光学邻近修正方法、光学邻近修正系统及光罩的制作方法与流程

本公开涉及集成电路，特别是涉及一种光学邻近修正方法、光学邻近修正系统及光罩的制作方法。

背景技术：

1、在半导体制造过程中，为将集成电路的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为光罩图案，再将光罩图案从光罩表面转移至半导体芯片。然而随着集成电路关键尺寸的缩小，以及受到光刻成像系统分辨率极限的影响，便很容易产生光学邻近效应，使得最终产品的光罩和设计的光罩图案发生严重畸变。

2、为了修正光学邻近效应的问题，业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(optical proximity correction，简称opc)。然而，目前对于阶梯图形的opc很难既避免出现设计规则检查(design rule check，简称drc)与掩膜规则检查(mask rule check，简称mrc)的限制问题，又不需要重新建立opc模型。

3、因此，如何有效合规且高效地实现对阶梯图形的光学邻近修正，也成为了相关技术中一个亟待解决的难题。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供了一种光学邻近修正方法、光学邻近修正系统及光罩的制作方法，可以有效合规且高效地实现对阶梯图形的的光学邻近修正。

2、为了实现上述目的，首先，本公开一些实施例提供了一种光学邻近修正方法，包括以下步骤。

3、提供光罩初始版图，光罩初始版图包括：至少一个阶梯图形；阶梯图形用于曝光形成目标图形。

4、获取阶梯图形对应的模拟曝光图形。

5、于模拟曝光图形和目标图形存在尺寸偏差时，确定模拟曝光图形中和目标图形存在尺寸偏差的图形部分为待修正图形；并根据尺寸偏差，调整待修正图形在阶梯图形中对应图形的评价点初始位置，以获得评价点修正位置。

6、根据评价点修正位置，对光罩初始版图进行修正，获得光罩版图。

7、在本公开一些实施例中，根据尺寸偏差，调整待修正图形在阶梯图形中对应图形的评价点初始位置，以获得评价点修正位置，包括以下步骤。

8、根据尺寸偏差，将待修正图形在阶梯图形中对应图形的评价点初始位置进行调整，获得评价点调整位置。

9、根据评价点调整位置，获取阶梯图形对应的验证曝光图形。

10、于验证曝光图形与目标图形相吻合时，确定评价点调整位置为评价点修正位置。

11、在本公开一些实施例中，阶梯图形的阶梯轮廓上设有多个评价点。其中，待修正图形的尺寸小于目标图形的尺寸时，将评价点初始位置向对应阶梯轮廓的外侧移动，获得评价点调整位置。待修正图形的尺寸大于目标图形的尺寸时，将评价点初始位置向对应阶梯轮廓的内侧移动，获得评价点调整位置。

12、在本公开一些实施例中，阶梯图形包括分别位于阶梯延伸方向两侧的第一阶梯轮廓和第二阶梯轮廓。第一阶梯轮廓和第二阶梯轮廓上均设有评价点。其中，待修正图形的尺寸小于目标图形的尺寸时，将第一阶梯轮廓和第二阶梯轮廓上的评价点初始位置对称移动尺寸偏差的二分之一。待修正图形的尺寸大于目标图形的尺寸时，将第一阶梯轮廓和第二阶梯轮廓上的评价点初始位置对称移动尺寸偏差的二分之一。

13、在本公开一些实施例中，第一阶梯轮廓和第二阶梯轮廓均包括顺次相连的多个台阶图形。台阶图形包括位于第一方向上的第一边界线和位于第二方向上的第二边界线，且第一边界线和第二边界线相交。其中，第一阶梯轮廓上的评价点初始位置位于对应台阶图形的拐点，第二阶梯轮廓上的评价点初始位置位于对应台阶图形的拐点；或者，第一阶梯轮廓上的评价点初始位置位于对应台阶图形的第一边界线的中点，第二阶梯轮廓上的评价点初始位置位于对应台阶图形的第一边界线的中点；或者，第一阶梯轮廓上的评价点初始位置位于对应台阶图形的第二边界线的中点，第二阶梯轮廓上的评价点初始位置位于对应台阶图形的第二边界线的中点。

