磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置的制作方法

本技术涉及等离子体发生的，具体涉及一种磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置。

背景技术：

1、在等离子体发生技术中，沿面放电是一种常见的产生低温等离子体的方式。然而，传统的沿面放电等离子体发生装置通过电极放电的方式是设置高电极和地电极产生电场，通过产生的电场对流经的空气进行电场分离产生等离子体。这样的等离子体的发生方式依靠电场的分布，而电极的放电不稳定、不易控制等特点会导致电场分布具有不稳定性和不可空性，进而使得等离子体的密度不均匀，不易控制，这限制了等离子发生装置其在许多领域的应用。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置解决上述提到的技术问题，具体采用如下的技术方案：

2、一种磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，包括：用于产生电晕形成电场的放电电极组件和用于提高放电电极组件产生电晕的电场强度的磁场增强组件；磁场增强组件包括：硅胶板套和用于产生磁场的磁铁；放电电极组件安装于硅胶板套的内部；磁铁设置于硅胶板套的上方，且形成的磁场方向与放电电极组件产生的电场方向相互平行。

3、进一步地，硅胶板套的上方形成有用于限位安装磁铁的环形安装槽。

4、进一步地，磁铁由多个弧形磁铁围绕而成；环形安装槽内形成有多个分别用于限位安装单个弧形磁铁的限位安装格槽。

5、进一步地，硅胶板套的内部形成有用于限位安装放电电极组件的限位安装部。

6、进一步地，放电电极组件包括：作为第一电极的第一铜箔片、对第一铜箔片进行绝缘安装的第一pi膜片、作为第二电极的第二铜箔片、对第二铜箔片进行绝缘安装的第二pi膜片和用于进行导电的导电线；第一铜箔片叠放于第一pi膜片的上方；第二铜箔片叠放于第二pi膜片的上方；第一铜箔片和第二铜箔片之间形成有用于供空气流通以在电场作用下产生等离子体的流通空间；导电线的中的一根高压电线电性连接至第一铜箔片且另一根低压地线电性连接至第二铜箔片。

7、进一步地，第一铜箔片、第一pi膜片、第二铜箔片和第二pi膜片沿竖直方向自上而下叠放安装于一个支撑板的上方；支撑板限位固定于硅胶板套内。

8、进一步地，支撑板由能够贴合放置于被作用物体的表面的软板构成。

9、进一步地，硅胶板套的一端形成有用于连接导电线的连接部；连接部内设有用于限位插装导电线的软管。

10、进一步地，导电线的两个电线的端部通过热缩套管固定为一个插装整体；插装整体插入软管内。

11、进一步地，热缩套管和软管共同穿设有用于提高导电线的端部的连接稳定性的塑料卡扣。

12、本实用新型的有益之处在于所提供的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置采用磁场增强组件，提高发生等离子体的电场强度，改善放电的稳定性和可控性，从而提高了等离子体的密度和均匀性，使得产生的等离子体具有较高的密度和活性，从而可以提高等离子体的应用效果。这样的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置具有广泛的应用前景，通过其发生的等离子体的高密度和高活性的特点，可以应用于等离子体刻蚀、材料表面改性和空气净化等领域，可以显著提高生产效率，降低生产成本，具有较高的经济价值。

技术特征：

1.一种磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，包括：用于产生电晕形成电场的放电电极组件和用于提高所述放电电极组件产生电晕的电场强度的磁场增强组件；

2.根据权利要求1所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，其特征在于，

技术总结本技术公开了一种磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置，包括：用于产生电晕形成电场的放电电极组件和用于提高放电电极组件产生电晕的电场强度的磁场增强组件；磁场增强组件包括：硅胶板套和用于产生磁场的环形磁铁；放电电极组件安装于硅胶板套的内部；环形磁铁设置于硅胶板套的上方，且形成的磁场方向与放电电极组件产生的电场方向相互平行。通过磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置提高发生等离子体的电场强度，改善放电的稳定性和可控性，从而提高了等离子体的密度和均匀性，使得产生的等离子体具有较高的密度和活性。技术研发人员：茆春雷受保护的技术使用者：南京和光医疗科技有限公司技术研发日：20231212技术公布日：2024/7/15