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数字光刻术中用于裸晶位置改正的封装成像的制作方法

  • 国知局
  • 2024-11-21 11:54:32

本公开内容大体上关于光刻系统。更详细而言,本公开内容描述了用于在用数字光刻术沉积迹线(trace)之前改正封装中裸晶放置的相机系统。

背景技术:

1、数字光刻技术被广泛用于半导体器件的制造,如半导体器件、液晶显示器(lcd)和发光二极管(led)显示器的后端处理。例如,大面积的基板经常被用于制造液晶显示器或平板显示器,它们通常用于有源矩阵(active matrix)显示器,如计算机、触控面板设备、个人数字助理(pda)、蜂巢式电话、电视监视器和类似物。一般来说,平板显示器在每个像素处都包括夹在两个板子之间的一层液晶材料作为相变材料。当来自电源供应器的电源横跨或穿过液晶材料施加时,各像素位置处通过液晶材料的光量得到了控制(即选择性地调变),从而使图像能够产生在显示器上。

2、传统的数字光刻系统利用可以利用一个或多个图像投影系统。每个图像投影系统被配置为将一个或多个写入光束投射到基板表面上的光刻胶层中。每个图像投影系统将一个或多个写入光束投射到基板的表面。一个图案(也称为掩模图案)通过由投影透镜系统投射的写入光束来写入到基板表面上的光刻胶层中。微光刻(microlithography)技术已用于创建电气特征,这些电气特征被并入作为形成像素的液晶材料层的一部分。依据这些技术,将光敏光刻胶施加到基板的至少一个表面上。然后,图案产生器将光敏光刻胶的所选区域作为图案的一部分用光暴露,以导致选择性区域中的光刻胶发生化学变化,以准备这些选择性区域用于后续的材料移除和/或材料添加过程,以产生电气特征。

技术实现思路

1、在一些实施例中,一种系统可以包括:第一半导体处理站,包括:一个或多个相机;以及第一控制器,被配置为执行第一操作,所述第一操作包括:从基板的设计文件接收针对所述基板上的多个裸晶的第一位置;导致所述一个或多个相机捕捉所述多个裸晶在所述第一位置处的图像;基于所述裸晶在所述第一位置处的所述图像,确定针对所述多个裸晶的第二位置,所述第二位置与所述多个裸晶在所述基板上的实际位置相关联;以及确定所述第一位置与所述第二位置之间的差异。所述系统还可以包括:第二半导体处理站,被配置为在图像被所述第一半导体处理站捕捉之后接收所述基板。所述第二半导体处理站可以包括:数字光刻系统;以及第二控制器,被配置为执行第二操作,所述第二操作包括:产生或调整针对所述数字光刻系统的指令,以补偿所述第一位置与所述第二位置之间的所述差异;以及导致所述数字光刻系统使用所述指令对所述基板执行数字光刻工艺。

2、在一些实施例中,一个或多个非暂时性计算机可读取媒体可以包括指令,所述指令当由一个或多个处理器执行时,导致所述一个或多个处理器执行包括以下步骤的操作:从基板的设计文件接收针对所述基板上的多个裸晶的第一位置;导致一个或多个相机捕捉所述多个裸晶在所述第一位置处的图像;基于所述裸晶在所述第一位置处的所述图像,确定针对所述多个裸晶的第二位置,所述第二位置与所述多个裸晶在所述基板上的实际位置相关联;确定所述第一位置与所述第二位置之间的差异;以及导致产生或调整数字光刻站的指令,以补偿所述第一位置与所述第二位置之间的所述差异。

3、在一些实施例中,一种调整数字光刻术以补偿裸晶放置误差的方法可以包括:从基板的设计文件接收针对所述基板上的多个裸晶的第一位置;导致一个或多个相机捕捉所述多个裸晶在所述第一位置处的图像;基于所述裸晶在所述第一位置处的所述图像,确定针对所述多个裸晶的第二位置,所述第二位置与所述多个裸晶在所述基板上的实际位置相关联;确定所述第一位置与所述第二位置之间的差异;以及导致产生或调整数字光刻站的指令,以补偿所述第一位置与所述第二位置之间的所述差异。

