显示基板和显示装置的制作方法

本申请涉及显示设备，尤其涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术：

1、随着有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)显示技术的不断发展，行业内对oled显示设备的目的性需求也在逐步增加。oled显示器件包括阴极、阳极和置于两者之间的有机发光层，其中，空穴从阳极侧注入有机发光层，电子从阴极侧注入有机发光层，最终空穴和电子在有机发光层中复合产生激子，当产生的激子从激发态驰豫到基态时，oled发射光。由于光线从oled有机发光层发射出来后，将经过多层折射率存在差异的有机层和无机层，从而会造成各种模式的光损失。

2、因此，为了提升oled显示器件的出光效率，急需开发新的光学结构来实现显示面板正面光线的会聚，进而提升显示面板的正面出光效率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示基板和显示装置。

2、基于上述目的，本申请第一方面提供了一种显示基板，包括：

3、基底；

4、发光结构层，设置在所述基底上；

5、光调制层，包括设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的多个光调制结构、及覆盖在所述光调制结构远离所述基底一侧的光处理层，所述光调制结构的折射率与所述光处理层的折射率不同，所述光调制结构包括光调制面，所述光调制面能使从所述发光结构层中发出的光经过所述光调制面后向第一方向偏转，所述第一方向为垂直于所述基底的方向。

6、进一步地，所述发光结构层包括像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口；

7、所述多个光调制结构包括第一光调制结构和第二光调制结构，所述第一光调制结构在所述基底上的正投影与所述像素定义层在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二光调制结构在所述基底上的正投影与所述像素开口在所述基底上的正投影至少部分重叠。

8、进一步地，所述第一光调制结构在所述基底上的正投影位于所述像素定义层在所述基底上的正投影中，所述第二光调制结构在所述基底上的正投影覆盖对应的所述像素开口在所述基底上的正投影。

9、进一步地，所述第一光调制结构和所述第二光调制结构均包括靠近所述基底一侧的第一表面和远离所述基底一侧的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间的侧面为所述光调制面；

10、所述第一光调制结构和所述第二光调制结构的折射率均大于所述光处理层的折射率，所述第一光调制结构的第二表面在所述基底上的正投影位于所述第一光调制结构的第一表面在所述基底上的正投影之中，所述第二光调制结构的第二表面在所述基底上的正投影位于所述第二光调制结构的第一表面在所述基底上的正投影之中，从所述发光结构层中发出的光经过所述第一光调制结构和/或第二光调制结构的光调制面的折射后向所述第一方向偏转。

11、进一步地，所述第一光调制结构和所述第二光调制结构均包括靠近所述基底一侧的第一表面和远离所述基底一侧的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间的侧面为所述光调制面；

12、所述第一光调制结构和所述第二光调制结构的折射率均小于所述光处理层的折射率，所述第一光调制结构的第二表面在所述基底上的正投影位于所述第一光调制结构的第一表面在所述基底上的正投影之中，从所述发光结构层中发出的光经过所述第一光调制结构的光调制面的全反射后向所述第一方向偏转，所述第二光调制结构的第一表面在所述基底上的正投影位于所述第二光调制结构的第二表面在所述基底上的正投影之中，从所述发光结构层中发出的光经过所述第二光调制结构的光调制面的折射后向所述第一方向偏转。

13、进一步地，所述第一光调制结构的折射率、所述光处理层的折射率和所述第二光调制结构的折射率依次增大。

14、进一步地，所述第一光调制结构包括靠近所述基底一侧的第一表面和远离所述基底一侧的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间的侧面为所述光调制面；

15、所述第一光调制结构的第二表面在所述基底上的正投影位于所述第一光调制结构的第一表面在所述基底上的正投影之中，从所述发光结构层中发出的光经过所述第一光调制结构的光调制面的全反射后向所述第一方向偏转。

16、进一步地，所述多个像素开口形成多个发光区，所述多个发光区包括红色发光区、绿色发光区和蓝色发光区；

17、所述第二光调制结构包括第一调制子结构、第二调制子结构和第三调制子结构，所述第一调制子结构在所述基底上的正投影覆盖对应的所述红色发光区在所述基底上的正投影，所述第二调制子结构在所述基底上的正投影覆盖对应的所述绿色发光区在所述基底上的正投影，所述第三调制子结构在所述基底上的正投影覆盖对应的所述蓝色发光区在所述基底上的正投影。

