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一种半固态电池及其制备方法、应用与流程

  • 国知局
  • 2024-11-06 14:31:39

本发明涉及一种半固态电池及其制备方法、应用,属于电池。

背景技术:

1、半固态电池是一种特殊类型的电池,其内部既包含液态电解质,也包含固态电解质。在充电和放电过程中,离子通过固态和液态电解质进行传输,从而达到储存和释放能量的目的。半固态电池具有高能量密度、高温稳定性、快速充电以及循环性能优异等优势,在车载动力电池和储能领域受到人们的青睐。

2、然而半固态电池的低温性能较低,限制了这类电池在寒冷地区的普及使用。目前常见的解决方法是通过在电池外部配置循环加热装置来提升半固态电池的运行温度,进而提升这类电池在低温环境下的放电性能,但是该方法只是从物理上对半固态电池进行加热,而且增加加热装置会降低半固态电池的能量密度。

3、因此,亟需探索从根本上解决半固态电池低温性能的技术方案。

技术实现思路

1、本发明提供一种半固态电池的制备方法,该制备方法操作简单,制备得到的半固态电池具有优异的低温性能。

2、本发明提供一种半固态电池,该半固态电池由上述制备方法制备得到,具有优异的低温性能。

3、本发明还提供一种电子设备,该电子设备包括上述半固态电池,因此该电子设备在低温环境中也具有优异的使用性能。

4、本发明一方面提供一种半固态电池的制备方法,包括以下步骤:

5、1)对注液后的电池在50-70℃,500-2000kg/f下进行固化处理12-48h,得到固化后的电池;

6、2)对所述固化后的电池进行化成处理,得到半固态电池。

7、如上所述的制备方法,步骤1)中,所述固化处理的温度为60-70℃,压力为1000-2000kg/f,时间为12-24h。

8、如上所述的制备方法,所述固化处理前的电解液包括锂盐、溶剂、添加剂。

9、如上所述的制备方法,所述锂盐包括lipf6,lipf6的质量百分含量为9-13wt.%。

10、如上所述的制备方法,步骤2)中,所述化成处理的化成温度为35-45℃,挤压压力为1000kg/f(4-6h)。

11、如上所述的制备方法,所述固化处理前还包括第一静置处理,所述第一静置处理的温度为20-30℃,静置24-72h。

12、如上任意一项所述的制备方法,所述化成处理后还包括第二静置处理,所述第二静置处理的温度为25℃,静置24-72h。

13、如上所述的制备方法,所述注液后的电池包括正极片,所述正极片包括正极浆料,

14、所述正极浆料包括磷酸铁锂、导电碳黑、导电浆料、粘结剂、1%-2%的latp。

15、本发明再一方面提供一种半固态电池,采用如上所述的制备方法制备得到。

16、本发明再一方面提供一种电子设备,包括如上所述的半固态电池。

17、本发明提供的半固态电池的制备方法,通过控制特定的压力和温度实现注液后电池的固化处理,随后对固化后的电池进行化成处理得到半固态电池,该电池具有优异的低温性能。

18、本发明提供的半固态电池由上述制备方法制备得到,具有优异的低温性能。

19、本发明提供的电子设备包括上述半固态电池,因此在低温环境下依然能够发挥良好的使用性能。

技术特征:

1.一种半固态电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述固化处理的温度为60-70℃,压力为1000-2000kg/f,时间为12-24h。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述固化处理前的电解液包括锂盐、溶剂、添加剂。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述锂盐包括lipf6,lipf6的质量百分含量为9wt.%-13wt.%。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中,所述化成处理的化成温度为35-45℃,挤压压力为1000kg/f。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述固化处理前还包括第一静置处理,所述第一静置处理的温度为20-30℃,静置24-72h。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述化成处理后还包括第二静置处理,所述第二静置处理的温度为25℃,静置24-72h。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述注液后的电池包括正极片,所述正极片包括正极浆料,

9.一种半固态电池,其特征在于,采用权利要求1-8中任意一项所述的制备方法制备得到。

10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求9所述的半固态电池。

技术总结本发明提供一种半固态电池及其制备方法、应用,包括以下步骤:1)对注液后的电池在50‑70℃,500‑2000kg/f下进行固化处理12‑48h,得到固化后的电池;2)对所述固化后的电池进行化成处理,得到半固态电池。本发明提供的半固态电池具有优异的低温性能。技术研发人员:宋慧慧,薛驰,缪永华,杨伟,刘为刚受保护的技术使用者:中天储能科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/11/4

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