静态随机存取存储器装置的制作方法

本技术实施例是关于集成电路技术，特别是关于静态随机存取存储器。

背景技术：

1、在深次微米集成电路技术(deep sub-micron integrated circuit technology)中，嵌入式静态随机存取存储器装置(static random access memory；sram)已成为高速通讯、图像处理、以及系统单芯片(system-on-chip；soc)产品的热门存储器单元。微处理器以及系统单芯片中的嵌入式sram的数量不断增加，以满足每个新技术世代的效能要求。随着硅技术持续从一个世代到下一世代的微缩化，寄生效应(parasitic effects)对sram装置效能的影响可能会越来越大。举例来说，随着半导体部件的尺寸持续微缩，寄生电阻以及寄生电容可能会成为更重要的影响因素。这些寄生效应可能会降低最小操作电压(vmin)以及sram单元的速度，从而可导致sram性能低于标准或甚至装置故障。

2、因此，尽管现有的sram装置通常都能够满足其预期的目的，但它们并非在各个面向中都完全令人满意。

技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种静态随机存取存储器装置，包含基板，具有第一区及相邻第一区的第二区；第一静态随机存取存储器单元，设置于第一区之内，第一静态随机存取存储器单元具有多个第一主动区沿着基板上的第一方向纵向延伸；第二静态随机存取存储器单元，设置于第二区之内，第二静态随机存取存储器单元具有多个第二主动区沿着基板上的第一方向纵向延伸；多个前侧金属线，于第一主动区及第二主动区上方，前侧金属线具有第一位元线(bit line)及第一互补位元线(bit line bar)于第一区之内；以及多个后侧金属线，于第一主动区及第二主动区下方，后侧金属线具有第二位元线及第二互补位元线于第二区之内。

2、根据本实用新型的一些实施例，所述多个前侧金属线更包括：一第一字元线及一第一接地线于该第二区之内，使得该第一字元线与该第二位元线在一上视图中沿着一垂直方向重叠，且该第一接地线亦与该第二位元线沿着该垂直方向重叠。

3、根据本实用新型的一些实施例，所述多个前侧金属线更包括：一第二字元线及一第二接地线于该第二区之内，使得该第二字元线与该第二互补位元线沿着该垂直方向重叠，且该第二接地线亦与该第二互补位元线沿着该垂直方向重叠。

4、根据本实用新型的一些实施例，该第一字元线电性地连接至一共享栅极，该共享栅极自该第一区沿着垂直于该第一方向的一第二方向延伸横跨至该第二区，其中该第一接地线电性地连接至一共享源极/漏极接触件，该共享源极/漏极接触件自该第一区沿着该第二方向延伸横跨至该第二区，其中该共享栅极作为该第一静态随机存取存储器单元的一导通闸晶体管以及该第二静态随机存取存储器单元的一导通闸晶体管的一栅极电极，且该共享源极/漏极接触件电性地连接至该第一静态随机存取存储器单元的一下拉晶体管的一源极/漏极部件以及该第二静态随机存取存储器单元的一下拉晶体管的一源极/漏极部件。

5、根据本实用新型的一些实施例，所述多个前侧金属线更包括：一第一电源线于该第一区之内以及一第二电源线于该第二区之内，其中所述多个后侧金属线更包括：一第三电源线于该第一区之内以及一第四电源线于该第二区之内，其中该第一电源线及该第三电源线电性地连接至该第一静态随机存取存储器单元的一上拉晶体管的一源极，且该第二电源线及该第四电源线电性地连接至该第二静态随机存取存储器单元的一上拉晶体管的一源极，其中该第一电源线及该第三电源线设置于该第一位元线与该第一互补位元线之间，且该第二电源线及该第四电源线设置于该第二位元线与该第二互补位元线之间。

6、本实用新型实施例提供一种静态随机存取存储器装置，包含基板，具有第一区及第二区；第一静态随机存取存储器单元，设置于第一区之内，第一静态随机存取存储器单元具有多个第一主动区沿着基板上的第一方向纵向延伸；第二静态随机存取存储器单元，相邻于第一静态随机存取存储器单元且设置于第二区之内，第二静态随机存取存储器单元具有多个第二主动区沿着基板上的第一方向纵向延伸；多个前侧金属线，于第一主动区及第二主动区上方，前侧金属线具有第一位元线及第一互补位元线于第一区之内；多个后侧金属线，于第一主动区及第二主动区下方，后侧金属线具有第二位元线及第二互补位元线于第二区之内；以及多个字元线及多个接地线，于第二区之内，使得每个字元线及每个接地线与第二位元线及第二互补位元线中的一者在上视图中沿着垂直方向重叠。

7、根据本实用新型的一些实施例，所述静态随机存取存储器装置更包括：一共享栅极，自该第一区延伸横跨至该第二区且啮合所述多个第一主动区中的一者的通道及所述多个第二主动区中的一者的通道；以及一字元线导孔，直接连接至该共享栅极，该字元线导孔将该共享栅极直接耦合至所述多个字元线中的一者，其中该字元线导孔设置于该第二区之内。

8、根据本实用新型的一些实施例，所述静态随机存取存储器装置更包括：一共享金属接触件，自该第一区延伸横跨至该第二区且直接耦合至所述多个第一主动区中的一者的一源极及所述多个第二主动区中的一者的一源极；以及一接地线导孔，直接连接至该共享金属接触件，该接地线导孔将该共享金属接触件直接耦合至所述多个接地线中的一者，其中该接地线导孔设置于该第二区之内。

9、根据本实用新型的一些实施例，所述静态随机存取存储器装置更包括：一第一电源线，于该第一区之内且于该基板的一前侧上，该第一电源线设置于该第一位元线与该第一互补位元线之间；一第二电源线，于该第二区之内且于该基板的该前侧上，该第二电源线设置于所述多个字元线之间及所述多个接地线之间；一第三电源线，于该第一区之内且于该基板的一后侧上，该第三电源线与该第一电源线沿着该垂直方向重叠；以及一第四电源线，于该第二区之内且于该基板的该后侧上，该第四电源线与该第二电源线沿着该垂直方向重叠，其中该第二位元线及该第二互补位元线具有大于该第一位元线及该第一互补位元线的厚度，且该第三电源线及该第四电源线具有大于该第一电源线及该第二电源线的厚度。

10、本实用新型实施例提供一种静态随机存取存储器装置，包含基板，具有前侧及后侧；第一静态随机存取存储器单元，具有多个第一主动区，且沿着基板的前侧上的第一方向纵向延伸；第二静态随机存取存储器单元，相邻于第一静态随机存取存储器单元，第二静态随机存取存储器单元具有多个第二主动区沿着基板的前侧上的第一方向纵向延伸；第一静态随机存取存储器单元的第一位元线及第一互补位元线，设置于基板的前侧上且电性地连接至第一主动区中的一者；第二静态随机存取存储器单元的第二位元线及第二互补位元线，设置于基板的后侧上且电性地连接至第二主动区中的一者；第一电源线，于第一静态随机存取存储器单元中；第二电源线，于第二静态随机存取存储器单元中；以及接地线，于第二静态随机存取存储器单元中且电性地连接至第二主动区中的一者，其中接地线设置于第一电源线与第二电源线之间，且第一电源线与接地线之间的距离大于第二电源线与接地线之间的距离。