一种芯片厚铜金属的去除方法与流程

本发明涉及芯片，尤其涉及一种芯片厚铜金属的去除方法。

背景技术：

1、用fib机台对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试，以便更快更准确的验证设计方案。若芯片部份区域有问题，可通过fib机台对此区域隔离或改正此区域功能，以便找到问题的症结。

2、客户芯片失效分析过程中需要通过fib机台修改内部电路达到目的。高端铜工艺芯片一般是有厚铜，fib机台操作位置会被顶层厚铜遮挡，如果想后续操作，需要去厚铜，并且要达到平整。如果铜金属厚度超过3微米，去除金属达到平整将非常困难。

技术实现思路

1、本发明提供了一种芯片厚铜金属的去除方法，以去除集成电路中的厚铜金属，提高处理铜工艺芯片的成功率。

2、根据本发明的一方面，提供了一种芯片厚铜金属的去除方法，芯片厚铜金属的去除方法包括：

3、去除厚铜金属表面的第一氧化层，露出厚铜金属；

4、去除厚铜金属侧面的第二氧化层，露出厚铜金属，其中，第二氧化层和厚铜金属位于同层；

5、在厚铜金属表面形成多个孔，孔的深度小于厚铜金属的厚度；

6、去除厚铜金属。

7、进一步的，在厚铜金属表面形成多个孔，包括：

8、根据预设打孔深度，通过离子束对厚铜金属进行点阵处理，在厚铜金属表面形成多个孔。

9、进一步的，根据预设打孔深度，通过离子束在厚铜金属进行点阵处理，在厚铜金属表面形成多个孔，之前还包括：

10、选取通过离子束在厚铜金属进行点阵处理的预设供电电流，以通过离子束在露出厚铜金属的位置区域进行点阵处理，形成包含多孔的厚铜金属，其中孔间距为0.5微米。

11、进一步的，根据预设打孔深度，通过离子束在所述厚铜金属进行点阵处理，在厚铜金属表面形成多个孔之前，还包括：

12、将通过离子束在厚铜金属进行点阵处理的区域与厚铜金属的位置区域进行对齐处理。

13、进一步的，去除厚铜金属表面的第一氧化层，露出厚铜金属，包括：

14、通过xef2去掉厚铜金属表面的第一氧化层，露出厚铜金属，其中，待去除的厚铜金属的区域在待去除的第一氧化层的去除区域之内。

15、进一步的，去除厚铜金属侧面的第二氧化层，露出厚铜金属，包括：

16、通过xef2去掉小于厚铜金属厚度1微米的第二氧化层，露出厚铜金属。

17、进一步的，去除厚铜金属包括：

18、通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除厚铜金属。

19、进一步的，去除厚铜金属包括：

20、至少一次通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除包含多个孔的厚铜金属；

21、通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除剩余厚铜金属。

22、进一步的，至少一次通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除包含多个孔的厚铜金属包括：

23、第一次通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除包含多个孔的厚铜金属之后，若还存在残留的包含多个孔的厚铜金属，通过增加辅助气体和离子束的单位面积释放密度，以通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除残留的包含多个孔的厚铜金属。

24、进一步的，至少一次通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除包含多个孔的厚铜金属包括：

25、第一次通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除包含多个孔的厚铜金属之后，若还存在残留的包含多个孔的厚铜金属，通过增加辅助气体和离子束的单位面积释放，以通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除残留的包含多个孔的厚铜金属，其中，增加辅助气体和离子束的单位面积释放的时间大于等于30分钟。

26、本发明实施例提供了一种芯片厚铜金属的去除方法，通过去除厚铜金属表面的第一氧化层，露出厚铜金属；进而去除厚铜金属侧面的第二氧化层，露出厚铜金属，其中，第二氧化层和厚铜金属位于同层；并在厚铜金属表面形成多个孔，孔的深度小于厚铜金属的厚度；最后去除厚铜金属，能够增加辅助气体和离子束刻蚀反应的接触面积，减小了辅助气体和离子束刻蚀反应的时间，极大的节省了去除厚铜金属的操作时间；且相比较直接去除厚铜金属而言，通过在厚铜金属表面形成多个孔，使得能够平整的去除集成电路中的厚铜金属，提高了处理铜工艺芯片的成功率。

27、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种芯片厚铜金属的去除方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片厚铜金属的去除方法，其特征在于，在所述厚铜金属表面形成多个孔，包括：

3.根据权利要求2所述的芯片厚铜金属的去除方法，其特征在于，根据预设打孔深度，通过离子束在所述厚铜金属进行点阵处理，在所述厚铜金属表面形成多个孔，之前还包括：

4.根据权利要求2所述的厚铜金属的去除方法，其特征在于，根据预设打孔深度，通过离子束在所述厚铜金属进行点阵处理，在所述厚铜金属表面形成多个孔之前，还包括：

5.根据权利要求1所述的厚铜金属的去除方法，其特征在于，所述去除厚铜金属表面的第一氧化层，露出所述厚铜金属，包括：

6.根据权利要求1所述的厚铜金属的去除方法，其特征在于，去除所述厚铜金属侧面的第二氧化层，露出所述厚铜金属，包括：

7.根据权利要求1所述的厚铜金属的去除方法，其特征在于，去除所述厚铜金属包括：

8.根据权利要求1所述的厚铜金属的去除方法，其特征在于，去除所述厚铜金属包括：

9.根据权利要求8所述的厚铜金属的去除方法，其特征在于，至少一次通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除包含多个孔的厚铜金属包括：

10.根据权利要求9所述的厚铜金属的去除方法，其特征在于，至少一次通过辅助气体和离子束刻蚀方法去除包含多个孔的厚铜金属包括：

技术总结本发明公开了一种芯片厚铜金属的去除方法。芯片厚铜金属的去除方法包括：去除厚铜金属表面的第一氧化层，露出厚铜金属；去除厚铜金属侧面的第二氧化层，露出厚铜金属，其中，第二氧化层和厚铜金属位于同层；在厚铜金属表面形成多个孔，孔的深度小于厚铜金属的厚度；去除厚铜金属，能够增加辅助气体和离子束刻蚀反应的接触面积，减小了辅助气体和离子束刻蚀反应的时间，极大的节省了去除厚铜金属的操作时间；且相比较直接去除厚铜金属而言，通过在厚铜金属表面形成多个孔，使得能够平整的去除集成电路中的厚铜金属，提高了处理铜工艺芯片的成功率。技术研发人员：余夕霞,王东方受保护的技术使用者：上海聚跃检测技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1