一种射频前端低噪声放大器保护装置

本发明属于电子信息，尤其涉及一种射频前端低噪声放大器保护装置。

背景技术：

1、低噪声放大器在射频前端中用于对外部输入的微小射频信号进行低噪声放大。当外部输入信号功率过大时，低噪声放大器会发生损坏，导致系统无法正常工作。现有技术中通常采用限幅器进行保护，但限幅器自身存在插入损耗，根据噪声系数级联公式，在低噪声放大器前级串接限幅器，会导致链路整体噪声系数增大；且限幅器为非线性元件，在输入功率较大时，限幅器会产生谐波且功率较大，有可能损伤后级放大器。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提供了一种射频前端低噪声放大器保护装置。所述方法在低噪声放大器的电源输入处增加限流保护电路，通过检测输入放大器的电流实现对低噪声放大器的保护，当检测到输入低噪声放大器的电流超过设定值时，限流保护电路会将低噪声放大器同电源断开，实现对低噪声放大器的保护。

2、为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

3、一种射频前端低噪声放大器保护装置，所述保护装置包括依次电连接的低噪声放大器、限流保护电路、电源；其中，

4、所述限流保护电路包括场效应管、采样电阻、电流采样电路和电压比较电路；

5、所述采样电阻一端连接低噪声放大器的供电端，另一端连接场效应管的漏极端，所述电流采样电路并联在采样电阻两端，电流采样电路的输出端与电压比较电路的输入端相连，电压比较电路的输出连接场效应管的栅极端，场效应管源极端连接所述电源。

6、进一步的，所述场效应管为增强型p沟道mos管，所述采样电阻为4触点分流电阻。

7、进一步的，所述电流采样电路包括运算放大器u1以及电阻r1、r2、r3、r4，其中，电阻r1、r2的一端并联后，接入运算放大器u1的同相输入端，电阻r3、r4的一端并联后，接入运算放大器u1的反相输入端，电阻r1、r3的另一端分别连接采样电阻两端，电阻r2的另一端接地，电阻r4的另一端连接运算放大器u1输出端，运算放大器u1的输出电压为第一输出电压。

8、进一步的，所述电压比较电路包括高速比较器u3、并联稳压器u2、电位器r6、电阻r5，其中，高速比较器u3的反相端连接第一输出电压，并输出第二输出电压，高速比较器u3的同相端串联电阻r5后连接至电源，且高速比较器u3的同相端同时并联电位器r6、并联稳压器u2的阴极端和参考端，电位器r6的另一端接地。

9、本发明的有益效果在于：

10、本发明系统整体噪声系数小，低噪声放大器前端无损耗元件；不存在限幅器谐波功率过高损坏后级低噪声放大器的问题；保护速度快，相较于限幅器的限幅速度，限流保护电路动作时间更短；电路简单，成本低，尺寸小，功耗低，可靠性高。

技术特征：

1.一种射频前端低噪声放大器保护装置，其特征在于，所述保护装置包括依次电连接的低噪声放大器、限流保护电路、电源；其中，

2.根据权利要求1所述的一种射频前端低噪声放大器保护装置，其特征在于，所述场效应管为增强型p沟道mos管，所述采样电阻为4触点分流电阻。

3.根据权利要求2所述的一种射频前端低噪声放大器保护装置，其特征在于，所述电流采样电路包括运算放大器u1以及电阻r1、r2、r3、r4，其中，电阻r1、r2的一端并联后，接入运算放大器u1的同相输入端，电阻r3、r4的一端并联后，接入运算放大器u1的反相输入端，电阻r1、r3的另一端分别连接采样电阻两端，电阻r2的另一端接地，电阻r4的另一端连接运算放大器u1输出端，运算放大器u1的输出电压为第一输出电压。

4.根据权利要求3所述的一种射频前端低噪声放大器保护装置，其特征在于，所述电压比较电路包括高速比较器u3、并联稳压器u2、电位器r6、电阻r5，其中，高速比较器u3的反相端连接第一输出电压，并输出第二输出电压，高速比较器u3的同相端串联电阻r5后连接至电源，且高速比较器u3的同相端同时并联电位器r6、并联稳压器u2的阴极端和参考端，电位器r6的另一端接地。

技术总结本发明公开了一种射频前端低噪声放大器保护装置，属于电子信息技术领域。所述装置包括依次电连接的低噪声放大器、限流保护电路、电源；其中，所述限流保护电路包括场效应管、采样电阻、电流采样电路和电压比较电路；所述采样电阻一端连接低噪声放大器的供电端，另一端连接场效应管的漏极端，所述电流采样电路并联在采样电阻两端，电流采样电路的输出端与电压比较电路的输入端相连，电压比较电路的输出连接场效应管的栅极端，场效应管源极端连接所述电源。所述方法使得整体噪声系数小，电路简单，成本低，尺寸小，功耗低，可靠性高，限流保护电路动作时间更短。技术研发人员：魏曦东,李世强,侯杰,肖灯军,张衡受保护的技术使用者：中国科学院空天信息创新研究院技术研发日：技术公布日：2024/8/27