一种减少发热量的单条栅单元的制作方法

本技术涉及电子器件，特别是一种减少发热量的单条栅单元。

背景技术：

1、高电子迁移率单条栅单元特别是gan材料制程的高电子迁移率单条栅单元，禁带宽度宽，击穿场强高，热传导率高和饱和漂移速度高等特点，越来越多的被运用在卫星通信、雷达及导弹等民用和军用领域。在实际使用特别是大功率应用场景中，器件的自热效应带来的晶格温度的上升，会引起单条栅单元内部的沟道电子迁移率的急剧下降，导致单条栅单元的性能衰退。

技术实现思路

1、本申请的目的在于针对现有技术的不足，本申请通过将位于栅极下方沟道区域的部分区域进行改造实现，构建惰性区域，该惰性区域始终处于高阻状态，在所述高阻状态下，源极电子无法经过所述惰性区域到达漏极(无论栅极电压如何，该惰性区域始终处于高阻状态，没有电子移动)。

2、一种单条栅单元，包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，所述沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。

3、进一步地，所述沟道区域中具有第一镂空区域，所述第一镂空区域为惰性区域。

4、进一步地，所述沟道区域中具有填充高介电常数的第一填充区域，所述第一填充区域为惰性区域。

5、进一步地，所述沟道区域中具有衬底晶格被破坏的注入区，所述注入区为惰性区域。

6、进一步地，所述惰性位于所述栅极宽度方向的中间位置。

7、本实用新型的有益效果在于：

8、栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决器件的自热效应带来的性能衰退的问题。

技术特征：

1.一种单条栅单元，包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，其特征在于，所述沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度；所述沟道区域中具有第一镂空区域，所述第一镂空区域为惰性区域。

2.根据权利要求1所述的单条栅单元，其特征在于，所述惰性位于所述栅极宽度方向的中间位置。

技术总结本技术涉及一种单条栅单元，所述单栅条包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，所述沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决器件的自热效应带来的性能衰退的问题。技术研发人员：张占龙,宋宾,丁一受保护的技术使用者：杭州致善微电子科技有限公司技术研发日：20231231技术公布日：2024/9/17