用于高频应用的无ESLAC电阻器的制作方法

本公开整体涉及电阻器，并且更具体地但非排他地涉及被配置为当在高频条件下工作时减小或甚至消除等效串联电感(esl)的电阻器及其制造技术。

背景技术：

1、集成电路技术通过有源组件和无源组件的小型化，在提高计算能力方面取得了长足的进步。可以在许多电子设备中找到封装器件，包括处理器、服务器、射频(rf)集成电路等。

2、对于高频(例如，在多ghz中)应用，可以使用电阻器来隔离器件诸如功率组合器中的不同输入信号。遗憾的是，在这样的高频下，由于高频ac电流引起的磁通量，电阻器也可能表现得像电感器。因此，阻抗匹配和性能可能会降低。

3、相应地，存在对克服常规rf滤波器的缺陷的系统、装置和方法(包括本文所提供的方法、系统和装置)的需求。

技术实现思路

1、以下给出了与本文所公开的各装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此，以下概述既不应被视为与所有构想的方面和/或示例相关的详尽纵览，以下概述也不应被认为标识与所有构想的方面和/或示例相关的关键性或决定性要素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述的唯一目的是在以下给出的详细描述之前以简化形式呈现与关于本文所公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例相关的某些概念。

2、公开了一种示例性片状电阻器。片状电阻器可包括上部部分。该上部部分的第一端可连接到第一端口，并且该上部部分的第二端可连接到第二端口。片状电阻器还可包括下部部分。该下部部分的第一端可连接到第一端口，并且该下部部分的第二端可连接到第二端口。该上部部分和该下部部分可并联连接在第一端口与第二端口之间。该上部部分的第一端和第二端可分别连接到该下部部分的第一端和第二端，使得在该上部部分与该下部部分之间形成闭环空隙。

3、公开了一种示例性功率组合器。该功率组合器可包括一个或多个电阻器，该一个或多个电阻器包括片状电阻器。该功率组合器还可包括一个或多个电容器，该一个或多个电容器包括第一电容器、第二电容器和第三电容器。该功率组合器还可包括一个或多个电感器，该一个或多个电感器包括第一电感器和第二电感器。该片状电阻器可电连接在第一输入端口与第二输入端口之间。第一电容器可电连接在第一输入端口与地之间，第二电容器可电连接在第二输入端口与地之间，并且第三电容器可电连接在输出端口与地之间。第一电感器可电连接在第一输入端口与输出端口之间，并且第二电感器可电连接在第二输入端口与输出端口之间。片状电阻器可包括上部部分。该上部部分的第一端可连接到第一输入端口，并且上部部分的第二端可连接到第二输入端口。片状电阻器还可包括下部部分。该下部部分的第一端可连接到第一输入端口，该下部部分的第二端可连接到第二输入端口。该上部部分和该下部部分可并联连接在第一输入端口与第二输入端口之间。该上部部分的第一端和第二端可分别连接到该下部部分的第一端和第二端，使得在该上部部分与该下部部分之间形成闭环空隙。

4、公开了一种制造片状电阻器的方法。该方法可包括形成上部部分。该上部部分的第一端可连接到第一端口，并且该上部部分的第二端可连接到第二端口。该方法还可包括形成下部部分。该下部部分的第一端可连接到第一端口，并且该下部部分的第二端可连接到第二端口。该上部部分和该下部部分可并联连接在第一端口与第二端口之间。该上部部分的第一端和第二端可分别连接到该下部部分的第一端和第二端，使得在该上部部分与该下部部分之间形成闭环空隙。

5、基于附图和具体实施方式，与本文所公开的各装置和方法相关联的其他特征和优点对本领域技术人员而言将是明了的。

技术特征：

1.一种片状电阻器，包括：

2.根据权利要求1所述的片状电阻器，其中所述片状电阻器由氮化钛(tin)形成。

3.根据权利要求1所述的片状电阻器，其中所述片状电阻器形成为集成无源器件(ipd)的一部分。

4.根据权利要求3所述的片状电阻器，其中所述ipd还包括：

5.根据权利要求1所述的片状电阻器，其中所述上部部分包括：

6.根据权利要求5所述的片状电阻器，

7.根据权利要求6所述的片状电阻器，其中

8.根据权利要求7所述的片状电阻器，其中在所述闭环空隙内，所述第一上部水平部分与所述下部部分之间的竖直距离在所述阈值公差内等于所述第一上部水平部分的所述竖直宽度的两倍。

9.根据权利要求8所述的片状电阻器，其中在所述闭环空隙内，所述第二上部水平部分与所述下部部分之间的竖直距离大于所述第一上部水平部分与所述下部部分之间的所述竖直距离。

10.根据权利要求1所述的片状电阻器，其中所述下部部分包括：

11.根据权利要求10所述的片状电阻器，

12.根据权利要求1所述的片状电阻器，其中所述片状电阻器被结合到选自由以下各项组成的组的装置中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(iot)设备、膝上型计算机、服务器以及机动交通工具中的设备。

13.一种功率组合器，包括：

14.根据权利要求13所述的功率组合器，其中所述片状电阻器由氮化钛(tin)形成。

15.根据权利要求13所述的功率组合器，其中所述片状电阻器、至少一个电容器和至少一个电感器被形成为集成无源器件(ipd)的部分。

16.根据权利要求13所述的功率组合器，其中所述上部部分包括：

17.根据权利要求16所述的功率组合器，

18.根据权利要求17所述的功率组合器，其中

19.根据权利要求18所述的功率组合器，其中在所述闭环空隙内，所述第一上部水平部分与所述下部部分之间的竖直距离在所述阈值公差内等于所述第一上部水平部分的所述竖直宽度的两倍。

20.根据权利要求19所述的功率组合器，其中在所述闭环空隙内，所述第二上部水平部分与所述下部部分之间的竖直距离大于所述第一上部水平部分与所述下部部分之间的所述竖直距离。

21.根据权利要求13所述的功率组合器，其中所述下部部分包括：

22.根据权利要求21所述的功率组合器，

23.根据权利要求13所述的功率组合器，其中所述功率组合器被结合到选自由以下各项组成的组的装置中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(iot)设备、膝上型计算机、服务器以及机动交通工具中的设备。

24.一种制造片状电阻器的方法，所述方法包括：

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述片状电阻器由氮化钛(tin)形成。

26.根据权利要求24所述的方法，其中形成所述上部部分包括：

27.根据权利要求26所述的方法，其中

28.根据权利要求27所述的方法，其中在所述闭环空隙内，所述第一上部水平部分与所述下部部分之间的竖直距离在所述阈值公差内等于所述第一上部水平部分的所述竖直宽度的两倍。

29.根据权利要求28所述的方法，其中在所述闭环空隙内，所述第二上部水平部分与所述下部部分之间的竖直距离大于所述第一上部水平部分与所述下部部分之间的所述竖直距离。

30.根据权利要求24所述的方法，其中形成所述下部部分包括：

技术总结公开了一种设计用于在高频环境下工作的片状电阻器。与常规片状电阻器不同，当使用所设计的片状电阻器时，等效串联电感(ESL)被最小化或者甚至被完全消除。因此，能够实现更好的信号隔离。技术研发人员：金钟海,朴相俊,J-H·兰,R·达塔受保护的技术使用者：高通股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15