一种减少异质结电池PECVD后PL发黑误判的装置的制作方法

本技术属于电池生产配套装置，具体涉及一种减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置。

背景技术：

1、目前的硅基异质结电池已经有成熟的生产工艺，普遍生产流程为：清洗制绒-pecvd(等离子体增强化学气相沉积)镀膜-pvd镀膜-丝网印刷-测试分选-包装入库。其中pecvd镀膜，需要在硅片两面分别沉积本征非晶硅层，再在各本征非晶硅层上沉积p+非晶硅层和n+非晶硅层，在pecvd生产过程中硅片会在200℃左右的工艺条件下生产，生产完成后在下料处进行pl(光致发光，能够对硅片进行外观、隐裂、污染、暗片等进行检测)检测。刚出料的硅片本身温度较高，高温的硅片pl检测现象为整体发暗，pl容易将温度高的硅片剔除出来，造成生产良率降低。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于：提供了一种减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，解决了高温硅片影响pl检测的问题。

2、本实用新型的目的通过下述技术方案来实现：

3、一种减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，包括传送线，传送线的上方设有pl检测仪器，还包括冷却容器，冷却容器与冷量输送管连通，冷量输送管上设有与传送线相对的喷嘴。

4、进一步的，所述的传送线为皮带传送线。

5、进一步的，所述的冷却容器内设有冷却介质。

6、进一步的，所述的冷却介质为干冰。

7、进一步的，所述的冷却容器上设有装料口。

8、进一步的，所述的冷却容器的供冷口与一冷量输送管连通，若干喷嘴均布置在冷量输送管上。

9、进一步的，所述的喷嘴之间等间距布置。

10、进一步的，所述的喷嘴位于传送线的下方。

11、进一步的，所述的冷量输送管的进端处设有阀门。

12、进一步的，还包括温度传感器和送风机，温度传感器布置在喷嘴和/或传送线处，送风机布置在冷却容器或冷量输送管上。

13、本实用新型的有益效果：

14、(1)通过将冷却介质放入冷却容器中，打开阀门，通过喷嘴向硅片喷射冷量，使硅片降温，从而避免高温硅片影响pl检测，提高生产良率。

15、(2)冷却介质采用干冰，干冰的挥发速度较慢，在室温下每小时只挥发5-10％的干冰重量，因此干冰在室温下8-16小时左右才会完全挥发，且不影响生产环境氧气浓度，不存在副作用。

16、(3)另外干冰价格很便宜，一公斤2块钱，作为冷却介质经济实惠，干冰在挥发过程中，不会扬尘，不会导致粉尘附着在硅片上，不增加后道工序的不良。

17、前述本实用新型主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案，均为本实用新型可采用并要求保护的方案；并且本实用新型，(各非冲突选择)选择之间以及和其他选择之间也可以自由组合。本领域技术人员在了解本方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合，均为本实用新型所要保护的技术方案，在此不做穷举。

技术特征：

1.一种减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，包括传送线(4)，传送线(4)的上方设有pl检测仪器(3)，其特征在于：还包括冷却容器(5)，冷却容器(5)与冷量输送管(9)连通，冷量输送管(9)上设有与传送线(4)相对的喷嘴(6)。

2.根据权利要求1所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的传送线(4)为皮带传送线。

3.根据权利要求1所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的冷却容器(5)内设有冷却介质(8)。

4.根据权利要求3所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的冷却介质(8)为干冰。

5.根据权利要求3或4所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的冷却容器(5)上设有装料口。

6.根据权利要求1所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的冷却容器(5)的供冷口与一冷量输送管(9)连通，若干喷嘴(6)均布置在冷量输送管(9)上。

7.根据权利要求6所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的喷嘴(6)之间等间距布置。

8.根据权利要求1、6或7所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的喷嘴(6)位于传送线(4)的下方。

9.根据权利要求6或7所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：所述的冷量输送管(9)的进端处设有阀门(7)。

10.根据权利要求1所述的减少异质结电池pecvd后pl发黑误判的装置，其特征在于：还包括温度传感器和送风机，温度传感器布置在喷嘴(6)和/或传送线(4)处，送风机布置在冷却容器(5)或冷量输送管(9)上。

技术总结本技术公开了一种减少异质结电池PECVD后PL发黑误判的装置，包括传送线，传送线的上方设有PL检测仪器，还包括冷却容器，冷却容器与冷量输送管连通，冷量输送管上设有与传送线相对的喷嘴。本技术的有益效果：通过将冷却介质放入冷却容器中，打开阀门，通过喷嘴向硅片喷射冷量，使硅片降温，从而避免高温硅片影响PL检测，提高生产良率；冷却介质采用干冰，干冰的挥发速度较慢，且不影响生产环境氧气浓度，不存在副作用；另外干冰价格很便宜，作为冷却介质经济实惠，干冰在挥发过程中，不会扬尘，不会导致粉尘附着在硅片上，不增加后道工序的不良。技术研发人员：王质伟,郭小勇,汤安民,王鸿渝,唐旋,杨文栋受保护的技术使用者：眉山琏升光伏科技有限公司技术研发日：20240122技术公布日：2024/9/19