使用具有电感耦合子谐振器的横向激励薄膜体声谐振器的滤波器的制作方法

本公开涉及使用声波谐振器的射频滤波器，并且具体地，涉及用于通信设备的滤波器。

背景技术：

1、射频(rf)滤波器是双端口器件，该双端口器件被配置为使某些频率通过并阻止其他频率，其中，“通过”意味着以相对较低的信号损耗进行传输，并且“阻止”意味着阻挡或显著衰减。滤波器所通过的频率的范围被称为滤波器的“通带”。这种滤波器所阻止的频率的范围被称为滤波器的“阻带”。典型的rf滤波器具有至少一个通带和至少一个阻带。对通带或阻带的具体要求取决于具体应用。例如，“通带”可以被定义为滤波器的插入损耗优于定义值(例如1db、2db或3db)的频率范围。“阻带”可以被定义为滤波器的抑制大于定义值(例如20db、30db、40db或更大值)的频率范围，具体取决于应用。

2、rf滤波器用于通过无线链路来传输信息的通信系统。例如，rf滤波器可以出现在蜂窝基站、移动电话和计算设备、卫星收发器和地面站、iot(物联网)设备、膝上型计算机和平板计算机、固定点无线电链路和其他通信系统的rf前端中。rf滤波器也用于雷达和电子信息战系统。

3、rf滤波器通常需要许多设计权衡，以针对每个特定应用实现诸如插入损耗、抑制、隔离、功率处理、线性度、尺寸和成本之类的性能参数之间的最佳权衡。特定设计和制造方法以及增强可以同时有益于这些要求中的一项或多项。

4、无线系统中rf滤波器的性能增强可以对系统性能产生广泛影响。rf滤波器的改进可以用于提供系统性能改进，例如更大的小区尺寸、更长的电池寿命、更高的数据速率、更大的网络容量、更低的成本、增强的安全性、更高的可靠性等。这些改进可以在无线系统的多个级别(例如，在rf模块、rf收发器、移动或固定子系统、或网络级别)处以单独和组合方式实现。

5、用于当前通信系统的高性能rf滤波器通常包含声波谐振器，该声波谐振器包括表面声波(saw)谐振器、体声波(baw)谐振器、薄膜体声波谐振器(fbar)和其他类型的声谐振器。然而，这些现有技术并不非常适合于在针对未来通信网络所提出的更高频率和带宽下使用。

6、对更宽通信信道带宽的期望将不可避免地导致使用更高频率的通信频带。移动电话网络的无线电接入技术已经由3gpp(第三代合作伙伴计划)进行了标准化。第五代移动网络的无线电接入技术在5g nr(新无线电)标准中进行了定义。5g nr标准定义了若干个新的通信频带。这些新通信频带中的两个是：n77和n79，n77使用从3300mhz至4200mhz的频率范围，n79使用从4400mhz至5000mhz的频率范围。频带n77和频带n79都使用时分双工(tdd)，使得在频带n77和/或频带n79中操作的通信设备使用相同的频率进行上行链路和下行链路传输。频带n77和n79的带通滤波器必须能够处理通信设备的传输功率。5ghz和6ghz的wifi频带也需要高频率和宽带宽。5g nr标准还定义了频率在24.25ghz与40ghz之间的毫米波通信频带。

7、横向激励薄膜体声谐振器(xbar)是用于微波滤波器的声谐振器结构。xbar在题为“transversely excited film bulk acoustic resonator(横向激励薄膜体声谐振器)”的专利us10，491，291中进行了描述。xbar谐振器包括至少部分地设置在薄浮层或振膜(diaphragm)上的叉指换能器(idt)，该薄浮层或振膜是单晶压电材料的层或包括单晶压电材料的层。idt包括从第一母线延伸的第一组平行指和从第二母线延伸的第二组平行指。第一组平行指和第二组平行指是交错的。施加到idt的微波信号在压电膜中激励主剪切声波。xbar谐振器提供非常高的机电耦合和高频能力。xbar谐振器可以用于包括带阻滤波器、带通滤波器、双工器和多路复用器在内的各种rf滤波器。xbar非常适用于频率高于3ghz的通信频带的滤波器。

技术实现思路

技术特征：

1.一种滤波器，包括：

2.根据权利要求1所述的滤波器，还包括：

3.根据权利要求2所述的滤波器，还包括：

4.根据权利要求2所述的滤波器，其中：

5.根据权利要求2所述的滤波器，其中：

6.根据权利要求1所述的滤波器，其中：

7.根据权利要求6所述的滤波器，其中：

8.根据权利要求1所述的滤波器，其中：

9.一种滤波器，包括：

10.根据权利要求9所述的滤波器，还包括：

11.根据权利要求10所述的滤波器，还包括：

12.根据权利要求10所述的滤波器，其中：

13.根据权利要求10所述的滤波器，其中：

14.根据权利要求9所述的滤波器，其中：

15.根据权利要求14所述的滤波器，其中：

16.根据权利要求9所述的滤波器，其中：

技术总结一种滤波器(1300)包括第一并联谐振器(Sh1)和第二并联谐振器(Sh2)、与声学梯形滤波器电路中的第一并联谐振器和第二并联谐振器连接的至少一个串联谐振器(Slx4)、以及第一接地接触焊盘(GND1)。第一并联谐振器(Shi)具有两个或更多个第一子谐振器(Sh1A、Sh1B)，并且第二并联谐振器具有两个或更多个第二子谐振器(Sh2A、Sh2B、Sh2C)。至少一个第一子谐振器和两个或更多个第二子谐振器中的至少一个但不是全部第二子谐振器连接到第一接地接触焊盘。技术研发人员：道格·雅乔夫斯基,温切斯拉夫·扬捷切夫,布莱恩特·加西亚,帕特里克·特纳受保护的技术使用者：株式会社村田制作所技术研发日：技术公布日：2024/7/23