半导体存储器装置的制作方法

本公开的各种实施方式涉及半导体存储器装置及其制造方法，并且更具体地涉及三维半导体存储器装置及其制造方法。

背景技术：

1、半导体存储器装置可以包括能够存储数据的多个存储器单元。三维半导体存储器装置可以包括三维布置的存储器单元。

2、可以通过栅极诱导漏极泄漏(gidl)擦除操作来擦除存储在三维半导体存储器装置的存储器单元中的数据。可以执行gidl擦除操作以通过产生gidl电流来将空穴注入到存储器单元的沟道中。

技术实现思路

1、根据实施方式的一种半导体存储器装置可以包括：源极层；沟道结构，其从源极层内在第一方向上延伸；源极-沟道接触层，其在源极层上围绕沟道结构；第一选择栅极层，其与源极-沟道接触层交叠并围绕沟道结构；层叠物，其包括在第一方向上交替地层叠并且围绕沟道结构的层间绝缘层和导电图案，层叠物与第一选择栅极层交叠；以及第一绝缘图案，其形成为在第一选择栅极层和沟道结构之间比在层叠物和沟道结构之间更厚。

2、根据实施方式的一种制造半导体存储器装置的方法可以包括：在源极层上形成牺牲源极层；在牺牲源极层上形成第一选择栅极层；在第一选择栅极层上交替地层叠牺牲层和层间绝缘层；形成其中绝缘结构覆盖孔内的表面的孔，其中孔贯穿层间绝缘层、牺牲层、第一选择栅极层和牺牲源极层，并且延伸到源极层中；在绝缘结构上顺序地层叠数据储存层和隧道绝缘层；通过用沟道结构填充孔来在隧道绝缘层上形成沟道结构；去除牺牲源极层；以及通过从第一选择栅极层的底表面选择性地氧化第一选择栅极层来扩展绝缘结构。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

技术总结提供了半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：源极层；沟道结构，其从源极层内在第一方向上延伸；源极‑沟道接触层，其在源极层上围绕沟道结构；第一选择栅极层，其与源极‑沟道接触层交叠并围绕沟道结构；层叠物，其包括在第一方向上交替地层叠并且围绕沟道结构的层间绝缘层和导电图案，层叠物与第一选择栅极层交叠；以及第一绝缘图案，其形成为在第一选择栅极层和沟道结构之间比在层叠物和沟道结构之间更厚。技术研发人员：李南宰受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23