显示装置的制作方法

实施例涉及一种显示装置。

背景技术：

1、显示装置包括显示图像的显示区域。最近，能够于在显示区域的一部分中显示图像的同时执行各种功能(例如，捕捉图像等)的显示装置已经受到关注。在这种情况下，显示装置的显示质量可能由于在显示区域的所述一部分中显示的图像的分辨率的降低而劣化。

技术实现思路

1、根据本公开的实施例，一种显示装置包括：第一半导体图案，设置在具有第一光透射率的第一显示区域中，并且包括第一驱动沟道区和与所述第一驱动沟道区相邻的第一导电区；第二半导体图案，设置在与所述第一显示区域相邻的第二显示区域中，并且包括第二驱动沟道区和与所述第二驱动沟道区相邻的第二导电区，其中，所述第二显示区域具有第二光透射率，所述第二光透射率大于所述第一光透射率，并且所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在相同的层上；至少一个第一无机绝缘层，覆盖所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；至少一个第二无机绝缘层，设置在所述至少一个第一无机绝缘层上；屏蔽电极，设置在所述至少一个第一无机绝缘层和所述至少一个第二无机绝缘层之间，并且经由通过穿透所述至少一个第一无机绝缘层暴露所述第二导电区的通孔与所述第二导电区直接接触；第一导电层，在所述第一显示区域中设置在所述至少一个第二无机绝缘层上，其中，当在平面图中观察时，所述第一导电层的一部分与所述第一导电区重叠，并且其中，所述第一导电层的所述一部分通过穿透所述至少一个第一无机绝缘层和所述至少一个第二无机绝缘层的通孔与所述第一导电区直接接触；以及第二导电层，设置在所述第二显示区域中。当在平面图中观察时，所述第二导电层的一部分与所述第二导电区重叠。所述第二导电层的所述一部分通过穿透所述至少一个第二无机绝缘层的通孔与所述屏蔽电极直接接触。所述第二导电层和所述第一导电层设置在相同的层上。

2、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第一驱动沟道区的面积小于所述第二驱动沟道区的面积。

3、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第一驱动沟道区具有弯曲形状，并且所述第二驱动沟道区具有矩形形状。

4、在实施例中，所述第二导电区和所述第一导电区被配置为接收相同类型的信号。

5、在实施例中，所述第一半导体图案还包括与所述第一驱动沟道区和所述第一导电区中的每一者间隔开的第一开关导电区，所述第二半导体图案还包括与所述第二驱动沟道区和所述第二导电区中的每一者间隔开的第二开关导电区，并且所述第一开关导电区和所述第二开关导电区被配置为接收相同类型的信号。

6、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第一导电层的一部分与所述第一开关导电区重叠，所述第一导电层的所述一部分通过穿透所述至少一个第一无机绝缘层和所述至少一个第二无机绝缘层的通孔与所述第一开关导电区直接接触；当在平面图中观察时，所述第二导电层的一部分与所述第二开关导电区重叠；所述第二导电层的所述一部分通过穿透所述至少一个第二无机绝缘层的通孔与设置在所述至少一个第一无机绝缘层和所述至少一个第二无机绝缘层之间的开关屏蔽电极直接接触；并且所述开关屏蔽电极通过穿透所述至少一个第一无机绝缘层的通孔与所述第二开关导电区直接接触。

7、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一发光元件，设置在所述第一显示区域中并且电连接到所述第一半导体图案；和第二发光元件，设置在所述第二显示区域中并且电连接到所述第二半导体图案。

8、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第二发光元件的发光面积大于所述第一发光元件的发光面积。

9、在实施例中，所述第一驱动沟道区与将驱动电流提供到所述第一发光元件的第一驱动晶体管的沟道相对应，并且所述第二驱动沟道区与将驱动电流提供到所述第二发光元件的第二驱动晶体管的沟道相对应。

10、在实施例中，所述第一半导体图案在所述第一显示区域中以复数提供，所述第二半导体图案在所述第二显示区域中以复数提供，所述第一显示区域的每第一单位面积的多个第一半导体图案的数量与所述第二显示区域的每第二单位面积的多个第二半导体图案的数量不同，并且所述第一单位面积和所述第二单位面积在大小上相同。

11、根据本公开的实施例，一种显示装置包括：第一半导体图案，设置在具有第一光透射率的第一显示区域中，并且包括第一开关沟道区和与所述第一开关沟道区相邻的第一开关导电区；第二半导体图案，设置在与所述第一显示区域相邻的第二显示区域中，并且包括第二开关沟道区和与所述第二开关沟道区相邻的第二开关导电区，其中，所述第二显示区域具有第二光透射率，所述第二光透射率大于所述第一光透射率，并且所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在相同的层上；至少一个无机绝缘层，覆盖所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；至少一个第二无机绝缘层，设置在所述至少一个第一无机绝缘层上；屏蔽电极，设置在所述至少一个第一无机绝缘层和所述至少一个第二无机绝缘层之间，并且经由通过穿透所述至少一个第一无机绝缘层暴露所述第二开关导电区的通孔与所述第二开关导电区直接接触；第一导电层，在所述第一显示区域中设置在所述至少一个第二无机绝缘层上，其中，当在平面图中观察时，所述第一导电层的一部分与所述第一开关导电区重叠，并且其中，所述第一导电层的所述一部分通过穿透所述至少一个第一无机绝缘层和所述至少一个第二无机绝缘层的通孔与所述第一开关导电区直接接触；以及第二导电层，设置在所述第二显示区域中。

