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MEMS压电谐振器的制作方法

  • 国知局
  • 2024-10-09 15:50:04

本申请实施例涉及微机电,具体涉及一种mems压电谐振器。

背景技术:

1、微机电系统(mems,micro-electro-mechanical system)是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高科技领域。mems技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。mems器件具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。mems技术的发展开辟了一个全新的技术领域和产业,利用mems技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事,物联网等领域中都有着十分广阔的应用前景。

2、q值(品质因子)较低一直是压电mems谐振器待解决的问题之一。对于用作低抖动产品的压电mems谐振器,在相同馈通电容的条件下,高q值意味着在通过负载电容调节频率的时候,负载电容对于频率调节具有较高的分辨率。同时,更高的q值还带来更优秀的低频噪声性能。因此,对于mems压电谐振器,提升q值对于提升mems压电谐振器的性能十分重要。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种mems压电谐振器,可以提高mems压电谐振器的q值。

2、本申请实施例提供了一种mems压电谐振器,包括:

3、衬底,所述衬底具有空腔;

4、绝缘层,所述绝缘层设置于所述衬底上;

5、谐振结构,所述谐振结构通过锚点锚固于所述绝缘层上,所述谐振结构包括间隔设置的第一谐振体和第二谐振体;

6、驱动电极,所述驱动电极设置于所述谐振体上;

7、压电层,所述压电层设置于所述驱动电极上;

8、感应电极,所述感应电极设置于所述压电层上。

9、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中,所述第一谐振体和所述第二谐振体为圆环状。

10、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中,所述第一谐振体和所述第二谐振体通过第一连接梁连接。

11、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中,还包括第二连接梁,所述第二连接梁垂直连接所述第一连接梁。

12、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中,所述第二连接梁的两端与所述锚点相连接。

13、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中,还包括第一电连接点,所述压电层上具有暴露所述驱动电极的通孔,所述第一电连接点通过所述通孔与所述驱动电极连接。

14、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中,还包括第二电连接点,所述第二电连接点设置于所述感应电极上。

15、在本申请实施例提供的mems压电谐振器中,所述第一谐振体和所述第二谐振体的工作模态为呼吸模态。

16、综上所述,本申请实施例提供的mems压电谐振器包括衬底、绝缘层、谐振结构、驱动电极、压电层和感应电极。其中,所述衬底具有空腔;所述绝缘层设置于所述衬底上;所述谐振结构通过锚点锚固于所述绝缘层上,所述谐振结构包括间隔设置的第一谐振体和第二谐振体;所述驱动电极设置于所述谐振体上;所述压电层设置于所述驱动电极上;所述感应电极设置于所述压电层上。通过本方案的电极布局方式,可以避免在工艺过程中破坏谐振体进而破坏模态的完整性,在不改变mems压电谐振器设计的前提下,通过不破坏模态的完整性,可以大幅提高mems压电谐振器的q值。

技术特征:

1.一种mems压电谐振器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的mems压电谐振器,其特征在于,所述第一谐振体和所述第二谐振体为圆环状。

3.如权利要求1所述的mems压电谐振器,其特征在于,所述第一谐振体和所述第二谐振体通过第一连接梁连接。

4.如权利要求3所述的mems压电谐振器,其特征在于,还包括第二连接梁,所述第二连接梁垂直连接所述第一连接梁。

5.如权利要求4所述的mems压电谐振器,其特征在于,所述第二连接梁的两端与所述锚点相连接。

6.如权利要求1所述的mems压电谐振器,其特征在于,还包括第一电连接点,所述压电层上具有暴露所述驱动电极的通孔,所述第一电连接点通过所述通孔与所述驱动电极连接。

7.如权利要求1所述的mems压电谐振器,其特征在于,还包括第二电连接点,所述第二电连接点设置于所述感应电极上。

8.如权利要求1至7任一项所述的mems压电谐振器,其特征在于,所述第一谐振体和所述第二谐振体的工作模态为呼吸模态。

技术总结本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器,该MEMS压电谐振器包括衬底、绝缘层、谐振结构、驱动电极、压电层和感应电极。其中,衬底具有空腔;绝缘层设置于衬底上;谐振结构通过锚点锚固于绝缘层上,谐振结构包括间隔设置的第一谐振体和第二谐振体;驱动电极设置于谐振体上;压电层设置于驱动电极上;感应电极设置于压电层上。本方案可以提高MEMS压电谐振器的Q值。技术研发人员:朱怀远,焦点,朱雁青,李明,林友玲,朱彩伟,郭姝受保护的技术使用者:麦斯塔微电子(深圳)有限公司技术研发日:技术公布日:2024/9/26

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