一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法与流程

本发明涉及光罩制程，具体是涉及一种psm制程中去除铬残留的蚀刻方法。

背景技术：

1、相移掩模(phase shift mask,psm)是同时利用光线的强度和相位来成像，得到更高分辨率的一种分辨率增强技术。对于相位偏转光罩而言，产品必须保证在图案区域位置不能出现mosi表层有cr的状况，mosi表层上的cr会导致出现相位误差，严重影响晶圆的生产良率。因此表层cr残留的控制对于光罩生产来说至关重要，是光罩产品良率和品质的重要指标。

2、现有相位偏转光罩上cr的蚀刻是采用化学蚀刻和物理蚀刻相结合的方式，通常是采用icp机台来实现，其蚀刻原理为蚀刻气体(o2/cl2)在上电极频率为13.56m hz的作用下，外围自由电子由于质量轻，容易挣脱成为离子，剩下的为聚合物。离子主要在物理轰击中起作用，聚合物主要在化学蚀刻中起作用。icp plasma的化学蚀刻方向是旋转式的，较小的偏置电压的物理轰击与化学蚀刻协同增强蚀刻速率，这部分蚀刻速率约是单独化学蚀刻的十倍。由于化学蚀刻的方向性为旋转式，在保证phase shift mask的phase(相位)和trans(穿透)符合要求的标准之内，需要降低光罩中心区域的二氧化硅蚀刻，所以中心位置容易蚀刻不足，产生此类团聚但尺寸很小的cr残留(residual)，需要对cr残留采用湿法化学蚀刻的方式将其去除，这大大延长了工艺时间，且增加了成本。

技术实现思路

1、本发明旨在提供一种，以解决现有的问题。

2、具体方案如下：

3、1.一种psm制程中去除铬残留的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

4、s1、提供光罩基板，基板上具有mosi层，mosi层上覆盖有cr层，cr层还覆盖有光阻；光罩基板经图形描画、曝光显影制程后将图形区域的光阻去除；

5、s2、将光罩基板放入icp机台内，利用icp机台的射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对cr层进行物理轰击和化学反应，将未被光阻覆盖区域的cr层蚀刻掉；

6、s3、在cr层主蚀刻完成之后，将icp机台的偏置电压调节为零，仅使用化学蚀刻的方式将中心的cr残留去除。

7、进一步的，步骤s2的工艺中，icp机台的rf功率为220-300w、偏置电压为10-20w、气体比例o2:cl2＝1:6。

8、进一步的，步骤s3的工艺中，icp机台的rf功率为220-300w、偏置电压为0、气体比例o2:cl2＝1:6。

9、本发明提供的psm制程中去除铬残留的蚀刻方法与现有技术相比较具有以下优点：本发明提供的psm制程中去除铬残留的蚀刻方法是在icp机台内完成主蚀刻制程后，将偏置电压调节为零，仅使用化学蚀刻将中心的cr残留去除，由于单纯的化学蚀刻由于仅有化学反应，氯氧电浆对于mosi层和二氧化硅层的时刻速率远小于蚀刻cr的速率，因此采用此种蚀刻搭配可以在保证mosi层的相位和穿透都符合要求的前提下，将中心的cr残留去除，保证产品品质的完整性。

技术特征：

1.一种psm制程中去除铬残留的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：步骤s2的工艺中，icp机台的rf功率为220-300w、偏置电压为10-20w、气体比例o2:cl2＝1:6。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：步骤s3的工艺中，icp机台的rf功率为220-300w、偏置电压为0、气体比例o2:cl2＝1:6。

技术总结本发明涉及一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法，其是在ICP机台内完成主蚀刻制程后，将偏置电压调节为，仅使用化学蚀刻将中心的Cr残留去除，由于单纯的化学蚀刻由于仅有化学反应，氯氧电浆对于Mosi层和二氧化硅层的时刻速率远小于蚀刻Cr的速率，因此采用此种蚀刻搭配可以在保证Mosi层的相位和穿透都符合要求的前提下，将中心的Cr残留去除，保证产品品质的完整性。技术研发人员：黄绍春,黄宇光,黄志贤受保护的技术使用者：厦门美日丰创光罩有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/14