一种发光器件、其制作方法及显示装置与流程

本发明涉及显示，尤其涉及一种发光器件、其制作方法及显示装置。

背景技术：

1、量子点(quantum dot，qd)是一种优良的纳米发光材料，具有高量子产率、窄发光峰、发光光谱可调、高光化学稳定性等优势。因此，以qd为发光层的新一代发光器件，量子点发光二极管(quantum light emitting diode，qled)具有自发光、低功耗、高色域等优点，受到了学术界与产业界的广泛关注。

2、目前，qled器件普遍出现发光效率较低以及rolling-off较为严重的问题，其中一个重要因素就是发光器件中空穴和电子的传输不平衡造成的。因此，如何提升发光器件中电子空穴的传输平衡是本领域亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种发光器件、其制作方法及显示装置，用于提升发光器件中电子空穴传输平衡。具体方案如下：

2、本发明实施例提供的一种发光器件，包括：衬底，位于所述衬底一侧的空穴传输层，位于所述空穴传输层背离所述衬底一侧的发光层，以及位于所述发光层背离所述衬底一侧的电子传输层；所述空穴传输层和所述衬底之间设置至少一个功能层，最靠近所述空穴传输层的所述功能层包括本体材料以及分散在所述本体材料内的正离子；其中，在驱动所述发光器件发光时，所述正离子被配置为在所述空穴传输层内建立电场方向朝向所述发光层一侧的内部电场。

3、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述正离子的半径小于或等于0.2nm，最靠近所述空穴传输层的所述功能层内的所述正离子的浓度大于或等于1×108/cm3。

4、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述正离子包括li+、na+、k+、rb+、cs+中的至少一种。

5、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述至少一个功能层包括最靠近所述空穴传输层的空穴注入层以及位于所述空穴注入层和所述衬底之间的阳极层，所述发光器件还包括位于所述电子传输层背离所述衬底一侧的阴极层，所述空穴注入层包括所述本体材料以及分散在所述本体材料内的正离子。

6、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述阳极层包括导电材料以及分散在所述导电材料内的所述正离子。

7、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述阳极层还包括分散在所述导电材料内的负离子，所述阳极层内的正离子浓度小于所述阳极层内的负离子浓度。

8、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述阳极层内的正离子的浓度大于所述空穴注入层内的正离子浓度。

9、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，还包括位于所述阳极层和所述衬底之间的插入层，所述插入层包括所述正离子和负离子，所述插入层内的正离子浓度小于所述插入层内的负离子浓度。

10、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述插入层内的正离子浓度、所述阳极层内的正离子浓度、所述空穴注入层内的正离子浓度依次减小。

11、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，还包括位于所述插入层和所述衬底之间的无机绝缘层。

12、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述插入层的厚度为10nm～10μm。

13、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述负离子包括f-、cl-、br-、i-中的至少一种。

14、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述衬底为含碱玻璃衬底。

15、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述发光器件中，所述衬底内的正离子浓度、所述阳极层内的正离子浓度、所述空穴注入层内的正离子浓度依次减小。

16、相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述发光器件。

17、相应地，本发明实施例还提供了一种发光器件的制作方法，用于制作本发明实施例提供的上述发光器件，所述制作方法包括：

18、在衬底的一侧形成依次层叠设置的至少一个功能层、空穴传输层、发光层和电子传输层；其中，最靠近所述空穴传输层的所述功能层包括本体材料以及分散在所述本体材料内的正离子，在驱动所述发光器件发光时，所述正离子被配置为在所述空穴传输层内建立电场方向朝向所述发光层一侧的内部电场。

19、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成最靠近所述空穴传输层的所述功能层和所述空穴传输层，具体包括：

20、在所述衬底上形成包括导电材料和离子型化合物的阳极层；

21、在所述阳极层背离所述衬底的一侧形成空穴注入层；

22、对所述空穴注入层进行退火处理，所述阳极层内的所述离子型化合物的至少部分正离子热扩散至所述空穴注入层；

23、在所述空穴注入层背离所述衬底的一侧形成所述空穴传输层。

24、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成最靠近所述空穴传输层的所述功能层和所述空穴传输层，具体包括：

