纳米晶态的铂合金层及相关制品的制作方法

一般地描述了纳米结构的含铂合金。

背景技术：

1、铑可以用于涂覆连接器上的电接触部，并且随着对消费电子器件和工业电子器件的需求持续上升，预期对这样的接触部的需求会上升。先前已经描述了含铑的镀覆堆叠体，例如将铑与其他金属层结合使用作为连接器界面材料。铑还可以在耐动力浸没腐蚀性方面特别有效，因为所述材料在电解水方面有效。然而，虽然铑坚硬且耐久，但其相对稀缺，并因此这种金属的成本可能过高并且不稳定。因此，存在确定可以允许在电子应用中减少或消除铑的使用的替代材料的需求。

技术实现思路

1、本文中描述了纳米晶态的铂合金。在一些情况下，本公开内容的主题涉及相关产品、特定问题的替代解决方案和/或一个或更多个体系和/或制品的复数种不同用途。

2、在一个方面中，描述了包括包含合金的第一层的制品，所述合金包含铂(pt)以及包括或选自mo、w、pd、au、ag、sb和bi中的一者的第二元素，其中合金的平均晶粒尺寸小于或等于1000nm。

3、在另一个方面中，描述了方法，所述方法包括在基底上形成第一层，所述第一层包含合金，所述合金包含铂(pt)以及包括或选自mo、w、pd、au、ag、sb和bi中的一者的第二元素，其中合金的平均晶粒尺寸小于或等于1000nm。

4、当结合附图考虑时，本公开内容的其他优点和新特征将根据以下对本发明的各种非限制性实施方案的详细描述而变得明显。在本说明书和通过引用并入的文件包括冲突和/或不一致的公开内容的情况下，应以本说明书为准。

1.一种制品，包括：

2.一种方法，包括：

3.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，还包括与所述第一层相邻的包含镍(ni)合金的第二层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，还包括与所述第二层相邻的包含银(ag)合金的第三层。

5.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，还包括与所述第三层相邻的包含第二合金的第四层，所述第二合金包含铂(pt)以及包括或选自zr、ti、ta、mo、w、fe、co、ni、pd、au、ag、cu、mg、al、p、b、sn、pb、sb和bi中的一者的另外第二元素，

6.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，还包括在所述第一层、所述第二层、所述第三层和/或所述第四层中的任一者之间的金和/或钯的层。

7.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，还包含选自ni、pd、au、w、co、cu和mg的与所述第二元素不同的第三元素。

8.根据权利要求7所述的制品或方法，其中所述第三元素为au。

9.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，其中所述合金为纳米晶态的合金。

10.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，其中相对于所述第二元素和/或所述第三元素，pt以最大重量％存在于所述合金中。

11.根据前述权利要求中任一项所述的制品或方法，其中所述第二元素为w或pd。