射频功率放大器、射频前端模组的制作方法

本申请涉及射频，尤其涉及一种射频功率放大器、射频前端模组。

背景技术：

1、随着现代通信技术的发展，射频前端模组等射频芯片被广泛应用在手机等无线通信设备中。例如根据第五代移动通信技术(5g)的关键性能指标，需要采用频率更高、带宽更大、qam调制更高阶的射频前端模组，对射频前端模组中射频功率放大器的设计也提出更严苛的要求。

2、相关技术中，射频功率放大器的供电线路与射频功率放大器的其他部分彼此之间会产生较强的耦合；射频功率放大器的其他部分有时会受到供电线路的干扰，对射频功率放大器和射频前端模组的性能造成影响，而且有时射频功率放大器的射频信号耦合到供电线路，影响供电线路的供电质量。

技术实现思路

1、本申请提供了一种射频功率放大器、射频前端模组，能够减轻甚至防止供电线路对射频功率放大器的其他部分产生干扰，防止射频信号耦合到供电线路而影响供电质量。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种射频功率放大器，所述射频功率放大器包括：

3、基板，包括供电端口，所述基板包括多个金属层；

4、功率放大芯片，所述功率放大芯片设置在所述基板多个金属层中的第1金属层上；

5、匹配电路，所述匹配电路设置在所述基板上，且与所述功率放大芯片连接；供电线路，所述供电线路的第一端与所述功率放大芯片连接，所述供电线路的第二端与所述供电端口连接；

6、多个导电柱，各所述导电柱接地；

7、其中，所述匹配电路至少部分形成于所述多个金属层中的第i金属层，所述供电线路形成于所述多个金属层中的第j金属层，且j大于i；以及

8、多个所述导电柱设置在所述供电线路的至少一侧，所述导电柱的第一端形成于所述多个金属层中的第k金属层，所述导电柱的第二端形成于所述多个金属层中的第s金属层；k大于i且s大于或等于j。

9、第二方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，所述射频前端模组包括前述的射频功率放大器。

10、本申请实施例提供的射频功率放大器、射频前端模组，其中射频功率放大器包括：基板、功率放大芯片、匹配电路、供电线路以及多个接地的导电柱。基板包括供电端口以及多个金属层；功率放大芯片设置在基板多个金属层中的第1金属层上；匹配电路设置在基板上，且与功率放大芯片连接；供电线路的第一端与功率放大芯片连接，供电线路的第二端与供电端口连接；其中，匹配电路至少部分形成于多个金属层中的第i金属层，供电线路形成于多个金属层中的第j金属层，且j大于i；以及多个导电柱设置在供电线路的至少一侧，导电柱的第一端形成于多个金属层中的第k金属层，导电柱的第二端形成于多个金属层中的第s金属层；k大于i且s大于或等于j。可以减轻甚至防止供电线路对射频功率放大器的其他部分的干扰，还可以防止射频信号耦合到供电线路影响供电质量；且可以防止导电柱影响匹配电路的性能，本申请实施例的射频功率放大器具有较好的性能。

11、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请实施例的公开内容。

技术特征：

1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括：

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述多个导电柱通过所述第k金属层至所述第s金属层中的至少部分金属层连接并接地。

3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述多个导电柱的第一端通过所述第k金属层形成的接地金属连接，和/或所述多个导电柱的第二端通过所述第s金属层形成的接地金属连接。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述匹配电路包括变压器，所述变压器包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈与所述功率放大芯片连接，所述次级线圈用于输出射频信号；

5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述功率放大芯片包括差分功率放大电路，所述差分功率放大电路的第一输出端与所述初级线圈的第一端连接，所述差分功率放大电路的第二输出端与所述初级线圈的第二端连接；

6.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述变压器在所述基板上的投影，与所述供电线路在所述基板上的投影之间具有间隙；

7.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述初级线圈和/或所述次级线圈至少形成于所述第ia金属层和第ia+1金属层，所述第一导电柱的第一端形成于所述第ia+1金属层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的射频功率放大器，其特征在于，所述匹配电路还包括并联谐振电路，所述并联谐振电路包括并联的第一电容和第一电感，其中所述第一电感与所述匹配电路中变压器的次级线圈连接；

9.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，kb大于ib+1。

10.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，在所述第j金属层上与所述第一电感对应的投影区域，所述第二导电柱的投影位于所述供电线路的两侧。

11.根据权利要求9所述的射频功率放大器，其特征在于，第ib+1金属层至第kb-1金属层中的至少部分金属层，在所述第一电感对应的投影区域未设置接地金属。

12.根据权利要求1-7中任一项所述的射频功率放大器，其特征在于，所述匹配电路还包括串联谐振电路，所述串联谐振电路的第一端与所述匹配电路中变压器的初级线圈连接，所述串联谐振电路的第二端接地，所述串联谐振电路包括串联连接的第二电容和第二电感；

13.根据权利要求12所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二电感包括形成于不同所述金属层的金属线，以及连接不同金属层的所述金属线的连接柱；

14.根据权利要求13所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二电感包括通过所述金属柱连接的第一金属线、第二金属线和第三金属线，所述第一金属线和所述第三金属线形成于所述第i c金属层，所述第二金属线形成于除所述第ic金属层之外的金属层；所述第一金属线靠近所述变压器设置，所述第三金属线靠近所述供电线路设置，所述第三导电柱至少设置在所述供电线路靠近所述第三金属线的一侧。

15.根据权利要求14所述的射频功率放大器，其特征在于，kc大于ic+1。

16.根据权利要求15所述的射频功率放大器，其特征在于，第ic+1金属层至第kc-1金属层中的至少部分金属层，在所述第二电感对应的投影区域未设置接地金属。

17.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括如权利要求1至16中任一项所述的射频功率放大器。

技术总结本申请实施例提供了一种射频功率放大器、射频前端模组，射频功率放大器包括：基板、功率放大芯片、匹配电路、供电线路以及多个接地的导电柱。匹配电路设置在基板上，且与功率放大芯片连接；供电线路与功率放大芯片连接，匹配电路至少部分形成于基板的第i金属层，供电线路形成于第j金属层，且j大于i；以及多个导电柱设置在供电线路的至少一侧，导电柱的第一端形成于第k金属层，导电柱的第二端形成于第s金属层；k大于i且s大于或等于j。可以减轻甚至防止供电线路对射频功率放大器其他部分的干扰，还可以防止射频信号耦合到供电线路影响供电质量；且可以防止导电柱影响匹配电路的性能，使得射频功率放大器和射频前端模组具有较好的性能。技术研发人员：龚杰,石宪青,张文达,南岚,倪建兴受保护的技术使用者：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4