一种TAIKO晶圆真空贴膜装置及方法与流程

本发明涉及晶圆贴膜，特别涉及一种taiko晶圆真空贴膜装置及方法。

背景技术：

1、taiko工艺是指晶圆减薄时保留晶圆外围的边缘部分，只对晶圆内圈进行研削减薄，减薄后的晶圆呈盘状，晶圆边缘有高强度的支撑，从而避免晶圆翘曲。一般晶圆在减薄后需要进行电镀、切割等工序，晶圆在切割工序前，需要在背面贴上保护膜。但是taiko晶圆因边缘有厚度较厚的台阶支撑，整个贴膜面的厚度不同，需要先去环，不能直接进行贴膜工序，这就对taiko晶圆的切割贴膜造成了很大的难度。

2、目前，taiko晶圆采用的贴膜方法是：先进行真空贴膜，再对晶圆进行环切，使得台阶与晶圆分离；接着进行uv照射，控制uv光，使得只有台阶部分被uv光照射到，再采用刮铲的方法将台阶环去除；最后进行高温烘烤，使得台阶环处褶皱的膜舒展平整。这种贴膜方法整体工序较多也较繁琐，管理成本高，同时需要多台设备配合工作，从而占用的面积也比较大，增加了生产成本，而且这些设备的采购成本高，且整体贴膜效率低。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本发明提供了一种taiko晶圆真空贴膜装置及方法，可以快速完成晶圆的环切、贴膜工序，贴膜质量好、效率高。

2、为此，本发明的技术方案是：一种taiko晶圆真空贴膜装置，包括环切工位和贴膜工位，所述环切工位上设有环切台面，环切台面上设有中空的晶圆放置位；所述贴膜工位上设有配合工作的密封盖、片环安置台面和真空腔体，片环安置台面位于密封盖下方，密封盖、片环安置台面、真空腔体构成真空贴膜机构；所述真空腔体可由第一驱动机构驱使，在贴膜工位和环切工位之间往复移动；所述真空腔体内设有可升降的晶圆吸附台面，环切时，真空腔体移动至环切台面下方，晶圆吸附台面可上升至晶圆放置位内。

3、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述片环安置台面上方设有片环安置槽，片环安置台面安装在一升降机构上，升降机构驱使片环安置台面上下移动。

4、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述环切台面的晶圆放置位上设有圆形口，圆形口的直径与晶圆减薄部分的直径相同；所述圆形口上设有一圈环形支撑面，环形支撑面与晶圆的台阶环位置相对。

5、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述环形支撑面上设有真空吸嘴，用于吸附晶圆的台阶环。

6、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述晶圆吸附台面覆盖晶圆减薄部分，即晶圆吸附台面可完全吸附晶圆减薄部分。

7、本发明的另一个技术方案是：一种taiko晶圆真空贴膜方法，包括以下步骤：

8、s1、将晶圆放置在环切台面上，其中晶圆的台阶环放置在环形支撑面上，减薄的晶圆主体完全裸露在圆形口处；

9、s2、真空腔体移动至环切台面下方，晶圆吸附台面上升至圆形口处，并真空吸附晶圆主体；

10、s3、进行激光环切，切除晶圆的台阶环，且台阶环留在环切台面上，晶圆主体被晶圆吸附台面带动下移；

11、s4、真空腔体带动晶圆主体移动至片环安置台面下方，与密封盖配合完成真空贴膜。

12、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述步骤s4中的真空贴膜，包括以下步骤：

13、s4.1、事先将切割膜与片环固定在一起，将片环放置在片环安置台面上，并固定；

14、s4.2、真空腔体移动至片环安置台面下方，片环安置台面下降至与真空腔体固定连接，此时晶圆主体位于切割膜下方；

15、s4.3、密封盖下移，与片环安置台面、真空腔体密封固定，开始抽真空贴膜。

16、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

17、利用可移动的真空腔体来吸附晶圆，使得晶圆从环切到贴膜过程中均处于被吸附状态，且晶圆全程被真空腔体内的晶圆吸附台面所吸附，在环切与贴膜过程中，晶圆不会出现翘曲问题，从而保证贴膜效率和贴膜质量。

18、将真空腔体与片环安置台面设置成分体式结构，方便真空腔体移动到环切工位吸附晶圆主体，利用真空腔体来代替真空吸盘，避免了晶圆转移过程中可能出现的翘曲问题，使用起来效率更高。

19、将激光环切、真空贴膜设置在一起，既满足贴膜需求，保证了产品安全，又降低了设备成本，节约了管理成本，节省了洁净室的空间，经济适用。

技术特征：

1.一种taiko晶圆真空贴膜装置，其特征在于：包括环切工位和贴膜工位，所述环切工位上设有环切台面，环切台面上设有中空的晶圆放置位；所述贴膜工位上设有配合工作的密封盖、片环安置台面和真空腔体，片环安置台面位于密封盖下方，密封盖、片环安置台面、真空腔体构成真空贴膜机构；所述真空腔体可由第一驱动机构驱使，在贴膜工位和环切工位之间往复移动；所述真空腔体内设有可升降的晶圆吸附台面，环切时，真空腔体移动至环切台面下方，晶圆吸附台面可上升至晶圆放置位内。

2.如权利要求1所述的一种taiko晶圆真空贴膜装置，其特征在于：所述片环安置台面上方设有片环安置槽，片环安置台面安装在一升降机构上，升降机构驱使片环安置台面上下移动。

3.如权利要求1所述的一种taiko晶圆真空贴膜装置，其特征在于：所述环切台面的晶圆放置位上设有圆形口，圆形口的直径与晶圆减薄部分的直径相同；所述圆形口上设有一圈环形支撑面，环形支撑面与晶圆的台阶环位置相对。

4.如权利要求3所述的一种taiko晶圆真空贴膜装置，其特征在于：所述环形支撑面上设有真空吸嘴，用于吸附晶圆的台阶环。

5.如权利要求1所述的一种taiko晶圆真空贴膜装置，其特征在于：所述晶圆吸附台面覆盖晶圆减薄部分，即晶圆吸附台面可完全吸附晶圆减薄部分。

6.一种taiko晶圆真空贴膜方法，其特征在于：使用权利要求1~5任一项所述的贴膜装置，包括以下步骤：

7.如权利要求6所述的一种taiko晶圆真空贴膜方法，其特征在于：所述步骤s4中的真空贴膜，包括以下步骤：

技术总结本发明公开了一种TAIKO晶圆真空贴膜装置及方法，包括环切工位和贴膜工位，所述环切工位上设有环切台面，环切台面上设有中空的晶圆放置位；所述贴膜工位上设有配合工作的密封盖、片环安置台面和真空腔体，密封盖、片环安置台面、真空腔体构成真空贴膜机构；所述真空腔体可由第一驱动机构驱使，在贴膜工位和环切工位之间往复移动；所述真空腔体内设有可升降的晶圆吸附台面，环切时，真空腔体移动至环切台面下方，晶圆吸附台面可上升至晶圆放置位内。本发明利用可移动的真空腔体来吸附晶圆，使得晶圆从环切到贴膜过程中，全程被真空腔体内的晶圆吸附台面所吸附，晶圆不会出现翘曲问题，从而保证贴膜效率和贴膜质量。技术研发人员：王孝军,袁泉,范亚飞,牛作艳,杨晓岗,陈志平受保护的技术使用者：允哲半导体科技（浙江）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/26