12、在实施例中，所述第二开关导电区和所述第一开关导电区被配置为接收相同类型的信号。

13、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第一开关沟道区的形状和面积与所述第二开关沟道区的形状和面积相同。

14、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第一开关导电区的形状和面积与所述第二开关导电区的形状和面积相同。

15、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一发光元件，设置在所述第一显示区域中并且电连接到所述第一半导体图案；和第二发光元件，设置在所述第二显示区域中并且电连接到所述第二半导体图案。

16、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第二发光元件的发光面积大于所述第一发光元件的发光面积。

17、在实施例中，所述第一半导体图案还包括与将驱动电流提供到所述第一发光元件的第一驱动晶体管的沟道相对应的第一驱动沟道区，所述第二半导体图案还包括与将驱动电流提供到所述第二发光元件的第二驱动晶体管的沟道相对应的第二驱动沟道区，所述第一开关沟道区与电连接到所述第一驱动晶体管的第一开关晶体管的沟道相对应，并且所述第二开关沟道区与电连接到所述第二驱动晶体管的第二开关晶体管的沟道相对应。

18、在实施例中，所述第一半导体图案在所述第一显示区域中以复数提供，所述第二半导体图案在所述第二显示区域中以复数提供，所述第一显示区域的每第一单位面积的多个第一半导体图案的数量与所述第二显示区域的每第二单位面积的多个第二半导体图案的数量不同，并且所述第一单位面积和所述第二单位面积在大小上相同。

19、根据本公开的实施例，一种显示装置包括：第一像素，设置在具有第一光透射率的第一显示区域中，并且包括第一像素电路和电连接到所述第一像素电路的第一发光元件；和第二像素，设置在与所述第一显示区域相邻的第二显示区域中，并且包括第二像素电路和电连接到所述第二像素电路的第二发光元件。所述第二显示区域具有第二光透射率，并且所述第二光透射率大于所述第一光透射率。所述第一像素电路包括：第一半导体图案；第一导电层，设置在所述第一半导体图案上；以及无机绝缘层，设置在所述第一半导体图案和所述第一导电层之间，并且包括至少一个无机绝缘层。所述第二像素电路包括：第二半导体图案；第二导电层，与所述第一导电层设置在相同的层上，并且所述无机绝缘层设置在所述第二半导体图案和所述第二导电层之间。通过穿透所述无机绝缘层暴露所述第一半导体图案而使所述第一半导体图案与所述第一导电层直接接触的第一通孔的数量大于通过穿透所述无机绝缘层暴露所述第二半导体图案而使所述第二半导体图案与所述第二导电层直接接触的第二通孔的数量。

20、在实施例中，当在平面图中观察时，所述第一像素电路的面积与所述第二像素电路的面积相同，并且所述第二发光元件的发光面积大于所述第一发光元件的发光面积。

21、根据本公开的实施例，一种显示装置包括：第一像素，设置在具有第一光透射率的第一显示区域中，并且包括第一像素电路和电连接到所述第一像素电路的第一发光元件；和第二像素，设置在与所述第一显示区域相邻的第二显示区域中，并且包括第二像素电路和电连接到所述第二像素电路的第二发光元件。所述第二显示区域具有第二光透射率，并且所述第二光透射率大于所述第一光透射率。所述第一像素电路包括：第一半导体图案；第一导电层，设置在所述第一半导体图案上；多个无机绝缘层，设置在所述第一半导体图案和所述第一导电层之间；以及多个第一导通孔，穿透所述多个无机绝缘层并将所述第一半导体图案连接到所述第一导电层。所述第二像素电路包括：第二半导体图案；第二导电层，与所述第一导电层设置在相同的层上，其中，所述多个无机绝缘层设置在所述第二半导体图案和所述第二导电层之间；多个屏蔽电极，穿透所述多个无机绝缘层之中的m个无机绝缘层，并且与所述第二导电层直接接触；以及多个第二导通孔，穿透所述多个无机绝缘层之中的n个无机绝缘层，并且将所述第二导电层连接到所述多个屏蔽电极。所述m个无机绝缘层设置在所述n个无机绝缘层下方，并且所述多个无机绝缘层的数量为m和n之和，m和n各自为正整数。

22、在根据本公开的实施例的显示装置中，与设置在常规显示区域中的常规半导体图案和常规导电层直接接触的通孔的数量可以大于与设置在亮度补偿显示区域中的补偿半导体图案和补偿导电层直接接触的通孔的数量。因此，在脱氢工艺中，与常规半导体图案相比，可以防止补偿半导体图案的脱氢。