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一种第三代核电站主控室可居留性改进装置及方法与流程

  • 国知局
  • 2024-08-02 12:28:02

本发明属于空气净化及辐射安全领域,具体涉及一种第三代核电站主控室可居留性改进装置及方法。

背景技术:

1、目前第三代核电站主控室由于设计中考虑了无过滤空气内漏(事故工况下外部放射性污染空气的内漏)的影响,已可以做到在事故工况下只有很少的无过滤空气内漏了,但是仍然需要考虑在开关门情况下的无过滤空气内漏,因此,在第三代ap1000型核电站的主控室内设置了一套循环过滤净化装置。但这套循环过滤净化装置在短时间内所起的作用很有限,每分钟只能过滤净化不到主控室容积2%的内部空气,因此不能在较短时间内降低放射性空气对主控室人员造成的内照射和外照射,在此工况下,主控室操纵员的可居留性及辐射安全难以得到保证。

技术实现思路

1、针对现有技术中所存在的问题,本发明的目的在于提供一种第三代核电站主控室可居留性改进装置及方法,该方案不对现有的第三代核电站主控室的完整性造成破坏,只是在现有基础上加装一套简捷便利的防护装置,避免由于开关门所造成的无过滤空气内漏进入主控室而造成的对主控室操纵员的辐射危害,使主控室操纵员的可居留性及辐射安全得到保证。

2、为了实现上述发明目的,本发明的技术方案如下:

3、一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,在第三代核电站主控室的第一密封门与第二密封门之间的前室内设置防护装置,在防护装置与第一密封门间的区域形成缓冲净化区。

4、进一步,防护装置包括防护密封门和风机,风机设置在防护密封门上。

5、进一步,防护装置设置在第三代核电站主控室的第一密封门与第二密封门之间的前室内中间位置。

6、进一步,防护密封门采用单开门或双开门设计,根据核电站主控室的便利性确定。

7、进一步,风机数量根据风量设计要求和风机型号确定。

8、进一步,风机的风流方向为从主控室前室第二密封门经风机后流向第一密封门和防护装置之间的缓冲净化区,在缓冲净化区内形成正压,阻止外部污染空气的进入。

9、进一步,防护密封门与门框间的密封面位于缓冲净化区。

10、进一步,采用上述装置改进第三代核电站主控室可居留性的方法,包括以下步骤:

11、步骤1,打开第一密封门,进入缓冲净化区;

12、步骤2,启动风机进行空气吹扫净化;

13、步骤3,关闭第一密封门;

14、步骤4,空气吹扫净化过程结束,关闭风机;

15、步骤5,打开防护密封门,进入第二密封门与防护密封门间的前室;

16、步骤6,关闭防护密封门;

17、步骤7,打开第二密封门;

18、步骤8,进入主控室,关闭第二密封门。

19、本发明的有益效果如下:

20、1、在不对现有的第三代核电站主控室的完整性造成破坏,只是在现有基础上加装一套简捷便利的防护装置,避免由于开关门所造成的无过滤空气内漏进入主控室而造成的对主控室操纵员的辐射危害,使主控室操纵员的可居留性及辐射安全得到保证。

技术特征:

1.一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,其特征在于:在第三代核电站主控室的第一密封门与第二密封门之间的前室内设置防护装置,在防护装置与第一密封门间的区域形成缓冲净化区。

2.如权利要求1所述的一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,其特征在于:所述防护装置包括防护密封门和风机,风机设置在防护密封门上。

3.如权利要求2所述的一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,其特征在于:所述防护装置设置在第三代核电站主控室的第一密封门与第二密封门之间的前室内中间位置。

4.如权利要求2所述的一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,其特征在于:所述防护密封门采用单开门或双开门设计,根据核电站主控室的便利性确定。

5.如权利要求2所述的一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,其特征在于:所述风机数量根据风量设计要求和风机型号确定。

6.如权利要求2所述的一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,其特征在于:所述风机的风流方向为从主控室前室第二密封门经风机后流向第一密封门和防护装置之间的缓冲净化区,在缓冲净化区内形成正压,阻止外部污染空气的进入。

7.如权利要求2所述的一种第三代核电站主控室可居留性改进装置,其特征在于:所述防护密封门与门框间的密封面位于缓冲净化区。

8.一种采用权利要求1-7中任意一项所述装置改进第三代核电站主控室可居留性的方法,其特征在于:包括以下步骤:

技术总结本发明属于空气净化及辐射安全领域,具体涉及一种第三代核电站主控室可居留性改进装置及方法。第三代核电站主控室可居留性改进装置是在第三代核电站主控室的第一密封门与第二密封门之间的前室内设置的防护装置,在前室内防护装置与第一密封门间的区域形成缓冲净化区。避免由于开关门所造成的无过滤空气内漏进入主控室而造成的对主控室操纵员的辐射危害,使主控室操纵员的可居留性及辐射安全得到保证。技术研发人员:李晓晨,张渊,李永国,杜建兴,郭哲斌,吴涛,丘丹圭,刘群,张治权,韩丽红,李健受保护的技术使用者:中国辐射防护研究院技术研发日:技术公布日:2024/6/11

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