电子设备制造液、制造抗蚀剂图案的方法及制造器件的方法与流程

本发明涉及电子设备制造液、制造抗蚀剂图案的方法及制造器件的方法。

背景技术：

1、近年来，随着lsi的高集成化的需求提高，要求图案的精细化。为了对应这样的需求，使用短波长的krf准分子激光(248nm)、arf准分子激光(193nm)、极紫外线(euv；13nm)、x射线、电子射线等的光刻(lithography)工艺日益实用化。为了对应这样的抗蚀剂图案的精细化，在精细加工时，对作为抗蚀剂使用的感光性树脂组合物也要求高分辨率。通过以短波长的光进行曝光，能够形成更精细的图案，然而由于要制作非常精细的结构，精细图案的崩塌等成品率成为问题。

2、基于这样的状况，在专利文献1中研究一种光刻用冲洗液，其与以往含有表面活性剂的体系同样地，图案崩塌边缘(pattern collapse margin)、缺陷、lwr等的性能优异，在熔融方面也具有优异的特性。

3、另外，就其他尝试而言，也研究了使用含有氟的表面活性剂(专利文献2及专利文献3)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2014-219577号公报

7、专利文献2：国际公开2018/095885号

8、专利文献3：国际公开2017/220479号

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题

2、本发明人等认为迄今仍有一个或多个课题需要改良。这些课题例如可列举如下：在精细的抗蚀剂图案中使缺陷减少；在抗蚀剂图案中抑制桥接(bridge)发生；在精细的抗蚀剂图案中防止抗蚀剂图案崩塌；抑制抗蚀剂图案宽度的不均匀；去除电子设备制造液后，减少残余物；降低电子设备制造液的表面张力；提供环境影响少的电子设备制造液；提供处理的危险性低的电子设备制造液；提供保存稳定性(例如长期保存)优异的电子设备制造液；提供对抗蚀剂图案造成的影响少的电子设备制造液。

3、本发明是基于如上所述的技术背景而完成的，由此提供了一种电子设备制造液。

4、用于解决技术问题的方案

5、本发明的电子设备制造液至少包含：

6、阴离子表面活性剂(a)、溶剂(b)、及季铵化合物(c)。

7、本发明的制造抗蚀剂图案的方法使用上述的电子设备制造液。

8、本发明的制造抗蚀剂图案的方法包括下述工序：

9、(1)经由1个以上的中间层，或不经由中间层，将感光性树脂组合物施用于基板上，形成感光性树脂层；

10、(2)使该感光性树脂层曝光于放射线；

11、(3)将经曝光的感光性树脂层显影；且

12、(4)用上述的电子设备制造液清洗经显影的层。

13、本发明的制造器件的方法包括上述的制造抗蚀剂图案的方法。

14、发明效果

15、通过使用本发明的电子设备制造液，可期望得到以下的一个或多个效果。

16、在精细的抗蚀剂图案中，可使缺陷减少。可在抗蚀剂图案中抑制桥接发生。可在精细的抗蚀剂图案中，防止抗蚀剂图案崩塌。可抑制抗蚀剂图案宽度的不均匀。去除电子设备制造液后，可减少残余物。可降低电子设备制造液的表面张力。可降低电子设备制造液的环境影响。可降低电子设备制造液的处理的危险性。可使电子设备制造液的保存稳定性变得优异。可减低电子设备制造液对抗蚀剂图案带来的影响。

1.一种电子设备制造液，其至少包含：

2.根据权利要求1所述的电子设备制造液，其中，该季铵化合物(c)为季铵氢氧化物；

3.根据权利要求1或2的电子设备制造液，其中，以该电子设备制造液为基准，该阴离子表面活性剂(a)的含量为0.01～10质量％；

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子设备制造液，其进一步包含含有羟基的化合物(d)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子设备制造液，其进一步包含添加剂(e)：

6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子设备制造液，其为半导体制造水溶液；

7.一种制造抗蚀剂图案的方法，其使用权利要求1～6中任一项所述的电子设备制造液。

8.一种制造抗蚀剂图案的方法，其包括下述工序：

9.根据权利要求8所述的制造抗蚀剂图案的方法，其中，所述感光性树脂组合物为化学增幅型感光性树脂组合物，优选地，曝光使用极紫外线进行。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的制造抗蚀剂图案的方法，其中，一个电路单元中的抗蚀剂图案的最小空间尺寸为10～30nm。

11.一种制造器件的方法，其包括权利要求7～10中任一项所述的制造抗蚀剂图案的方法。

12.根据权利要求11所述的制造器件的方法，其中，进一步包括：将用权利要求7～10中任一项所述的方法制造的抗蚀剂图案作为光掩模进行蚀刻，并加工基板。

13.根据权利要求11或12所述的制造器件的方法，其中，进一步包括在已加工的基板上形成布线。