半导体器件的制作方法

本公开涉及半导体器件。

背景技术：

1、半导体器件由于其紧凑的尺寸、多功能性和低成本而广泛用于电子工业中。然而，随着该工业的发展，半导体器件已经变得高度集成。半导体器件图案的临界尺寸已经逐渐减小以实现更高的集成度。这些精细图案的产生需要使用新的且更昂贵的曝光技术，使得进一步集成半导体器件具有挑战性。因此，正在进行各种研究尝试以开发新的集成技术。

技术实现思路

1、本公开的实施方式提供了一种具有改善的可靠性的半导体器件。

2、根据本公开的一些实施方式的一种半导体器件包括：器件隔离部，设置在衬底上以限定沿顺时针方向顺序布置的第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，第一有源区至第四有源区在第一方向上延伸，并且器件隔离部在与第一方向相交的第二方向上延伸并且插置在第一有源区和第二有源区与第三有源区和第四有源区之间；第一字线和第二字线，在第二方向上与第一有源区和第二有源区交叉，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上彼此相邻；第一杂质区，设置在第一有源区中在第一字线和第二字线之间；第二杂质区，设置第一有源区中在第一字线的一侧并与第一杂质区间隔开；第一导电焊盘，与第一杂质区接触；第二导电焊盘，与第二杂质区接触；位线，设置在第一导电焊盘上并在第三方向上延伸；存储节点接触结构，设置在第二导电焊盘上；以及落着焊盘，设置在存储节点接触结构上。

3、根据本公开的一些实施方式的一种半导体器件包括：器件隔离部，设置在衬底上以限定有源区，有源区在第一方向上是纵向的；第一字线和第二字线，在与第一方向相交的第二方向上与有源区交叉，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上彼此相邻；第一杂质区，设置在有源区中在第一字线和第二字线之间；第二杂质区，设置在有源区中在第一字线的一侧并与第一杂质区间隔开；第一导电焊盘，与第一杂质区接触；第二导电焊盘，与第二杂质区接触；位线，设置在第一导电焊盘上并在第三方向上延伸；在第二导电焊盘上的存储节点接触结构；以及在存储节点接触结构上的落着焊盘，其中存储节点接触结构包括：第一接触，接触第二导电焊盘并具有第一宽度；以及第二接触，设置在第一接触上并具有大于第一宽度的第二宽度。

4、根据本公开的一些实施方式的一种半导体器件包括：器件隔离部，设置在衬底上以限定沿顺时针方向顺序布置的第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，第一有源区至第四有源区在第一方向上是纵长的，并且器件隔离部在与第一方向相交的第二方向上延伸并且插置在第一有源区和第二有源区与第三有源区和第四有源区之间；第一字线和第二字线，在第二方向上与第一有源区和第二有源区交叉，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上彼此相邻；栅极绝缘层，插置在第一字线和衬底之间；第一杂质区，设置在第一有源区中在第一字线和第二字线之间；第二杂质区，设置在第一有源区中在第一字线的一侧并与第一杂质区间隔开；第一导电焊盘，与第一杂质区接触；第二导电焊盘，与第二杂质区接触；位线，设置在第一导电焊盘上并在第三方向上延伸；在位线上的位线盖图案；第一位线间隔物，覆盖位线盖图案的侧壁和位线的侧壁；第二位线间隔物，覆盖第一位线间隔物的下侧壁并暴露第一位线间隔物的上侧壁；在第二导电焊盘上的存储节点接触结构；以及在存储节点接触结构上的落着焊盘，其中存储节点接触结构包括：第一接触，接触第二导电焊盘并具有第一宽度；以及第二接触，设置在第一接触上并具有大于第一宽度的第二宽度，其中第一接触与第一位线间隔物间隔开，并且其中第二接触与第二位线间隔物的上端和第一位线间隔物接触。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述器件隔离部包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括虚设字线，所述虚设字线设置在所述第一有源区与所述第四有源区之间和所述第二有源区与所述第三有源区之间的所述器件隔离部中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储节点接触结构包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述存储节点接触结构被提供多个，

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括插置在所述第一字线和所述衬底之间的栅极绝缘层，

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当在俯视图中观察时，所述第一有源区至所述第四有源区中的每个包括：

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘中的至少一个包括：

10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括设置在所述位线和所述第一导电焊盘之间的位线接触，

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电焊盘提供多个并且设置在所述第一有源区和所述第二有源区上，

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一焊盘分离图案与所述衬底的第一侧壁接触，

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述衬底进一步包括与所述第二侧壁相邻的第三侧壁，以及

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述器件隔离部的上表面低于所述衬底的上表面，以暴露所述衬底的第一侧壁和第二侧壁，

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电焊盘与所述第一杂质区的上表面接触，以及

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述第一杂质区在所述第二方向上具有第一宽度，所述第一导电焊盘在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度，以及

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘的下端设置在彼此相同的水平处。

18.一种半导体器件，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体器件，进一步包括插置在所述第一字线和所述衬底之间的栅极绝缘层，

20.一种半导体器件，包括：

技术总结一种半导体器件，包括：在衬底上的器件隔离部，用于限定第一至第四有源区，器件隔离部插置在第一和第二有源区与第三和第四有源区之间；第一和第二字线，与第一和第二有源区交叉并且彼此相邻；第一杂质区，在第一有源区中在第一和第二字线之间；第二杂质区，在第一有源区中在第一字线的一侧并与第一杂质区间隔开；接触第一杂质区的第一导电焊盘；接触第二杂质区的第二导电焊盘；在第一导电焊盘上的位线；在第二导电焊盘上的存储节点接触结构；以及在存储节点接触结构上的落着焊盘。技术研发人员：李基硕,金根楠,金熙中受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/23