气体激光装置以及电子器件的制造方法与流程

本公开涉及气体激光装置以及电子器件的制造方法。

背景技术：

1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化及高集成化，要求分辨率的提高。因此，正在推进从曝光用光源发射的光的短波长化。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长约248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长约193nm的激光的arf准分子激光装置。

2、krf准分子激光装置及arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度宽，为350pm～400pm。因此，若由使krf以及arf激光那样的紫外线透过的材料构成投影透镜，则有时产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄频化至色差能够忽略的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具备包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module：lnm)。以下，将谱线宽度窄带化的气体激光装置称为窄频化气体激光装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开昭63-9185号公报

6、专利文献2：日本特开2003-124550号公报

技术实现思路

1、本公开的一个方式的气体激光装置可以具备：腔室，其包含长度方向沿着规定方向配置且相互隔开间隔地对置的一对放电电极，并封入有激光气体；多个电容器，它们沿着规定方向排列，一方的端子与一个放电电极电连接，另一方的端子与另一个放电电极电连接；以及第一磁开关和第二磁开关，它们与一个放电电极以及多个电容器的一方的端子电连接，并且第一磁开关和第二磁开关相互并联电连接，第二磁开关配置于在规定方向上比第一磁开关靠放电电极的中央侧的位置，第一磁开关的伏秒积小于第二磁开关的伏秒积。

2、本公开的一个方式的电子器件的制造方法可以包括如下工序：通过气体激光装置生成激光，将激光输出至曝光装置，在曝光装置内将激光曝光于感光基板上，以制造电子器件，气体激光装置具备：腔室，其包括长度方向沿着规定方向配置且相互隔开间隔地对置的一对放电电极，并封入有激光气体；多个电容器，它们沿着规定方向排列，一方的端子与一个放电电极电连接，另一方的端子与另一个放电电极电连接；以及第一磁开关和第二磁开关，它们与一个放电电极和多个电容器的一方的端子电连接，并且第一磁开关和第二磁开关相互并联电连接，第二磁开关配置于在规定方向上比第一磁开关靠放电电极的中央侧的位置，第一磁开关的伏秒积小于第二磁开关的伏秒积。

技术特征：

1.一种气体激光装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，

3.根据权利要求2所述的气体激光装置，其中，

4.根据权利要求3所述的气体激光装置，其中，

5.根据权利要求3所述的气体激光装置，其中，

6.根据权利要求3所述的气体激光装置，其中，

7.根据权利要求2所述的气体激光装置，其中，

8.根据权利要求2所述的气体激光装置，其中，

9.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，

10.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，

11.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，

12.根据权利要求11所述的气体激光装置，其中，

13.根据权利要求11所述的气体激光装置，其中，

14.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，

15.根据权利要求14所述的气体激光装置，其中，

16.根据权利要求1所述的气体激光装置，其中，

17.根据权利要求16所述的气体激光装置，其中，

18.一种电子器件的制造方法，其包括如下工序：

技术总结气体激光装置可以具备：腔室，其包含长度方向沿着规定方向配置且相互隔开间隔地对置的一对放电电极，并封入有激光气体；多个电容器，它们沿着规定方向排列，一方的端子与一个放电电极电连接，另一方的端子与另一个放电电极电连接；以及第一磁开关和第二磁开关，它们与一个放电电极和多个电容器的一方的端子电连接，并且第一磁开关和第二磁开关相互并联电连接，第二磁开关配置于在规定方向上比第一磁开关靠放电电极的中央侧的位置，第一磁开关的伏秒积小于第二磁开关的伏秒积。技术研发人员：山之内庸一,梅田博,植山健史受保护的技术使用者：极光先进雷射株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/17