用于光刻仿真的方法、设备和介质与流程

本公开的示例实施例总体涉及集成电路，并且更具体地，涉及一种用于光刻仿真的方法、设备和介质。

背景技术：

1、光刻技术是现代集成电路制造中的一项核心工艺，它负责将掩膜上的版图准确地投影到光刻胶上。光刻胶的形貌轮廓直接决定了半导体器件的关键特征尺寸，即线宽或cd(critical dimension)，这是衡量制程水平的主要指标。特征尺寸越小，表明分辨率越高，工艺越先进。因此，光刻胶形貌的精确性对器件的性能具有决定性的影响。在实际生产中，如何精准地控制光刻胶的形貌，以确保器件的高性能和稳定性，成为了光刻工艺中亟待解决的核心问题之一。

技术实现思路

1、在本公开的第一方面，提供了一种用于光刻仿真的方法。该方法包括：针对多个光刻胶单元中的每个光刻胶单元，基于用户设置的用于近邻相互作用的截断半径，分别确定第一组近邻光刻胶单元和第二组近邻光刻胶单元；基于该光刻胶单元与第一组近邻光刻胶单元之间的相应对势能项，确定该光刻胶单元的对势能；基于该光刻胶单元与第二组近邻光刻胶单元之间的相应嵌入势能项，确定该光刻胶单元的嵌入势能；以及基于针对多个光刻胶单元分别确定的对势能和嵌入势能，确定多个光刻胶单元的总势能。

2、在本公开的第二方面，提供了一种电子设备。该设备包括至少一个处理单元；以及至少一个存储器，至少一个存储器被耦合到至少一个处理单元并且存储用于由至少一个处理单元执行的指令。指令在由至少一个处理单元执行时使设备执行第一方面的用于光刻仿真的方法。

3、在本公开的第三方面，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序可由处理器执行以实现第一方面的用于光刻仿真的方法。

4、在本公开的第四方面，提供了一种计算机程序产品。该计算机程序产品包括计算机可执行指令，这些指令在被处理器执行时，实现根据本公开的第一方面的用于光刻仿真的方法。

5、根据本公开的实施例，引入了用户可设置的截断半径，用于动态地确定每个光刻胶单元的两组近邻光刻胶单元：第一组光刻胶单元和第二组光刻胶单元。这一改进摒弃了传统方法中按照固定数量选择近邻光刻胶单元的方式，极大地提升了势能计算的灵活性和对不同情境的适应性。接着，该方案分别计算光刻胶单元与这两组近邻光刻胶单元之间的对势能和嵌入势能。对势能反映了光刻胶单元间的直接相互作用，而嵌入势能则考虑了更广泛的周围环境影响，两者结合更全面地描述了光刻胶的力学状态。最终，通过汇总所有光刻胶单元的对势能和嵌入势能，得出整个多个光刻胶单元的总势能，从而实现了对光刻胶形貌的高精度、全面模拟。这种方法不仅能够更准确地捕捉光刻胶在复杂多变条件下的形貌变化，还拓宽了光刻胶形貌模拟的适用范围，满足了高精度光刻工艺仿真的迫切需求。

6、应当理解，本内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述而变得容易理解。

技术特征：

1.一种用于光刻仿真的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述多个光刻胶单元中的第一光刻胶单元与所述第一光刻胶单元的所述第一组近邻光刻胶单元之间的相应对势能项是通过如下方式确定的：

3.根据权利要求2所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，确定与应变软化有关的对势能系数包括：

4.根据权利要求1所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，通过最小化所述多个光刻胶单元的总势能，确定所述多个光刻胶单元的相应第一目标位置包括：

6.根据权利要求5所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述多个光刻胶单元的相应第一参考位置是基于与最小化所述多个光刻胶单元的总势能有关的多次迭代中的第一迭代的输入而确定的，并且其中基于所述多个光刻胶单元的相应第一参考位置和所述多个光刻胶单元的相应位移向量，确定所述多个光刻胶单元的相应第一目标位置包括：

7.根据权利要求5所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述目标矩阵是以下至少一项：

8.根据权利要求4所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述多个光刻胶单元中第二光刻胶单元和第三光刻胶单元之间的平衡距离通过是通过如下方式确定的：

9.根据权利要求4所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述多个光刻胶单元位于待仿真的光刻胶区域中，所述方法还包括：

10.根据权利要求9所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，基于所述多个光刻胶单元的相应第一目标位置，确定所述光刻胶区域的形貌包括：

11.一种电子设备，其特征在于，包括：

12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至10任一项所述的用于光刻仿真的方法。

13.一种计算机程序产品，其特征在于，包括计算机可执行指令，其中所述计算机可执行指令在被处理器执行时实现根据权利要求1至10中任一项所述的用于光刻仿真的方法。

技术总结本公开的实施例涉及一种用于光刻仿真的方法、设备和介质，在此提出的方法包括：针对多个光刻胶单元中的每个光刻胶单元，基于用户设置的用于近邻相互作用的截断半径，分别确定第一组近邻光刻胶单元和第二组近邻光刻胶单元；基于该光刻胶单元与第一组近邻光刻胶单元之间的相应对势能项，确定该光刻胶单元的对势能；基于该光刻胶单元与第二组近邻光刻胶单元之间的相应嵌入势能项，确定该光刻胶单元的嵌入势能；以及基于针对多个光刻胶单元分别确定的对势能和嵌入势能，确定多个光刻胶单元的总势能。以此方式，不仅能够更准确地捕捉光刻胶在复杂多变条件下的形貌变化，还拓宽了光刻胶形貌模拟的适用范围。技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名受保护的技术使用者：全芯智造技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4