弹性波器件及其制造方法和模组与流程

本公开涉及弹性波器件及其制造方法。详细而言，涉及使用sh波的弹性表面波器件、例如滤波器、双工器或多路复用器。

背景技术：

1、在以智能手机为代表的移动通信终端的高频通信用系统中，使用高频滤波器等除去通信中使用的频带以外的不需要的信号。

2、高频滤波器等使用具有弹性表面波(saw：surface acoustic wave，表面声波)元件等的弹性波器件。saw元件是在压电基板上形成具有一对梳型电极的idt(interdigitaltransducer，叉指换能器)的元件。

3、例如，弹性表面波器件以如下方式制造。首先，制作多层膜基板，该多层膜基板是将传播弹性波的压电基板和具有比该压电基板小的热膨胀系数的支承基板接合而成的。接着，使用光刻技术在该多层膜基板上形成有多个idt电极，此后，通过切割而切出规定的尺寸，制成弹性表面波器件。在该制造方法中，利用多层膜基板，由此通过支承基板抑制温度变化时的压电基板的大小的变化，因此作为弹性波器件的频率特性稳定化。

4、例如，根据专利文献1等，已知为了改善弹性波器件的温度特性，在压电基板上粘贴杨氏模量高且线膨胀系数小的蓝宝石基板等支承基板，抑制由温度变化引起的伸缩。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2009-278610号公报

8、如专利文献1公开的那样，已知为了改善弹性波器件的温度特性，在压电基板上粘贴杨氏模量高且线膨胀系数小的蓝宝石基板等支承基板，抑制由温度变化引起的伸缩。但是，这样的支承基板特别是在高频侧产生寄生，滤波器特性差。

9、此外，虽然没有蓝宝石基板那样的温度特性改善效果，但作为不易产生寄生的支承基板，已知尖晶石等多晶基板。但是，不能实现蓝宝石基板那样的温度特性。

技术实现思路

1、本公开是为了解决上述课题而完成的。本公开的目的在于提供温度特性更高且进一步抑制了寄生的弹性波器件及其制造方法。

2、本公开所涉及的弹性波器件包括：

3、高声速基板；

4、中声速层，形成在所述高声速基板的第一主面上；以及

5、压电基板，形成在所述中声速层的主面之上，

6、在所述高声速基板与所述中声速层之间，随着从所述高声速基板的第一主面朝向所述中声速层的主面的方向，声速逐渐下降。

7、作为本公开的一个方式，所述弹性波器件还包括形成在所述中声速层与所述压电基板之间的低声速层。

8、作为本公开的一个方式，所述高声速基板由蓝宝石基板构成。

9、作为本公开的一个方式，所述中声速层由多晶层构成。

10、作为本公开的一个方式，所述高声速基板和所述中声速层的界面为凹凸形状。

11、作为本公开的一个方式，所述弹性波器件还包括形成在所述高声速基板的第二主面上的第二中声速层。

12、作为本公开的一个方式，所述中声速层包括沿所述高声速基板的第一主面朝向所述中声速层的主面的方向依次叠设的第三子中声速层、第二子中声速层和第一子中声速层，所述第一子中声速层为定比mgal2o4的尖晶石；所述第二子中声速层为不定比尖晶石，所述第二子中声速层的镁含量少于所述第一子中声速层且铝含量多于所述第一子中声速层；所述第三子中声速层为不定比尖晶石，所述第三子中声速层的镁含量少于所述第一子中声速层且铝含量多于所述第二子中声速层。

13、作为本公开的一个方式，所述中声速层包括沿所述高声速基板的第一主面朝向所述中声速层的主面的方向依次叠设的第三子中声速层、第二子中声速层和第一子中声速层；所述器件芯片存在所述压电基板与所述第一子中声速层接触的区域以及所述压电基板与所述第二子中声速层接触的区域。

14、包括所述弹性波器件的模组为本发明的一个方式。

15、本公开所涉及的弹性波器件的制造方法包括：

16、提供高声速基板；

17、在所述高声速基板的第一主面上形成中声速层；使得在所述高声速基板与所述中声速层之间，从所述高声速基板的第一主面朝向所述中声速层的主面的方向，声速逐渐下降；

18、在所述中声速层的主面之上形成压电基板。

19、作为本公开的一个方式，

20、所述高声速基板是蓝宝石基板，所述提供高声速基板包括：研磨蓝宝石基板的工序；

21、所述高声速基板的第一主面上形成中声速层，包括：将氧化镁配置在所述研磨后的蓝宝石基板的第一主面上的工序；

22、使所述蓝宝石基板和所述氧化镁紧贴并通过加热处理形成多晶尖晶石层的工序；以及

23、除去所述氧化镁并研磨所述多晶尖晶石层的工序；

24、所述在所述中声速层的主面之上形成压电基板，包括：在所述多晶尖晶石层上形成压电基板的工序。

25、作为本公开的一个方式，所述氧化镁是平均粒径为1μm～25μm的粉末体。

26、作为本公开的一个方式，所述氧化镁也配置在所述蓝宝石基板的第二主面上，所述多晶尖晶石层也形成在所述蓝宝石基板的第二主面上。

27、作为本公开的一个方式，形成所述多晶尖晶石层的工序在1500℃～1600℃的温度下进行0.1小时～10小时的加热处理。

28、作为本公开的一个方式，所述氧化镁是平均粒径为1μm～25μm的粉末体，在1300℃～16 00℃的温度下进行10小时～48小时的加热处理。

29、根据本公开，能够提供温度特性更高且进一步抑制了寄生的弹性波器件及其制造方法和一种模组。

技术特征：

1.一种弹性波器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，

7.如权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述中声速层包括沿所述高声速基板的第一主面朝向所述中声速层的主面的方向依次叠设的第三子中声速层、第二子中声速层和第一子中声速层，所述第一子中声速层为定比mgal2o4的尖晶石；所述第二子中声速层为不定比尖晶石，所述第二子中声速层的镁含量少于所述第一子中声速层且铝含量多于所述第一子中声速层；所述第三子中声速层为不定比尖晶石，所述第三子中声速层的镁含量少于所述第一子中声速层且铝含量多于所述第二子中声速层。

8.如权利要求1所述的弹性波器件，其特征在于，所述中声速层包括沿所述高声速基板的第一主面朝向所述中声速层的主面的方向依次叠设的第三子中声速层、第二子中声速层和第一子中声速层；所述器件芯片存在所述压电基板与所述第一子中声速层接触的区域以及所述压电基板与所述第二子中声速层接触的区域。

9.一种模组，其特征在于，

10.一种弹性波器件的制造方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的弹性波器件的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的弹性波器件的制造方法，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的弹性波器件的制造方法，其特征在于，

14.根据权利要求11所述的弹性波器件的制造方法，其特征在于，

15.根据权利要求11所述的弹性波器件的制造方法，其特征在于，

技术总结本发明实施例提供温度特性更高且进一步抑制了寄生的弹性波器件及其制造方法和模组。弹性波器件具备高声速基板、形成在所述高声速基板的第一主面上的中声速层、以及形成在所述中声速层的主面之上的压电基板，在所述高声速基板与所述中声速层之间，从所述高声速基板的第一主面朝向所述中声速层的主面的方向，声速逐渐下降。技术研发人员：熊四辈,塩井伸一受保护的技术使用者：三安日本科技株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/1