基的聚二甲基硅氧烷和铂催化剂，通过利用热等的加成反应形成的有机硅覆膜作为脱模层的脱模薄膜。

5、另外，作为提高脱模层的固化性的对策，专利文献2中提出了具有脱模层的脱模薄膜，所述脱模层为使包含具有丙烯酰基等反应性官能团的聚有机硅氧烷和多官能的(甲基)丙烯酸酯的自由基固化型的组合物固化而成的。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本专利第6619200号公报

9、专利文献2：日本专利第5492352号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、但是，利用专利文献1的发明时，存在难以兼顾脱模层对于基材薄膜的密合性和表面的脱模性的倾向，在制造陶瓷生片的工序中，有可能有机硅覆膜从脱模层脱落、污染工序。

3、另外，利用专利文献2的发明时，若将固化性提高到可以防止脱模层的转印等的程度，则存在在将陶瓷剥离时得不到充分的脱模性这种问题。

4、因此，本发明的目的在于，提供脱模性优异、并且不易产生脱模层的转印/脱落、密合性不良的陶瓷生片制造用脱模薄膜。另外，本发明的目的在于，提供使用了该脱模薄膜的陶瓷生片的制造方法。

5、用于解决问题的方案

6、本发明人等为了解决上述问题而深入研究，结果发现，对于还添加密合性赋予剂并固化而成的脱模层，特别是将表面自由能γs中的氢键成分γsvh的比率控制于规定范围内，由此可以解决上述问题，从而完成了本发明。

7、即，本发明中包含以下的内容。

8、[1]一种陶瓷生片制造用脱模薄膜，其特征在于，其具有聚酯薄膜和脱模层，

9、前述脱模层为固化性组合物固化而成的层，所述固化性组合物含有：分子中具有2个以上烯基的聚硅氧烷a、分子中具有2个以上氢化甲硅烷基的聚硅氧烷b、和密合性赋予剂c，

10、前述脱模层的表面的表面自由能γs(mj/m2)和γs的氢键成分γsvh(mj/m2)满足以下的式(a)和式(b)。

11、1.0≤γsvh/γs*100≤6.5  (a)

12、γs≤30 (b)

13、[2]根据[1]所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，密合性赋予剂c为具有选自由乙烯基、环氧基、丙烯酰基和甲基丙烯酰基组成的组中的1种以上的官能团的硅烷偶联剂。

14、[3]根据[1]或[2]所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，前述聚硅氧烷a的重均分子量为300000以上且600000以下。

15、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，前述固化性组合物中的前述聚硅氧烷b所具有的氢化甲硅烷基量和前述聚硅氧烷a所具有的烯基量的摩尔比满足以下的式(c)。

16、1.0≤si-h/si-a≤3.8 (c)

17、式中，si-h表示氢化甲硅烷基的摩尔量，si-a表示烯基的摩尔量。

18、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，在前述固化性组合物中，相对于前述聚硅氧烷a和前述聚硅氧烷b的总量，含有1质量％以上且10质量％以下的前述密合性赋予剂c。

19、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，前述聚酯薄膜具有实质上不含有无机颗粒的表面层a，

20、前述脱模层以0.005μm以上且0.1μm以下的厚度层叠于该表面层a，

21、前述脱模层的表面的最大突起高度(sp)为100nm以下。

22、[7]一种陶瓷生片的制造方法，其使用[1]～[6]中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜将陶瓷生片成型，其中，所成型的陶瓷生片具有0.2μm～1.0μm的厚度。

23、发明的效果

24、根据本发明，可以提供脱模性优异、并且不易产生脱模层的转印/脱落、密合性不良的陶瓷生片制造用脱模薄膜。

技术特征：

1.一种陶瓷生片制造用脱模薄膜，其特征在于，其具有聚酯薄膜和脱模层，

2.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，密合性赋予剂c为具有选自由乙烯基、环氧基、丙烯酰基和甲基丙烯酰基组成的组中的1种以上的官能团的硅烷偶联剂。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，所述聚硅氧烷a的重均分子量为300000以上且600000以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，所述固化性组合物中的所述聚硅氧烷b所具有的氢化甲硅烷基量和所述聚硅氧烷a所具有的烯基量的摩尔比满足以下的式(c)，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，在所述固化性组合物中，相对于所述聚硅氧烷a和所述聚硅氧烷b的总量，含有1质量％以上且10质量％以下的所述密合性赋予剂c。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜，其中，所述聚酯薄膜具有实质上不含有无机颗粒的表面层a，

7.一种陶瓷生片的制造方法，其使用权利要求1～6中任一项所述的陶瓷生片制造用脱模薄膜将陶瓷生片成型，其中，所成型的陶瓷生片具有0.2μm～1.0μm的厚度。

技术总结提供脱模性优异、并且不易产生脱模层的转印/脱落、密合性不良的陶瓷生片制造用脱模薄膜。本发明涉及具有聚酯薄膜和脱模层的陶瓷生片制造用脱模薄膜。特征在于，前述脱模层为固化性组合物固化而成的层，所述固化性组合物含有：分子中具有2个以上烯基的聚硅氧烷A、分子中具有2个以上氢化甲硅烷基的聚硅氧烷B、和密合性赋予剂C，前述脱模层的表面的表面自由能γS(mJ/m2)和γS的氢键成分γSVh(mJ/m2)满足以下的式(a)和式(b)。1.0≤γSVh/γS*100≤6.5(a)γS≤30(b)。技术研发人员：山本雄一郎,柴田悠介受保护的技术使用者：东洋纺株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/20