14、在本公开一些实施例中，光学邻近修正方法还包括以下步骤。

15、于模拟曝光图形和目标图形相吻合时，确定阶梯图形对应实际曝光图形的工艺影响因素。

16、根据工艺影响因素，确定阶梯图形中是否存在待加固图形。

17、于阶梯图形中存在待加固图形时，调整待加固图形的评价点初始位置，以获得评价点修正位置。

18、其次，本公开实施例还提供了一种光学邻近修正系统，包括图形获取单元、图形分析处理单元以及图形修正单元。图形获取单元被配置为：获取光罩初始版图，并根据光罩初始版图获取模拟曝光图形。其中，光罩初始版图包括：至少一个阶梯图形；阶梯图形用于曝光形成目标图形。图形分析处理单元与图形获取单元相连接，被配置为：确定模拟曝光图形和目标图形是否存在尺寸偏差；以及，于模拟曝光图形和目标图形存在尺寸偏差时，确定模拟曝光图形中和目标图形存在尺寸偏差的图形部分为待修正图形，并根据尺寸偏差调整待修正图形在阶梯图形中对应图形的评价点初始位置，以获得评价点修正位置。图形修正单元与图形获取单元、图形分析单元相连接，被配置为：根据评价点修正位置，对光罩初始版图进行修正，获得光罩版图。

19、在本公开一些实施例中，图形分析处理单元包括图形比较模块、位置调整模块以及图形验证模块。图形比较模块与图形获取单元相连接，被配置为：确定模拟曝光图形和目标图形是否存在尺寸偏差。位置调整模块与图形比较模块相连接，被配置为：于模拟曝光图形和目标图形存在尺寸偏差时，根据尺寸偏差将待修正图形在阶梯图形中对应图形的评价点初始位置进行调整，获得评价点调整位置。图形验证模块与位置调整模块、图形获取单元相连接，被配置为：根据评价点调整位置获取阶梯图形对应的验证曝光图形；验证验证曝光图形与目标图形是否吻合；以及，于验证曝光图形与目标图形相吻合时，确定评价点调整位置为评价点修正位置。

20、在本公开一些实施例中，图形分析处理单元还包括图形分析模块。图形分析模块与图形获取单元、位置调整模块相连接，被配置为：于模拟曝光图形和目标图形相吻合时，获取阶梯图形对应实际曝光图形的工艺影响因素；以及，根据工艺影响因素，确定阶梯图形中是否存在待加固图形。其中，位置调整模块还被配置为：于阶梯图形中存在待加固图形时，调整待加固图形的评价点初始位置，以获得评价点修正位置。

21、再者，本公开实施例还提供了一种光罩的制作方法，包括根据前述实施例中任一项所述的光学邻近修正方法中获得的光罩版图制作光罩，以在光罩中形成光罩版图。

22、然后，本公开实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器。存储器上存储有计算机指令。计算机指令被处理器执行时实施如前述实施例中任一项所述的光学邻近修正方法。

23、最后，本公开实施例还提供了一种存储介质，其特征在于，存储介质存储有可适于处理器执行的计算机指令，且计算机指令被处理器执行时实施如前述实施例中任一项所述的光学邻近修正方法。

24、本公开实施例提供的光学邻近修正方法、光学邻近修正系统及光罩的制作方法如上。在本公开实施例中，先获取光罩初始版图中的阶梯图形的目标图形和模拟曝光图形。再将目标图形和模拟曝光图形存在尺寸偏差的图形部分确定为待修正图形。最后通过调整待修正图形在阶梯图形中对应图形的评价点初始位置，以获得评价点修正位置，以此对光罩初始版图进行修正，获得光罩版图。也即，通过调整待修正图形在阶梯图形中对应图形的评价点，即可实现对光罩初始版图的修正，最终获得光罩版图。如此，上述光学邻近修正方法既无需修改目标图形，也无需重新获取模拟曝光图形，故既避免了修改设计图形可能造成的设计规则检查(design rule check，简称drc)与掩膜规则检查(mask rule check，简称mrc)的限制问题，也节省了重新获取模拟曝光图形来建立新的opc模型所需要的时间。也即，上述光学邻近修正方法可以合规且高效地实现对阶梯图形的光学邻近修正。

25、并且，本公开实施例中，当目标图形和模拟曝光图形不存在尺寸偏差时，也即，此时光罩版图不需进行修正。但在后续自对准双重成像(self aligned double patterning，简称sadp)技术与蚀刻技术中，光罩版图受刻蚀液等条件的影响可能出现尺寸偏差，故阶梯图形中可能存在需要调整的待加固图形。如此，存在待加固图形时，通过调整评价点位置来修正光罩版图，从而提升了光罩版图的稳定性，优化了工艺窗口。