存储器装置及制造存储器装置的方法与流程

本公开的各个实施方式总体上涉及存储器装置以及制造存储器装置的方法，并且更具体地，涉及三维(3d)存储器装置以及制造3d存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置可以分类为在供电中断时所存储的数据丢失的易失性存储器装置和即使在供电中断时也保持所存储的数据的非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置的示例可以包括nand闪存、nor闪存、电阻式存储器(或电阻式随机存取存储器：reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻式随机存取存储器(mram)、铁电式随机存取存储器(fram)、自旋转移力矩随机存取存储器(stt-ram)等。

3、在非易失性存储器装置当中，nand闪存系统可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的控制器。存储器装置可以包括存储数据的存储器单元阵列以及响应于从控制器发送的命令而执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路。

4、存储器单元阵列可以包括多个存储块，每个存储块可以包括多个存储器单元。

5、为了增加存储器装置的集成度，已经探索了各种方法。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可以提供一种存储器装置。存储器装置可以包括：第一导电层，其在第一方向上延伸；第二导电层，其在与第一方向交叉的第二方向上从第一导电层延伸；多个第一沟道结构，其贯穿第一导电层并且设置为在第一方向上彼此间隔开；以及多个第二沟道结构，其贯穿第二导电层，其中第一导电层可以与第二导电层形成界面，以及界面可以设置于多个第一沟道结构与多个第二沟道结构之间。

2、本公开的实施方式可以提供一种存储器装置。存储器装置可以包括：选择线，其包括在第一方向上延伸的第一选择导电层和在与第一方向交叉的第二方向上从第一选择导电层延伸的第二选择导电层；字线，其包括多个第一单元导电层和第二单元导电层，其中多个第一单元导电层被设置为在第一方向上彼此间隔开以与第一选择导电层交叠，并且第二单元导电层被配置为填充多个第一单元导电层之间的空间并且在第二方向上从多个第一单元导电层延伸；绝缘层，其设置在字线与选择线之间；多个第一沟道结构，其单独地贯穿多个第一单元导电层并延伸以贯穿绝缘层和第一选择导电层；以及多个第二沟道结构，其贯穿第二单元导电层并延伸以贯穿绝缘层和第二选择导电层。

3、本公开的实施方式可以提供一种制造存储器装置的方法。方法可以包括：形成层叠体，其包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的分离区域，并且在层叠体中交替地层叠有多个第一材料层和多个第二材料层；形成穿过层叠体的第一区域、第二区域以及分离区域的多个第一孔；形成掩模图案，其被配置为打开多个第一孔当中的设置在分离区域中的第一组并且阻挡多个第一孔当中的设置在第一区域和第二区域中的第二组；通过经由多个第一孔当中的第一组分别蚀刻第一材料层来形成多个第二孔；在多个第二孔中的每一个中形成第一导电层；以及在形成第一导电层之后，在多个第一孔的第一组和第二组的每一者中形成沟道结构。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述界面沿着面对所述第二导电层的所述多个第一沟道结构的轮廓而形成。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述界面包括不平坦的形状。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述界面包括弧形状。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述分离图案包括在所述多个第一沟道结构之间的突出部。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述分离图案包括氮化物。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，

9.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述分离图案包括：

12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述分离图案沿着所述多个第一沟道结构的轮廓而形成。

13.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述分离图案包括在所述多个第一沟道结构之间的突出部。

14.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述分离图案包括氮化物。

15.根据权利要求9所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

16.根据权利要求9所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

17.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，经由所述多个第一孔当中的所述第一组分别蚀刻所述第一材料层的步骤包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，每个保留的第一材料层的量依据所述第一材料层的高度而变化。

20.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

21.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

22.根据权利要求21所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

技术总结本文提供了存储器装置及制造存储器装置的方法。一种存储器装置包括：第一导电层，其在第一方向上延伸；第二导电层，其在与第一方向交叉的第二方向上从第一导电层延伸；多个第一沟道结构，其贯穿第一导电层并且设置为在第一方向上彼此间隔开；以及多个第二沟道结构，其贯穿第二导电层，其中第一导电层可以与第二导电层形成界面，并且界面可以设置在多个第一沟道结构与多个第二沟道结构之间。技术研发人员：严大成受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18