遮光膜、固体成像元件、图像显示装置、红外线传感器的制作方法

本发明有关一种遮光膜、固体成像元件、图像显示装置及红外线传感器。

背景技术：

1、液晶显示装置等图像显示装置、以及ccd(charge coupled device：电荷偶合器件)图像传感器及cmos(complementary metal-oxide semiconductor：互补式金属氧化物半导体)图像传感器等固体成像装置在规定位置配置有遮光膜的情况较多。例如，在液晶显示装置中，以遮蔽着色像素间的光来提高对比度为目的，有时在滤色器上的着色像素间配置被称为黑矩阵的遮光膜。并且，在固体成像元件中，以防止产生噪声及提高画质等为目的，有时会适用遮光膜。遮光膜的形成中通常会使用包含黑色颜料的组合物。

2、例如，在专利文献1的揭示内容的主旨为使用包含2种sp值不同的分散剂的颜料分散组合物，通过基于上述2种分散剂的相分离作用，能够形成表面具有凹凸结构且黑色颜料均匀地分散在膜中的遮光膜。

3、以往技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2016/129342号

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、本发明人等对专利文献1中记载的遮光膜进行研究的结果，发现存在进一步改善红外光的反射性的余地。

3、因此，本发明的课题在于提供一种遮光性优异且红外光的反射率低的遮光膜。

4、并且，本发明的课题也在于提供一种具备上述遮光膜的固体成像元件、图像显示装置及红外线传感器。

5、用于解决技术课题的手段

6、本发明人等为了解决上述课题而深入研究的结果，发现能够通过以下构成解决上述课题。

7、〔1〕一种遮光膜，其包含黑色颜料，

8、上述遮光膜具有由包含上述黑色颜料的第1相及实质上不包含上述黑色颜料的第2相构成的相分离结构，

9、观察上述遮光膜的与表面正交的截面的1×1μm2的范围时，上述第1相与上述第2相的边界线的合计长度为2.50～15.00μm。

10、〔2〕如〔1〕所述的遮光膜，其表面粗糙度ra为

11、v3〕如〔1〕所述的遮光膜，其是使用包含黑色颜料、树脂及聚合性化合物的组合物形成的。

12、v4〕如〔1〕至v3〕中任一项所述的遮光膜，其中，

13、上述合计长度为2.50～7.00μm。

14、〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一项所述的遮光膜，其中，

15、上述第1相包含酸值为40～100mgkoh/g的第1树脂。

16、上述第2相包含酸值为40～90mgkoh/g的第2树脂。

17、〔6〕如〔5〕所述的遮光膜，其中，

18、上述第1树脂的重均分子量为20，000～40，000，

19、上述第2树脂的重均分子量为15，000～40，000。

20、〔7〕如〔5〕或〔6〕中任一项所述的遮光膜，其中，

21、上述第1树脂的玻璃化转变温度为-10～60℃，

22、上述第2树脂的玻璃化转变温度为0～70℃。

23、〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一项所述的遮光膜，其中，

24、上述黑色颜料包含选自金属氮化物粒子及金属氮氧化物粒子中的粒子。

25、〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一项所述的遮光膜，其为图案状。

26、〔10〕一种固体成像元件，其包含〔1〕至〔9〕中任一项所述的遮光膜。

27、〔11〕一种图像显示装置，其包含〔1〕至〔9〕中任一项所述的遮光膜。

28、〔12〕一种红外传感器，其包含〔1〕至〔9〕中任一项所述的遮光膜。

29、发明效果

30、根据本发明，能够提供一种遮光性优异且红外光的反射率低的遮光膜。

31、并且，根据本发明，能够提供一种具备上述遮光膜的固体成像元件、图像显示装置及红外线传感器。

技术特征：

1.一种遮光膜，其包含黑色颜料，

2.根据权利要求1所述的遮光膜，其表面粗糙度ra为

3.根据权利要求1所述的遮光膜，其是使用包含黑色颜料、树脂及聚合性化合物的组合物形成的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的遮光膜，其中，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的遮光膜，其中，

6.根据权利要求5所述的遮光膜，其中，

7.根据权利要求5所述的遮光膜，其中，

8.根据权利要求1至3中任一项所述的遮光膜，其中，

9.根据权利要求1至3中任一项所述的遮光膜，其为图案状。

10.一种固体成像元件，其包含权利要求1至3中任一项所述的遮光膜。

11.一种图像显示装置，其包含权利要求1至3中任一项所述的遮光膜。

12.一种红外传感器，其包含权利要求1至3中任一项所述的遮光膜。

技术总结本发明的第1课题在于提供一种遮光性优异且红外光的反射率低的遮光膜。本发明的第2课题在于提供一种具备上述遮光膜的固体成像元件、图像显示装置及红外线传感器。本发明的遮光膜为包含黑色颜料的遮光膜，上述遮光膜具有由包含上述黑色颜料的第1相及实质上不包含上述黑色颜料的第2相构成的相分离结构，观察上述遮光膜的与表面正交的截面的1×1μm2的范围时，上述第1相与上述第2相的边界线的合计长度为2.50～15.00μm。技术研发人员：阿部铁平,出井宏明,田口贵规,横山宪文受保护的技术使用者：富士胶片株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12