太阳能电池制备方法及太阳能电池与流程

本申请涉及太阳能电池，特别是涉及太阳能电池制备方法及太阳能电池。

背景技术：

1、叠层结构如太阳能电池的制备工艺中，为了保护叠层结构中部分特殊区域的膜层，通常在膜层上制备掩膜，经过特定工艺处理后，保留需要的结构，再去除掩膜。然而，这种方法需要加入掩膜的制备和去除两道工序，致使制备工艺步骤繁琐，而且制备和去除掩膜的过程中额外引入的化学物质有污染膜层及设备的风险。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对掩膜的制备和去除过程繁琐且有化学物质污染风险的问题，提供一种太阳能电池制备方法及太阳能电池。

2、第一方面，本申请提供一种太阳能电池制备方法，包括：

3、在基体的表面制备依次层叠设置的底层、夹层和顶层；

4、使用第一工艺处理第一区域的所述夹层，使所述第一区域的所述夹层具有松散状态；

5、使用第二工艺去除所述第一区域的所述夹层和所述底层以及至少所述第一区域的所述顶层。

6、在一些实施例中，所述使用第一工艺处理第一区域的所述夹层，包括：

7、使用激光处理所述第一区域的所述夹层，将所述第一区域的所述夹层打散。

8、在一些实施例中，所述使用激光处理所述第一区域的所述夹层，包括：

9、使用设定波长及设定功率的激光照射所述第一区域；其中，所述设定波长为100纳米至3000纳米，所述设定功率为10瓦至999瓦。

10、在一些实施例中，所述使用激光照射所述第一区域，包括：

11、使用激光以设定扫描速度及设定照射频率扫描照射所述第一区域；其中，所述设定扫描速度为1千毫米每秒至10万毫米每秒，所述设定照射频率为20千赫兹至2兆赫兹。

12、在一些实施例中，所述使用第一工艺处理第一区域的所述夹层，包括：

13、使用纳米机能水试剂附着于所述第一区域的所述顶层表面，使纳米机能水渗透进入所述第一区域的所述夹层并与所述夹层发生化学反应，将所述第一区域的所述夹层变得疏松。

14、在一些实施例中，所述第二工艺包括湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种。

15、在一些实施例中，所述使用第二工艺去除至少所述第一区域的所述顶层，包括：

16、使用所述第二工艺去除全部的所述顶层。

17、在一些实施例中，所述第一区域包括位于用于制备太阳能电池的栅线电极的区域以外的部分区域。

18、在一些实施例中，所述底层包括掺杂多晶硅层、n+层、p+层、多晶硅叠层、单晶硅叠层及钝化层中的一种；所述夹层包括氧化层；所述顶层包括掺杂多晶硅层、n+层、p+层、多晶硅叠层、单晶硅叠层及钝化层中的一种。

19、第二方面，本申请提供一种太阳能电池，所述太阳能电池由如第一方面任一项所述的太阳能电池制备方法制备得到。

20、上述太阳能电池制备方法及太阳能电池，通过使用第一工艺使指定的第一区域的夹层具有松散状态，可以实现在一步第二工艺中同时去除指定需要去除区域的夹层、底层和顶层，节省工艺时间，可以使用叠层结构中间的夹层作为掩膜，夹层直接作为原位掩膜，实现原位保护，无需额外加入掩膜结构的制备和去除工序，简化工艺流程，便于实现量产；而且不存在额外的掩膜材料引入，可以避免额外引入的掩膜材料带来污染，从而解决相关技术中掩膜的制备和去除过程繁琐且有化学物质污染风险的问题；此外，夹层存在于叠层结构中间而不是表面，夹层作为掩膜开膜不受顶层膜层存在的限制，为工艺顺序的先后预留了调整空间，还可以支持多叠层结构的表面部分叠层开膜的工艺需求，可以依据叠层结构需求调整工艺参数，控制保留区域面积和保留膜层的数量，从而实现梯度开膜，满足获得梯度膜层的需求。

技术特征：

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述使用第一工艺处理第一区域的所述夹层，包括：

3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述使用激光处理所述第一区域的所述夹层，包括：

4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述使用激光照射所述第一区域，包括：

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述使用第一工艺处理第一区域的所述夹层，包括：

6.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第二工艺包括湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述使用第二工艺去除至少所述第一区域的所述顶层，包括：

8.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一区域包括位于用于制备太阳能电池的栅线电极的区域以外的部分区域。

9.根据权利要求1至8任一项所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述底层包括掺杂多晶硅层、n+层、p+层、多晶硅叠层、单晶硅叠层及钝化层中的一种；所述夹层包括氧化层；所述顶层包括掺杂多晶硅层、n+层、p+层、多晶硅叠层、单晶硅叠层及钝化层中的一种。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由如权利要求1至9任一项所述的太阳能电池制备方法制备得到。

技术总结本申请涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池。太阳能电池制备方法包括：在基体的表面制备依次层叠设置的底层、夹层和顶层；使用第一工艺处理第一区域的夹层，使第一区域的夹层具有松散状态；使用第二工艺去除第一区域的夹层和底层以及至少第一区域的顶层。本申请的太阳能电池制备方法，使用第一工艺使指定的第一区域的夹层具有松散状态，实现在一步第二工艺中同时去除指定需要去除区域的夹层、底层和顶层，节省工艺时间，使用叠层结构中间的夹层直接作为原位掩膜，实现原位保护，无需额外加入掩膜结构的制备和去除工序，简化工艺流程，便于实现量产，而且不存在额外的掩膜材料引入，可以避免额外引入的掩膜材料带来污染。技术研发人员：陈雨倩,张彼克,金井升,张临安受保护的技术使用者：晶科能源（上饶）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4