互连结构及其形成方法与流程

本发明涉及半导体器件制造，具体涉及一种互连结构及其形成方法。

背景技术：

1、随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸以及元器件之间的间距不断缩小，集成电路内部的电路密度越来越大，这些具有更小尺寸和更大密度的器件为制程工艺创造了新的挑战。

2、为了满足关键尺寸缩小过后的互连线所需，目前导电结构(如不同层间的金属线)之间通过后段工艺(back end of the line，beol)互连结构实现相互之间的导电互连，后段工艺互连结构连接各种元器件(例如晶体管和电容器等等)以形成功能电路。在制造过程中，需按设计需要在导电结构上形成连接及切口结构以创造器件所需的连通性。

3、然而，随着技术节点的推进，同层中导电互连结构之间的间距不断减小，在相邻互连结构(如不同金属层之间的通孔)之间的导电结构上形成适宜尺寸切口结构的工艺难度也越来越大。

4、因此，需要设计一种互连结构及其形成方法，以解决上述问题。

技术实现思路

1、鉴于以上现有技术的缺点，本发明提供了一种互连结构及其形成方法，以用于改善现有工艺在第一导电结构和第二导电结构上部形成导电结构时难以在互连结构之间置入小尺寸切口的技术问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种互连结构的形成方法，该形成方法包括：

3、提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的介质层、及位于所述介质层内的第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构和所述第二导电结构绝缘隔离；

4、在所述第一导电结构和所述第二导电结构上方的所述介质层上形成第一凹槽；

5、在所述第一凹槽底部形成第一通孔和第二通孔，使得所述第一导电结构的顶部被所述第一通孔暴露以及所述第二导电结构的顶部被所述第二通孔暴露；

6、在所述第一凹槽内形成绝缘隔离体，以将所述第一通孔和所述第二通孔绝缘隔离；

7、在所述绝缘隔离体两侧的所述第一通孔、第二通孔和第一凹槽内形成当层导电结构，位于所述绝缘隔离体两侧的所述当层导电结构被所述绝缘隔离体绝缘隔离，且分别与所述第一导电结构和所述第二导电结构导电互连。

8、本发明还提供一种互连结构，该互连结构包括基底、第一通孔、第二通孔、绝缘隔离体和当层导电结构；

9、其中，基底包括衬底、位于衬底上的介质层、及位于所述介质层内的第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构和所述第二导电结构绝缘隔离；第一通孔设置在所述介质层中，并位于所述第一导电结构上方；第二通孔设置在所述介质层中，并位于所述第二导电结构上方；绝缘隔离体设置在所述第一通孔和所述第二通孔的上方，所述绝缘隔离体位于所述第一通孔和所述第二通孔之间；当层导电结构设在所述介质层中，并位于所述第一导电结构和所述第二导电结构的上方，所述当层导电结构通过所述第一通孔与所述第一导电结构导电互连，并通过所述第二通孔与所述第二导电结构导电互连；位于所述绝缘隔离体两侧的所述当层导电结构被所述绝缘隔离体绝缘隔离，且分别与所述第一导电结构和所述第二导电结构导电互连。

10、本发明提供了一种互连结构及其形成方法，能够在形成当层导电结构时，先在当层导电结构与第一导电结构和第二导电结构的互连结构之间置入小尺寸绝缘隔离体，以绝缘隔离体作为切口结构来绝缘隔离两侧的当层导电结构，从而在当层工艺中实现切割当层导电结构。

11、综上，上述互连结构及其形成方法，能够在当层工艺形成导电结构时于相邻互连结构之间的置入小尺寸切口，从而有效简化了制作工艺，缩小了导电结构上的切口尺寸，并为进一步缩小器件尺寸提供了工艺基础。

技术特征：

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述介质层包括第一介电层、第一阻挡层和第二介电层；所述基底的形成过程包括：

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽内形成绝缘隔离体，包括：

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘隔离体两侧的所述第一通孔、第二通孔和第一凹槽内形成当层导电结构，包括：

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽内形成当层导电结构，还包括：

6.一种互连结构，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的互连结构，其特征在于，所述绝缘隔离体的宽度低于所述第一通孔和所述第二通孔之间的最短间距。

8.根据权利要求6所述的互连结构，其特征在于，所述绝缘隔离体包括由下至上依次设置的第一绝缘层和第二绝缘层。

9.根据权利要求6所述的互连结构，其特征在于，所述当层导电结构包括由下至上依次设置的扩散阻挡层、种子层和金属层。

10.根据权利要求6所述的互连结构，其特征在于，所述介质层包括第一介电层、第一阻挡层和第二介电层，所述第一介电层中设置有所述第一导电结构和所述第二导电结构；所述第一阻挡层设置在所述第一介电层上；所述第二介电层设置在所述第一介电层上；所述第二介电层上具有第一凹槽，所述第一凹槽底部设置有所述第一通孔和所述第二通孔；所述当层导电结构填充所述第一通孔、第二通孔和第一凹槽；所述绝缘隔离体设置在所述第一凹槽内，并将两侧的所述当层导电结构绝缘隔离。

技术总结本发明提供一种互连结构及其形成方法，属于半导体器件制造技术领域。互连结构的形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、介质层和位于介质层内的第一导电结构和第二导电结构；在第一导电结构和第二导电结构上方的介质层上形成第一凹槽；在第一凹槽底部形成第一通孔和第二通孔，并对应使得第一导电结构和第二导电结构的顶部被暴露；在第一凹槽内形成绝缘隔离体；在绝缘隔离体两侧形成当层导电结构，以使绝缘隔离体两侧的当层导电结构被绝缘隔离体绝缘隔离，且分别与第一导电结构和第二导电结构导电互连。本发明能够用于改善现有工艺在第一导电结构和第二导电结构上部形成导电结构时难以在互连结构之间置入小尺寸切口的技术问题。技术研发人员：高理想,孙茂,张宏光受保护的技术使用者：杭州积海半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12