一种反熔丝结构和存储器的制作方法

本公开涉及半导体，尤其涉及一种反熔丝结构和存储器。

背景技术：

1、目前，反熔丝器件(anti-fuse，af)在当前的集成电路中广泛运用，不仅可以选择性地将器件从电路的其他部分连接或断开，还可以提供逻辑操作，以及记录信息。然而，目前反熔丝的版图面积仍然较大，不利于存储器的容量提升。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种反熔丝结构和存储器。

2、第一方面，本公开实施例提供一种反熔丝结构，所述反熔丝结构包括：

3、第一有源区和第二有源区；其中，所述第一有源区和所述第二有源区沿第二方向排列，所述第一有源区包括沿第二方向排列的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二有源区包括沿第二方向排列的第四掺杂区、第五掺杂区和第六掺杂区；

4、第一栅极结构，且所述第一栅极结构覆盖所述第二掺杂区；

5、第二栅极结构；其中，所述第二栅极结构至少覆盖所述第三掺杂区的部分，且所述第二栅极结构至少覆盖所述第四掺杂区的部分；

6、第三栅极结构，且所述第三栅极结构覆盖所述第五掺杂区。

7、在一些实施例中，所述第三掺杂区和所述第四掺杂区在第二方向的投影至少部分重叠。

8、在一些实施例中，所述第三掺杂区靠近所述第四掺杂区的位置具有第一凸出部，所述第四掺杂区靠近所述第三掺杂区的位置具有第二凸出部；

9、所述第二栅极结构覆盖所述第一凸出部和所述第二凸出部；

10、其中，所述第一凸出部在第一方向的投影和所述第二凸出部在第一方向的投影完全不重叠，且所述第一凸出部在第二方向的投影和所述第二凸出部在第二方向的投影至少部分重叠；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

11、在一些实施例中，所述第一栅极结构连接到第一选择字线，所述第三栅极结构连接到第二选择字线；

12、所述第二栅极结构连接到编程字线。

13、在一些实施例中，所述第一选择字线和所述第二选择字线被同一地址信号控制。

14、在一些实施例中，所述第一选择字线和所述第二选择字线分别被不同的地址信号控制。

15、在一些实施例中，所述反熔丝结构还包括第一金属线和第二金属线，所述第一金属线和所述第二金属线均沿第二方向延伸；其中，

16、所述第一金属线覆盖所述第一凸出部，所述第二金属线覆盖所述第二凸出部；

17、所述第一金属线与所述第一掺杂区通过连接孔连接，所述第二金属线与所述第六掺杂区通过连接孔连接。

18、在一些实施例中，所述第一金属线和所述第二金属线分别被不同的地址信号控制。

19、在一些实施例中，多个所述反熔丝结构呈阵列分布，且所述阵列的行方向是指第一方向，所述阵列的列方向是指第二方向；

20、在第二方向上，每一所述反熔丝结构中的第二有源区与相邻的所述反熔丝结构中的第一有源区为一整体，且每一所述反熔丝结构中的第六掺杂区和相邻的所述反熔丝结构中的第一掺杂区为一整体。

21、在一些实施例中，对于同一行的多个所述反熔丝结构，多个所述第二栅极结构均连接到同一编程字线；多个所述第一栅极结构均连接到同一选择字线，多个所述第三栅极结构均连接到另一选择字线；

22、对于同一列的多个所述反熔丝结构，属于奇数行的所述第一掺杂区均连接到同一金属线，属于偶数行的所述第一掺杂区均连接到另一金属线。

23、第二方面，本公开实施例提供一种反熔丝结构，所述反熔丝结构包括第一反熔丝单元和第二反熔丝单元，且所述第一反熔丝单元包括第一选择器件和第一编程器件，所述第二反熔丝单元包括第二选择器件和第二编程器件；

24、所述第一选择器件、所述第一编程器件和所述第二选择器件沿第二方向排列，所述第一选择器件、所述第二编程器件和所述第二选择器件沿第二方向排列；

25、所述第一编程器件的栅极和所述第二编程器件的栅极均连接到同一编程字线。

26、在一些实施例中，所述第一编程器件和所述第二编程器件共享同一栅极结构。

27、在一些实施例中，所述第一选择器件的栅极连接到第一选择字线，所述第二选择器件的栅极连接到第二选择字线；

28、所述第一选择器件的第一端连接到第一位线，所述第二选择器件的第一端连接到第二位线。

29、在一些实施例中，所述第一选择字线和所述第二选择字线被同一地址信号控制，所述第一位线和所述第二位线分别被不同的地址信号控制。

30、在一些实施例中，所述第一选择字线和所述第二选择字线分别被不同的地址信号控制，所述第一位线和所述第二位线分别被不同的地址信号控制。

31、在一些实施例中，多个所述反熔丝结构呈阵列分布，且所述阵列的行方向是指第一方向，所述阵列的列方向是指第二方向；

32、对于同一行的多个所述反熔丝结构，多个所述第一编程器件的栅极和多个所述第二编程器件的栅极均连接到同一编程字线；多个所述第一选择器件的栅极均连接到同一选择字线，多个所述第二选择器件的栅极均连接到另一选择字线；

33、对于同一列的多个所述反熔丝结构，属于奇数行的所述第一选择器件的第一端和属于偶数行的所述第二选择器件的第一端均连接到同一位线，属于偶数行的所述第一选择器件的第一端和属于奇数行的所述第二选择器件的第一端均连接到另一位线。

34、第三方面，本公开实施例提供一种存储器，所述存储器包括如第一方面或第二方面所述的反熔丝结构。

35、本公开实施例提供了一种反熔丝结构和存储器，能够减小反熔丝结构的面积。

技术特征：

1.一种反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第三掺杂区靠近所述第四掺杂区的位置具有第一凸出部，所述第四掺杂区靠近所述第三掺杂区的位置具有第二凸出部；

4.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的反熔丝结构，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的反熔丝结构，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括第一金属线和第二金属线，所述第一金属线和所述第二金属线均沿第二方向延伸；其中，

8.根据权利要求7所述的反熔丝结构，其特征在于，

9.根据权利要求1-8任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，多个所述反熔丝结构呈阵列分布，且所述阵列的行方向是指第一方向，所述阵列的列方向是指第二方向；

10.根据权利要求9所述的反熔丝结构，其特征在于，

11.一种反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构包括第一反熔丝单元和第二反熔丝单元，且所述第一反熔丝单元包括第一选择器件和第一编程器件，所述第二反熔丝单元包括第二选择器件和第二编程器件；

12.根据权利要求11所述的反熔丝结构，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的反熔丝结构，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的反熔丝结构，其特征在于，

15.根据权利要求13所述的反熔丝结构，其特征在于，

16.根据权利要求11-15任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，多个所述反熔丝结构呈阵列分布，且所述阵列的行方向是指第一方向，所述阵列的列方向是指第二方向；

17.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1-16所述的反熔丝结构。

技术总结本公开实施例提供了一种反熔丝结构和存储器，该反熔丝结构包括：第一反熔丝单元和第二反熔丝单元，且第一反熔丝单元包括第一选择器件和第一编程器件，第二反熔丝单元包括第二选择器件和第二编程器件；第一选择器件、第一编程器件和第二选择器件沿第二方向排列，第一选择器件、第二编程器件和第二选择器件沿第二方向排列；本公开提供了一种新的反熔丝排布结构，能够减小反熔丝阵列和包含反熔丝阵列的存储器的面积。技术研发人员：余匡瀛受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18