18、进一步地，所述第三调制子结构的折射率大于所述第一调制子结构和第二调制子结构的折射率。

19、进一步地，所述第三调制子结构的厚度大于所述第一调制子结构和第二调制子结构的厚度。

20、进一步地，所述第一调制子结构的光调制面与所述基底之间的夹角为第一夹角，所述第二调制子结构的光调制面与所述基底之间的夹角为第二夹角，所述第三调制子结构的光调制面与所述基底之间的夹角为第三夹角，所述第一夹角和第二夹角均大于所述第三夹角。

21、进一步地，所述第一光调制结构在所述基底上的正投影的边缘与相邻所述第二光调制结构在所述基底上的正投影的边缘之间的间距为0.5～1.5μm。

22、进一步地，所述第一光调制结构在所述基底上的正投影的边缘与相邻所述第二光调制结构在所述基底上的正投影的边缘之间的间距为1μm。

23、进一步地，还包括封装层，所述封装层位于所述发光结构层和所述光调制层之间。

24、本申请第二方面还提供了一种显示装置，包括上述第一方面任一项所述的显示基板。

25、从上面所述可以看出，本申请提供的显示基板和显示装置，在发光结构层远离基底一侧设置有光调制层，光调制层包括设置在发光结构层远离基底一侧的多个光调制结构、及覆盖在光调制结构远离基底一侧的光处理层。所述光调制结构包括光调制面，从所述发光结构层中发出的光经过所述光调制面的全反射或者折射后向第一方向偏转。通过设置折射率不同的光调制结构和光处理层，针对不同折射率的情况，调整光调制面的倾斜方向、倾斜角度等，通过光调制面倾斜方向、倾斜角度等的变化来改变光调制结构形貌，以与不同折射率的变化相匹配，使得在光调制结构和光处理层具有不同折射率的情况下仍然可以实现显示基板正面出光效率的提升。

技术特征：

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口；

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一光调制结构在所述基底上的正投影位于所述像素定义层在所述基底上的正投影中，所述第二光调制结构在所述基底上的正投影覆盖对应的所述像素开口在所述基底上的正投影。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一光调制结构和所述第二光调制结构均包括靠近所述基底一侧的第一表面和远离所述基底一侧的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间的侧面为所述光调制面；

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一光调制结构和所述第二光调制结构均包括靠近所述基底一侧的第一表面和远离所述基底一侧的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间的侧面为所述光调制面；

6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一光调制结构的折射率、所述光处理层的折射率和所述第二光调制结构的折射率依次增大。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一光调制结构包括靠近所述基底一侧的第一表面和远离所述基底一侧的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间的侧面为所述光调制面；

8.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述多个像素开口形成多个发光区，所述多个发光区包括红色发光区、绿色发光区和蓝色发光区；

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第三调制子结构的折射率大于所述第一调制子结构和第二调制子结构的折射率。

10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第三调制子结构的厚度大于所述第一调制子结构和第二调制子结构的厚度。

11.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一调制子结构的光调制面与所述基底之间的夹角为第一夹角，所述第二调制子结构的光调制面与所述基底之间的夹角为第二夹角，所述第三调制子结构的光调制面与所述基底之间的夹角为第三夹角，所述第一夹角和第二夹角均大于所述第三夹角。

12.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一光调制结构在所述基底上的正投影的边缘与相邻所述第二光调制结构在所述基底上的正投影的边缘之间的间距为0.5～1.5μm。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第一光调制结构在所述基底上的正投影的边缘与相邻所述第二光调制结构在所述基底上的正投影的边缘之间的间距为1μm。

14.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括封装层，所述封装层位于所述发光结构层和所述光调制层之间。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至14任一项所述的显示基板。

技术总结本申请提供一种显示基板及显示装置，所述显示基板包括：基底；发光结构层，设置在所述基底上；光调制层，包括设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的多个光调制结构、及覆盖在所述光调制结构远离所述基底一侧的光处理层，所述光调制结构的折射率与所述光处理层的折射率不同，所述光调制结构包括光调制面。通过设置折射率不同的光调制结构和光处理层，针对不同折射率的情况，调整光调制面的倾斜方向、倾斜角度等，通过光调制面倾斜方向、倾斜角度等的变化来改变光调制结构形貌，以与不同折射率的变化相匹配，使得在光调制结构和光处理层具有不同折射率的情况下仍然可以实现显示基板正面出光效率的提升。技术研发人员：王艳明,韩城,李彦松,李旭,吴启晓,张智辉,温向敏受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18