一种双面太阳能电池、电池组件及光伏系统的制作方法

本发明涉及太阳能电池，具体涉及一种双面太阳能电池、电池组件及光伏系统。

背景技术：

1、太阳能电池利用半导体的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能，太阳能电池主要包括双面太阳能电池和背接触太阳能电池。其中，双面太阳能电池通常在硅片的正面形成正面发射极区，在背面形成背面发射极区，随后通过设置钝化膜层以及电极来形成双面可受光的太阳能电池片。

2、现有技术中，双面太阳能电池的硅基底正面设置第一掺杂多晶硅层，双面太阳能电池的硅基底背面设置第二掺杂多晶硅层，且第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层中一者的掺杂极性为p型，另一者为n型；双面太阳能电池的正面电极与第一掺杂多晶硅层接触，双面太阳能电池的背面电极与第二掺杂多晶硅层接触；为了便于加工，通常没有考虑第一掺杂多晶硅层与第二掺杂多晶硅层的晶粒尺寸关系，会使得p型的掺杂多晶硅层的方阻较大，从而影响电池效率。

技术实现思路

1、本发明提供一种双面太阳能电池，旨在解决现有技术的双面太阳能电池存在p型掺杂多晶硅层方阻较大而影响电池效率的问题。

2、本发明是这样实现的，提供一种双面太阳能电池，包括：

3、硅基底，所述硅基底具有第一表面、及与所述第一表面相对的第二表面；

4、p型掺杂多晶硅层，设于所述硅基底的所述第一表面；

5、n型掺杂多晶硅层，设于所述硅基底的所述第二表面；

6、第一电极，所述第一电极与p型掺杂多晶硅层接触；

7、第二电极，所述第二电极与所述n型掺杂多晶硅层接触；

8、其中，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸大于所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸。

9、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～4，且不等于1。

10、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～2，且不等于1。

11、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸为50～600nm，所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸为10～400nm。

12、优选的，还包括：

13、设置在所述p型掺杂多晶硅层和所述第一表面之间的第一介电层；

14、设置在所述n型掺杂多晶硅层和所述第二表面之间的第二介电层。

15、优选的，所述第一表面具有若干依次交替设置的第一区域和第二区域，所述第二表面具有若干依次交替设置的第三区域和第四区域；所述p型掺杂多晶硅层设置在所述第一区域上且未覆盖所述第二区域；所述n型掺杂多晶硅层设置在所述第三区域上且未覆盖所述第四区域。

16、优选的，所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于8％。

17、优选的，所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于30％且小于100％。

18、优选的，所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。

19、优选的，所述第一介电层和所述第二介电层均为多孔介电层，所述第一介电层中的孔洞的尺寸大于所述第二介电层中的孔洞的尺寸。

20、优选的，所述第一介电层和所述第二介电层均为多孔介电层，所述第一介电层中单位面积的孔洞数量大于所述第二介电层中单位面积的孔洞数量。

21、优选的，所有所述第三区域的面积之和大于所有所述第一区域的面积之和。

22、优选的，所述第一表面上设有第一钝化膜层，所述第一电极穿过所述第一钝化膜层与所述p型掺杂多晶硅层接触。

23、优选的，所述第二表面上设有第二钝化膜层，所述第二电极穿过所述第二钝化膜层与所述n型掺杂多晶硅层接触。

24、本发明还提供一种电池组件，包括上述的双面太阳能电池。

25、本发明还提供一种光伏系统，包括上述的电池组件。

26、本发明提供的一种双面太阳能电池通过将p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸设置成大于n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸，相比n型掺杂多晶硅层平均晶粒尺寸，增大p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸，单位面积的p型掺杂多晶硅层中具有更少的晶界，减小p型掺杂多晶硅层的方阻，减小电流损失，从而提高电池效率；而且，由于增大p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸，减少了p型掺杂多晶硅层的晶界，可以提高p型掺杂多晶硅层的致密程度，可以减小金属化过程中对p型掺杂多晶硅层的金属化损伤，同样利于提高电池效率。

技术特征：

1.一种双面太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～4，且不等于1。

3.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1～2，且不等于1。

4.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸为50～600nm，所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸为10～400nm。

5.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一表面具有若干依次交替设置的第一区域和第二区域，所述第二表面具有若干依次交替设置的第三区域和第四区域；所述p型掺杂多晶硅层设置在所述第一区域上且未覆盖所述第二区域；所述n型掺杂多晶硅层设置在所述第三区域上且未覆盖所述第四区域。

7.根据权利要求6所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于8％。

8.根据权利要求6所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于30％且小于100％。

9.根据权利要求5所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。

10.根据权利要求5所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层均为多孔介电层，所述第一介电层中的孔洞的尺寸大于所述第二介电层中的孔洞的尺寸。

11.根据权利要求5所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层均为多孔介电层，所述第一介电层中单位面积的孔洞数量大于所述第二介电层中单位面积的孔洞数量。

12.根据权利要求6所述的双面太阳能电池，其特征在于，所有所述第三区域的面积之和大于所有所述第一区域的面积之和。

13.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一表面上设有第一钝化膜层，所述第一电极穿过所述第一钝化膜层与所述p型掺杂多晶硅层接触。

14.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第二表面上设有第二钝化膜层，所述第二电极穿过所述第二钝化膜层与所述n型掺杂多晶硅层接触。

15.一种电池组件，其特征在于，包括如权利要求1～14任意一项所述的双面太阳能电池。

16.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求15所述的电池组件。

技术总结本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种双面太阳能电池、电池组件及光伏系统，双面太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有第一表面、及与第一表面相对的第二表面；P型掺杂多晶硅层，设于硅基底的第一表面；N型掺杂多晶硅层，设于硅基底的第二表面；第一电极，第一电极与P型掺杂多晶硅层接触；第二电极，第二电极与N型掺杂多晶硅层接触；其中，P型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸大于N型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸。本发明提供的双面太阳能电池的P型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸相比N型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸更大，可以减小P型掺杂多晶硅层的方阻，减小电流损失，从而提高电池效率。技术研发人员：王永谦,陈刚受保护的技术使用者：浙江爱旭太阳能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/27