平面分光无源光芯片的制备方法与流程

本申请属于光学器件制作，具体地，本申请涉及一种平面分光无源光芯片的制备方法。

背景技术：

1、随着信息技术的飞速发展，光通信技术作为数据传输的一种重要手段，其传输速度和带宽不断得到提升。其中，平面分光无源光芯片作为光通信系统中的关键组件，其性能直接影响到整个系统的传输效率和稳定性。

2、目前，传统的平面分光无源光芯片制备方法存在着制备过程复杂、成本高、生产效率低等问题，难以满足现代光通信系统对高性能、低成本、高效率光芯片的需求。

技术实现思路

1、本申请实施例的一个目的是提供一种平面分光无源光芯片的制备方法的新技术方案。

2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种平面分光无源光芯片的制备方法，包括：

3、制作旋转光束，并通过所述旋转光束对硅基进行螺旋切割改性，经氢氟酸溶液腐蚀以形成光纤阵列排；

4、在所述硅基上沉积金属层；

5、制作光学器件，并将所述光学器件连接至所述金属层；

6、将光纤连接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件连接至所述光纤阵列排的另一端。

7、可选地，所述制作旋转光束包括：

8、通过空心轴电机和楔形棱镜的方式制作旋转光束。

9、可选地，所述并通过所述旋转光束对硅基进行螺旋切割改性包括：

10、通过三轴联动的方式形成螺旋线，并对硅基进行旋转切割。

11、可选地，在所述并通过所述旋转光束对硅基进行螺旋切割改性之后，还包括：

12、对所述硅基进行氢氟酸溶液腐蚀处理，以形成阵列微孔；

13、采用磁流体和交变磁场辅助去除裂片处理后的残留物，并形成光纤阵列排。

14、可选地，所述在所述硅基上沉积金属层包括：

15、先将所述硅基进行加热与保温，再通过喷涂的方式在所述硅基上沉积金属层。

16、可选地，加热温度范围为200度至300度，保温时间范围为3分钟至5分钟。

17、可选地，所述制作光学器件包括：

18、通过飞秒激光和显微物镜的方式在所述硅基上形成所述光学器件。

19、可选地，所述光学器件包括光波导，所述并将所述光学器件连接至所述金属层包括：

20、通过焊接方式将所述光波导连接至所述金属层。

21、可选地，所述光学器件还包括调制器。

22、可选地，所述将光纤连接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件连接至所述光纤阵列排的另一端，包括：

23、将光纤粘接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件粘接至所述光纤阵列排的另一端。

24、本申请的一个技术效果在于：

25、本申请提供了一种平面分光无源光芯片的制备方法，包括：

26、制作旋转光束，并通过所述旋转光束对硅基进行螺旋切割改性，经氢氟酸溶液腐蚀以形成光纤阵列排；在所述硅基上沉积金属层；制作光学器件，并将所述光学器件连接至所述金属层；将光纤连接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件连接至所述光纤阵列排的另一端。本申请实施例提供的制备方法通过引入旋转光束切割硅基技术，简化了硅基切割和改性的步骤，也提高了切割质量和切割效率，同时优化了金属层沉积和光学器件连接等工艺，从而降低了制备难度与制备成本，还提高了生产效率，使得光芯片的制备更加高效、经济。

27、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，所述制作旋转光束包括：

3.根据权利要求1所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，所述并通过所述旋转光束对硅基进行螺旋切割改性包括：

4.根据权利要求3所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，在所述并通过所述旋转光束对硅基进行螺旋切割改性之后，还包括：

5.根据权利要求1所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述硅基上沉积金属层包括：

6.根据权利要求5所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，加热温度范围为200度至300度，保温时间范围为3分钟至5分钟。

7.根据权利要求1所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，所述制作光学器件包括：

8.根据权利要求7所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，所述光学器件包括光波导，所述并将所述光学器件连接至所述金属层包括：

9.根据权利要求8所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，所述光学器件还包括调制器。

10.根据权利要求1所述的平面分光无源光芯片的制备方法，其特征在于，所述将光纤连接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件连接至所述光纤阵列排的另一端，包括：

技术总结本申请实施例提供了一种平面分光无源光芯片的制备方法，包括制作旋转光束，并通过所述旋转光束对硅基螺旋切割改性，经氢氟酸溶液腐蚀以形成光纤阵列排；在所述硅基上沉积金属层；制作光学器件，并将所述光学器件连接至所述金属层；将光纤连接至所述光纤阵列排的一端，将所述光学器件连接至所述光纤阵列排的另一端。本申请实施例提供的制备方法通过引入旋转光束切割硅基技术，简化了硅基切割和改性的步骤，也提高了切割质量和切割效率，同时优化了金属层沉积和光学器件连接等工艺，从而降低了制备难度与制备成本，还提高了生产效率，使得光芯片的制备更加高效、经济。技术研发人员：李朋,姚程芮,吴奇文,朱琦,李兴鹏受保护的技术使用者：比亚迪股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/26