具有晶体管器件和保护电路的电子电路的制作方法

本公开总体上涉及具有晶体管器件、特别是绝缘栅晶体管器件的电子电路。

背景技术：

1、诸如mosfet或者igbt的绝缘栅晶体管器件被广泛用作各种种类的电子电路中的电子开关。仅举几例来说，这样的电路的示例包括开关模式电源、马达驱动电路或者逆变器。

2、绝缘栅晶体管器件是被配置为取决于在驱动输入处接收的驱动电压来开启和关闭的电压控制的晶体管器件。在导通状态下，晶体管器件被配置为通过负载路径传导电流。在断开状态下，晶体管器件被配置为阻断。

3、不可避免地，在绝缘栅晶体管器件中，负载路径与驱动输入电容耦合。例如，在mosfet中，作为负载路径的一部分的漏极节点与作为驱动输入的一部分的栅极节点电容耦合。

4、负载路径和驱动输入之间的电容耦合可能具有晶体管器件在已经被关闭之后错误地开启的效果。更具体地，关闭晶体管器件可能引起跨负载路径的电压迅速增加，这可能引起漏极节点处的电势迅速增加。由于负载路径和驱动输入之间的电容耦合，漏极节点处电势的这样的迅速增加可能引起栅极节点处的电压尖峰，所述电压尖峰引起晶体管器件开启。这是非常不合期望的。

5、因此，存在对保护晶体管器件、特别是绝缘栅晶体管器件免受由于跨负载路径的电压迅速增加而所致的错误开启的需要。

技术实现思路

1、一个示例涉及电子电路。电子电路包括第一晶体管器件和保护电路。第一晶体管器件包括第一驱动节点、第二驱动节点和负载路径。保护电路被耦合到第一晶体管器件的第一驱动节点和第二驱动节点以及负载路径。保护电路包括第二晶体管器件，第二晶体管器件具有第一驱动节点、第二驱动节点和负载路径。更进一步地，保护电路包括被耦合在第一晶体管器件的负载路径和第二晶体管器件的第一驱动节点之间的电容器。第二晶体管器件的负载路径被连接在第一晶体管器件的第一驱动节点和第二驱动节点之间。电容器的电容是电压依赖的，使得电容随着跨电容器的电压增加而减小。

2、另一个示例涉及一种方法。方法包括关闭第一晶体管器件保护电路。晶体管器件包括第一驱动节点、第二驱动节点和负载路径。保护电路被耦合到第一晶体管器件的第一驱动节点和第二驱动节点以及负载路径。保护电路包括：第二晶体管器件，其包括第一驱动节点、第二驱动节点和被连接在第一晶体管器件的第一驱动节点和第二驱动节点之间的负载路径；以及电容器，其被耦合在第一晶体管器件的负载路径和第二晶体管器件的第一驱动节点之间，其中电容器的电容是电压依赖的，使得电容随着跨电容器的电压增加而减小。

技术特征：

1.一种电子电路，其包括：

2.根据权利要求1所述的电子电路，

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的电子电路，其中电容器(3)包括：

4.根据权利要求3所述的电子电路，

5.根据权利要求3或者权利要求4所述的电子电路，

6.根据权利要求3至权利要求5中任一项所述的电子电路，

7.根据权利要求3至权利要求6中任一项所述的电子电路，

8.根据前述权利要求中任一项所述的电子电路，

9.根据权利要求3至权利要求8中任一项所述的电子电路，其中如下各项中的至少一个适用：

10.根据前述权利要求中任一项所述的电子电路，

11.根据权利要求10所述的电子电路，

12.根据权利要求10至权利要求11中任一项所述的电子电路，

13.根据权利要求10至权利要求11中任一项所述的电子电路，

14.根据前述权利要求中任一项所述的电子电路，

15.一种方法，包括：

技术总结公开了具有晶体管器件和保护电路的电子电路。公开了一种电子电路和方法。电子电路包括：第一晶体管器件(1)，其包括第一驱动节点(G1)、第二驱动节点(S1)和负载路径(D1‑S1)；以及保护电路(5)，其被耦合到第一晶体管器件(1)的第一驱动节点(G1)和第二驱动节点(S1)和负载路径(D1‑S1)。保护电路(5)包括具有第一驱动节点(G2)、第二驱动节点(S2)和被连接在第一晶体管器件(1)的第一驱动节点(G1)和第二驱动节点(S1)之间的负载路径(D2‑S2)的第二晶体管器件(2)，以及被耦合在第一晶体管器件(1)的负载路径(D1‑S1)和第二晶体管器件(2)的第一驱动节点(G2)之间的电容器(3)。电容器(3)的电容是电压依赖的，使得电容随着跨电容器(3)的电压(V3)增加而减小。技术研发人员：G·T·诺鲍尔受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29