25、在所述衬底上形成包括离子型化合物的插入层；

26、在所述插入层背离所述衬底的一侧形成阳极层；

27、对所述阳极层进行退火处理，所述插入层内的所述离子型化合物的至少部分正离子热扩散至所述阳极层；

28、在所述阳极层背离所述衬底的一侧形成空穴注入层；

29、对所述空穴注入层进行退火处理，所述阳极层内的至少部分所述正离子热扩散至所述空穴注入层；

30、在所述空穴注入层背离所述衬底的一侧形成所述空穴传输层。

31、在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成最靠近所述空穴传输层的所述功能层和所述空穴传输层，具体包括：

32、在所述衬底上形成阳极层，所述衬底为含碱玻璃衬底；

33、对所述阳极层进行退火处理，所述含碱玻璃衬底内的至少部分正离子热扩散至所述阳极层；

34、在所述阳极层背离所述衬底的一侧形成空穴注入层；

35、对所述空穴注入层进行退火处理，所述阳极层内的至少部分所述正离子热扩散至所述空穴注入层；

36、在所述空穴注入层背离所述衬底的一侧形成所述空穴传输层。

技术特征：

1.一种发光器件，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底一侧的空穴传输层，位于所述空穴传输层背离所述衬底一侧的发光层，以及位于所述发光层背离所述衬底一侧的电子传输层；所述空穴传输层和所述衬底之间设置至少一个功能层，最靠近所述空穴传输层的所述功能层包括本体材料以及分散在所述本体材料内的正离子；其中，在驱动所述发光器件发光时，所述正离子被配置为在所述空穴传输层内建立电场方向朝向所述发光层一侧的内部电场。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述正离子的半径小于或等于0.2nm，最靠近所述空穴传输层的所述功能层内的所述正离子的浓度大于或等于1×108/cm3。

3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述正离子包括li+、na+、k+、rb+、cs+中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述至少一个功能层包括最靠近所述空穴传输层的空穴注入层以及位于所述空穴注入层和所述衬底之间的阳极层，所述发光器件还包括位于所述电子传输层背离所述衬底一侧的阴极层，所述空穴注入层包括所述本体材料以及分散在所述本体材料内的正离子。

5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述阳极层包括导电材料以及分散在所述导电材料内的所述正离子。

6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述阳极层还包括分散在所述导电材料内的负离子，所述阳极层内的正离子浓度小于所述阳极层内的负离子浓度。

7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述阳极层内的正离子的浓度大于所述空穴注入层内的正离子浓度。

8.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，还包括位于所述阳极层和所述衬底之间的插入层，所述插入层包括所述正离子和负离子，所述插入层内的正离子浓度小于所述插入层内的负离子浓度。

9.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述插入层内的正离子浓度、所述阳极层内的正离子浓度、所述空穴注入层内的正离子浓度依次减小。

10.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，还包括位于所述插入层和所述衬底之间的无机绝缘层。

11.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述插入层的厚度为10nm～10μm。

12.如权利要求6-11任一项所述的发光器件，其特征在于，所述负离子包括f-、cl-、br-、i-中的至少一种。

13.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述衬底为含碱玻璃衬底。

14.如权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述衬底内的正离子浓度、所述阳极层内的正离子浓度、所述空穴注入层内的正离子浓度依次减小。

15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的发光器件。

16.一种发光器件的制作方法，用于制作如权利要求1-14任一项所述的发光器件，其特征在于，所述制作方法包括：

17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，形成最靠近所述空穴传输层的所述功能层和所述空穴传输层，具体包括：

18.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，形成最靠近所述空穴传输层的所述功能层和所述空穴传输层，具体包括：

19.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，形成最靠近所述空穴传输层的所述功能层和所述空穴传输层，具体包括：

技术总结本发明公开了一种发光器件、其制作方法及显示装置，通过在衬底和空穴传输层之间最靠近空穴传输层的功能层内引入正离子，正离子可以在空穴传输层内建立电场方向朝向发光层一侧的内部电场，这个内部电场在采用外部电场驱动发光器件发光时可以叠加在外部电场中，使得空穴传输层内的电场强度更高，也就使得空穴传输速度更大，最终提升了电子空穴的传输平衡。技术研发人员：党文辉受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/26