埚托、坩埚装置和单晶炉的制作方法

本申请涉及晶体生长，尤其是一种埚托、坩埚装置和单晶炉。

背景技术：

1、随着光伏行业的快速发展，给人们的生活带来了诸多便利；但是目前的产能远远不能满足工业、生活的需求，因此，为了追求高产能，单晶炉的材料越做越大，在单晶的制备过程中，也存在着许多风险。

2、目前，单晶硅制造业正逐步朝着大尺寸、大装料量以及多次加料方向发展，随着装料量的增加，单晶炉在晶体生长过程中的危险系数也不断提高，特别是由于硅料泄露所导致的危险往往会造成严重损失。

3、因此，亟需一种能够处理泄露的硅料的装置。

技术实现思路

1、本申请提供一种埚托、坩埚装置和单晶炉，能够收集泄露的硅料，降低生产过程中的物料损失。

2、为了实现上述目的，本申请采用以下技术方案：

3、本申请提供一种埚托，包括：

4、壳体，所述壳体具有回转腔，所述壳体的顶壁具有多个凹槽，所述凹槽连通所述壳体的内外两侧；

5、多个所述凹槽形成多个槽组，多个所述槽组绕所述回转腔的轴线依次间隔设置；每个所述槽组具有至少一个所述凹槽。

6、作为一种可能的实施方式，所述槽组具有多个所述凹槽，多个所述凹槽沿所述顶壁的延伸方向依次间隔设置。

7、作为一种可能的实施方式，相邻的两个所述槽组的所述凹槽在同一回转面内。

8、作为一种可能的实施方式，相邻的两个所述槽组的所述凹槽沿所述顶壁的延伸方向相互错位。

9、作为一种可能的实施方式，相邻的两个所述槽组的所述凹槽具有重叠部分；和/或，

10、相邻的两个所述凹槽相对的端部平齐。

11、作为一种可能的实施方式，所述壳体包括壳盖和本体，所述本体的一侧开口，所述壳盖通过所述开口盖设于所述本体，形成所述回转腔；

12、所述壳盖形成所述顶壁。

13、作为一种可能的实施方式，所述壳盖相对所述本体凹陷设置；所述凹槽为弧形槽。

14、作为一种可能的实施方式，所述本体具有连接孔，所述连接孔位于所述本体背离所述壳盖的一端，所述连接孔为盲孔。

15、本申请提供埚托，壳体的顶壁用于支撑坩埚。壳体的顶壁具有多个槽组，每个槽组具有至少一个连通壳体内外的凹槽。如此，在实际使用的过程中，从坩埚中泄露的物料沿着坩埚的外壁面，流动至壳体的顶壁，并从壳体的顶壁的凹槽进入壳体的回转腔中，实现了对泄露的物料的收集，收集后的物料可继续使用，减少了生产过程中的物料损失，降低生产成本。另外，还能减少泄露的物料影响生产设备的运行，提高生产设备的稳定性和安全性，提高生产效率。

16、第二方面，本申请提供一种坩埚装置，包括坩埚和第一方面所述的埚托，所述坩埚设置于所述埚托的顶部。

17、本申请提供的坩埚装置，由于包括了前述任一实施方式中的坩埚，能够收集泄露的物料，以减少物料的损失，降低物料成本，提高生产设备的稳定性和安全性。

18、第三方面，本申请提供一种单晶炉，包括支撑杆和第二方面所述的坩埚装置，所述坩埚装置连接于所述支撑杆的端部。

19、本申请提供的单晶炉，由于包括了上述坩埚装置，能够减少物料的损失，降低物料成本。

技术特征：

1.一种埚托，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的埚托，其特征在于，所述槽组具有多个所述凹槽，多个所述凹槽沿所述顶壁的延伸方向依次间隔设置。

3.根据权利要求2所述的埚托，其特征在于，相邻的两个所述槽组的所述凹槽在同一回转面内。

4.根据权利要求2所述的埚托，其特征在于，相邻的两个所述槽组的所述凹槽沿所述顶壁的延伸方向相互错位。

5.根据权利要求4所述的埚托，其特征在于，相邻的两个所述槽组的所述凹槽具有重叠部分；和/或，

6.根据权利要求1-5任一项所述的埚托，其特征在于，所述壳体包括壳盖和本体，所述本体的一侧开口，所述壳盖通过所述开口盖设于所述本体，形成所述回转腔；

7.根据权利要求6所述的埚托，其特征在于，所述壳盖相对所述本体凹陷设置；所述凹槽为弧形槽。

8.根据权利要求6所述的埚托，其特征在于，所述本体具有连接孔，所述连接孔位于所述本体背离所述壳盖的一端，所述连接孔为盲孔。

9.一种坩埚装置，其特征在于，包括坩埚和权利要求1-8任一项所述的埚托，所述坩埚设置于所述埚托的顶部。

10.一种单晶炉，其特征在于，包括支撑杆和权利要求9所述的坩埚装置，所述坩埚装置连接于所述支撑杆的端部。

技术总结本申请涉及晶体生长技术领域，提供了一种埚托、坩埚装置和单晶炉。埚托包括壳体。壳体具有回转腔，壳体的顶壁具有多个凹槽，凹槽连通壳体的内外两侧。多个凹槽形成多个槽组，多个槽组绕回转腔的轴线间隔设置；每个槽组具有至少一个凹槽。如此，在实际使用的过程中，从坩埚中泄露的物料沿着坩埚的外壁面，流动至壳体的顶壁，并从壳体的顶壁的凹槽进入壳体的回转腔中，实现了对泄露的物料的收集，收集后的物料可继续使用，减少了生产过程中的物料损失，降低生产成本。另外，还能减少泄露的物料影响生产设备的运行，提高生产设备的稳定性和安全性，提高生产效率。技术研发人员：马勇,金霞,徐凯旋,赵国伟受保护的技术使用者：青海高景太阳能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/9