适用曲面屏的导电膜及其制备工艺的制作方法

本发明属于导电膜，具体涉及适用曲面屏的导电膜及其制备工艺。

背景技术：

1、ito导电膜是一种常见的导电膜，由铟氧化物和锡氧化物组成，其具有优良的光学和电学性能，被广泛应用于电子显示器、太阳能电池、触摸屏等领域。ito导电膜在制成成品之前需要进行刻蚀，以形成导电线路，由于ito较为脆弱、缺乏柔韧性，将ito导电膜应用于曲面屏时，导电线路易受到破坏。因此，虽然ito导电膜具有优良的光学和电学性能，但自身缺点限制了其在曲面屏领域中的应用。

2、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供适用曲面屏的导电膜及其制备工艺，适用曲面屏的导电膜能够用于曲面屏中，在实际应用中能够保持较优的导电性能。

2、为了实现上述目的，本发明一具体实施例提供的技术方案如下：

3、适用曲面屏的导电膜，包括基材层，所述基材层上依次层叠设有上涂布层、硅铝混合层、ito层、附着力层和铜层；其中，附着力层材质选自ti、tio2、al、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3。

4、在本发明的一个或多个实施例中，所述ito层的厚度为5-100nm。

5、在本发明的一个或多个实施例中，所述附着力层的厚度为0.1-10nm。

6、在本发明的一个或多个实施例中，所述铜层的厚度为100-1000nm。

7、在本发明的一个或多个实施例中，所述硅铝混合层中硅铝摩尔比为(75-99)：(1-25)。

8、在本发明的一个或多个实施例中，所述基材层选自pet层、pi层、tac层、cop层和pc层。

9、本发明另一具体实施例提供的技术方案如下：

10、适用曲面屏的导电膜的制备工艺，包括以下步骤：

11、在基材层的双面分别涂布上涂布层和下涂布层，下涂布层上设置高温保护膜；

12、在上涂布层上依次镀设硅铝混合层、ito层、附着力层和铜层；

13、在铜层上设置上保护膜。

14、在本发明的一个或多个实施例中，镀设时，真空度为1*10-4pa以下。

15、在本发明的一个或多个实施例中，镀设时，水汽值为9*10-5pa以下。

16、在本发明的一个或多个实施例中，镀设时，反应气体为氩气、氮气和氧气混合气体，氩气、氮气和氧气的流量比例为60-80:20-35:5-10。

17、与现有技术相比，本发明在ito层上设置铜层，利用铜层的延展性和柔性使导电膜能够应用于曲面屏中，同时利用附着力层使ito层和铜层能够牢固结合，从而使导电膜的稳定性得到提高。

技术特征：

1.适用曲面屏的导电膜，其特征在于，包括基材层，所述基材层上依次层叠设有上涂布层、硅铝混合层、ito层、附着力层和铜层；其中，附着力层材质选自ti、tio2、al、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3。

2.根据权利要求1所述的适用曲面屏的导电膜，其特征在于，所述ito层的厚度为5-100nm。

3.根据权利要求1所述的适用曲面屏的导电膜，其特征在于，所述附着力层的厚度为0.1-10nm。

4.根据权利要求1所述的适用曲面屏的导电膜，其特征在于，所述铜层的厚度为100-1000nm。

5.根据权利要求1所述的适用曲面屏的导电膜，其特征在于，所述硅铝混合层中硅铝摩尔比为(75-99)：(1-25)。

6.根据权利要求1所述的适用曲面屏的导电膜，其特征在于，所述基材层选自pet层、pi层、tac层、cop层和pc层。

7.权利要求1-6任一项所述的适用曲面屏的导电膜的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的适用曲面屏的导电膜的制备工艺，其特征在于，镀设时，真空度为1*10-4pa以下。

9.根据权利要求7所述的适用曲面屏的导电膜的制备工艺，其特征在于，镀设时，水汽值为9*10-5pa以下。

10.根据权利要求7所述的适用曲面屏的导电膜的制备工艺，其特征在于，镀设时，反应气体为氩气、氮气和氧气混合气体，氩气、氮气和氧气的流量比例为60-80:20-35:5-10。

技术总结本发明公开了适用曲面屏的导电膜及其制备工艺，适用曲面屏的导电膜包括基材层，所述基材层上依次层叠设有上涂布层、硅铝混合层、ITO层、附着力层和铜层；其中，附着力层材质选自Ti、TiO<subgt;2</subgt;、Al、Si、Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;、MgF<subgt;2</subgt;、SiO、HfO<subgt;2</subgt;、SnO<subgt;2</subgt;和Y<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;。本发明中的导电膜能够应用于曲面屏屏幕上，且具有优异、稳定的导电性能。技术研发人员：高毓康,陈超,王志坚,陈涛,赵飞,冯燕佳受保护的技术使用者：浙江日久新材料科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29