阵列基板及其制造方法、液晶面板与流程

本技术涉及显示，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶面板。

背景技术：

1、随着科技的进步，越来越多的产品或部件均配备有液晶面板。例如，显示设备中配备的液晶面板可以为液晶显示面板。又例如，手写设备中配备的液晶面板可以为液晶手写板。

2、其中，液晶面板通常包括：阵列基板和盖板，以及位于二者之间的液晶层。这里，阵列基板可以包括：衬底，以及位于衬底一侧的多个膜层结构，多个膜层结构中的至少部分膜层结构属于金属膜层，例如，包含有栅线的膜层结构，以及包含有数据线的膜层结构均属于金属膜层。

3、然而，在阵列基板的制备过程中会产生大量的静电，而这些静电都会存储在阵列基板中的金属膜层内。金属膜层内的静电在积累到一定程度后，很容易产生静电释放(英文：electro-static discharge，简称：esd)现象，进而击穿位于两个金属膜层之间的绝缘层，导致阵列基板会出现短路的不良现象。如此，会严重影响阵列基板的良品率。

技术实现思路

1、本技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、液晶面板。可以解决现有技术的阵列基板的良品率较低的问题，所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板具有显示区，以及位于所述显示区外围的非显示区，所述阵列基板包括：

3、衬底；

4、位于所述显示区内的像素电极；

5、至少部分位于所述显示区内的辅助信号线，所述辅助信号线在所述衬底上的正投影与所述像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域；

6、位于所述非显示区内的信号转接线，所述信号转接线环绕所述显示区分布且与所述辅助信号线电连接，所述信号转接线包括：异层设置的第一子信号线和第二子信号线；

7、以及，用于连接所述第一子信号线和所述第二子信号线的第一转接电极，所述第一子信号线和所述第二子信号线中的至少一者与所述第一转接电极异层设置。

8、可选的，所述信号转接线包括：相对设置的两条所述第一子信号线，以及相对设置的两条所述第二子信号线，所述第一子信号线的端部与所述第二子信号线的端部通过所述第一转接电极电连接。

9、可选的，所述第一子信号线的延伸方向与所述辅助信号线的延伸方向相交，所述第二子信号线的延伸方向与所述辅助信号线的延伸方向平行，且所述第二子信号线与所述辅助信号线同层设置且材料相同。

10、可选的，所述阵列基板还包括：栅线和数据线，所述数据线的延伸方向与所述第一子信号线的延伸方向平行，所述栅线的延伸方向与所述第二子信号线的延伸方向平行；

11、其中，所述数据线与所述第一子信号线同层设置且材料相同，所述栅线与所述第二子信号线同层设置且材料相同。

12、可选的，所述第一子信号线和所述第二子信号线中的至少一者包括：阵列排布的多个子线段，在所述多个子线段的排布方向上，两个相邻的所述子线段之间分布有目标信号线中位于非显示区内的部分，所述目标信号线为所述栅线或所述数据线，且所述目标信号线的延伸方向与所述多个子线段的排布方向相交；

13、所述阵列基板还包括：用于连接两个相邻的所述子线段的第二转接电极。

14、可选的，所述子线段在所述衬底上的正投影与所述目标信号线在所述衬底上的正投影不重合。

15、可选的，所述第二转接电极和所述第一转接电极同层设置且材料相同。

16、可选的，所述第一子信号线具有缺口，所述阵列基板还包括：与所述辅助信号线电连接的搭接电极，所述搭接电极与所述辅助信号线同层设置且材料相同，且所述搭接电极在所述衬底上的正投影位于所述缺口在所述衬底上的正投影内，

17、所述阵列基板还包括：用于连接所述第一子信号线和所述搭接电极的第三转接电极。

18、可选的，所述第三转接电极与所述第一转接电极同层设置且材料相同。

19、可选的，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的第一极与所述像素电极电连接，所述薄膜晶体管的有源层与所述像素电极同层设置但材料不同。

20、可选的，所述阵列基板还包括：位于所述像素电极背离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层中位于所述显示区内的部分覆盖所述像素电极和所述薄膜晶体管，所述钝化层中位于所述非显示区内的部分具有第一过孔和第二过孔；

21、其中，所述第一过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一子信号线在所述衬底上的正投影内，所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二子信号线在所述衬底上的正投影内；所述第一转接电极位于所述钝化层背离所述衬底的一侧，所述第一转接电极通过所述第一过孔与所述第一子信号线搭接，且通过所述第二过孔与所述第二子信号线搭接。

22、可选的，所述阵列基板还包括：位于所述第一转接电极背离所述衬底一侧的保护层，所述保护层覆盖所述第一转接电极。

23、可选的，所述阵列基板还包括：与所述保护层同层设置且材料相同的多个支撑柱，且所述多个支撑柱均位于所述显示区内，所述保护层位于所述非显示区内。

24、可选的，所述阵列基板还包括：位于所述薄膜晶体管的栅极和有源层之间的栅极绝缘层，所述栅极位于所述栅极绝缘层的靠近所述衬底的一侧，所述有源层和所述像素电极均位于所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧。

25、另一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

26、在衬底上形成像素电极、辅助信号线、信号转接线和第一转接电极；

27、其中，所述阵列基板具有显示区，以及位于所述显示区外围的非显示区，所述像素电极位于所述显示区内，所述辅助信号线中的至少部分位于所述显示区内，所述辅助信号线在所述衬底上的正投影与所述像素电极在所述衬底上的正投影存在交叠区域；

28、所述信号转接线位于所述非显示区内，所述信号转接线环绕所述显示区分布且与所述辅助信号线电连接，所述信号转接线包括：异层设置的第一子信号线和第二子信号线；

29、所述第一转接电极用于连接所述第一子信号线和所述第二子信号线，且所述第一子信号线和所述第二子信号线中的至少一者与所述第一转接电极异层设置。

30、又一方面提供了一种液晶面板，包括：相对设置的阵列基板和盖板，以及位于所述阵列基板和所述盖板之间的液晶层，所述阵列基板为上述的阵列基板。

31、可选的，所述液晶面板为液晶手写板，所述液晶层包括双稳态液晶分子；

32、所述盖板包括：柔性衬底，以及位于所述柔性衬底一侧的公共电极层。

33、本技术实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

34、一种阵列基板包括：衬底，以及位于衬底一侧的像素电极、辅助信号线、信号转接线和第一转接电极。辅助信号线可以包含异层设置设置的第一子信号线和第二子信号线，且第一子信号线和第二子信号线可以通过第一转接电极电连接。如此，可以保证包含第一子信号线的金属膜层中连接在一起的导电部分不会包含第二子信号线，使得这个金属膜层中连接在一起的导电部分在衬底上的正投影的面积较小。同样的，也可以保证包含第二子信号线的金属膜层中连接在一起的导电部分不会包含第一子信号线，使得这个金属层中连接在一起的导电部分在衬底上的正投影的面积也较小。为此，在阵列基板的制备过程中产生的静电，不易存储在各个金属膜层中连接在一起的导电部分内，使得阵列基板产生esd现象的概率较低，进而可以有效的提高阵列基板的良品率。