4、在任何实施例中,以下任何和所有的特征都可以以任何组合且不受限制地实施。所述一个或多个相机可以包括多个相机。所述第一操作可以进一步包括:接收所述基板上成行的一定数量的裸晶;以及导致所述多个相机被隔开,使得所述多个相机布置成行,并基于所述基板上成所述行的裸晶的所述数量来隔开。所述第一操作可以进一步包括:接收所述基板上成列的一定数量的裸晶;以及导致所述多个相机被隔开,使得所述多个相机也布置成列,并基于所述基板上成所述列的裸晶的所述数量来隔开。所述系统可以进一步包括机器手臂,所述机器手臂在所述第一半导体处理站与所述第二半导体处理站之间移动所述基板。所述系统可以进一步包括与所述一个或多个相机定位在一起的一个或多个位移传感器,所述一个或多个位移传感器可以被配置为测量所述一个或多个相机与所述一个或多个相机捕捉所述多个裸晶在所述第一位置处的所述图像的所述位置处的所述基板之间的距离。所述第一操作可以进一步包括:确定所述一个或多个相机与所述基板之间的距离;以及基于所述距离调整所述一个或多个相机的焦点。所述多个裸晶的所述第一位置与所述第二位置之间的所述差异可能是由将所述多个裸晶黏着在所述基板上时的错位造成的。所述第一位置可以包括所述多个裸晶上的对准特征的预期位置。所述第二位置可以包括在被安装在基板上之后的所述多个裸晶上的所述对准特征的实际位置。所述一个或多个相机可以包括配置为对所述裸晶的所述图像执行线扫描捕捉的一个或多个线扫描相机。所述裸晶的所述图像可以包括线扫描,所述线扫描沿着所述第一位置表明所述多个裸晶上的对准特征的位置的线。所述方法/所述操作还可以包括:导致所述一个或多个相机捕捉所述基板上的一个或多个全局对准特征的图像,以对准所述基板。所述第一位置可以表明所述多个裸晶中的一者的斜面边缘或裸晶拐角。所述方法/所述操作还可以包括:用所述基板上的所述多个裸晶的所述实际位置的x/y坐标更新通用计量文件。所述多个裸晶的所述图像中的一个图像可以包括一个视野,所述视野捕捉所述图像中的所述第一位置中的多个第一位置。所述方法/所述操作还可以包括:最大化所述一个或多个相机的视野,使得所述一个或多个相机的分辨率仍然能够准确地识别所述第二位置。所述一个或多个相机可以包括基于所述多个相机的视野隔开的多个相机。

技术特征:

1.一种系统,包括:

2.如权利要求1所述的系统,其中所述一个或多个相机包括多个相机。

3.如权利要求2所述的系统,其中所述第一操作进一步包括:

4.如权利要求3所述的系统,其中所述第一操作进一步包括:

5.如权利要求1所述的系统,所述系统进一步包括机器手臂,所述机器手臂在所述第一半导体处理站与所述第二半导体处理站之间移动所述基板。

6.如权利要求1所述的系统,所述系统进一步包括与所述一个或多个相机定位在一起的一个或多个位移传感器,所述一个或多个位移传感器被配置为测量所述一个或多个相机与所述一个或多个相机捕捉在所述第一位置处的所述多个裸晶的所述图像的所述位置处的所述基板之间的一距离。

7.如权利要求6所述的系统,其中所述第一操作进一步包括:

8.如权利要求1所述的系统,其中所述多个裸晶的所述第一位置与所述第二位置之间的所述差异是由将所述多个裸晶黏着在所述基板上时的错位造成的。

9.一个或多个包括指令的非暂时性计算机可读取媒体,所述指令当由一个或多个处理器执行时,导致所述一个或多个处理器执行包括以下步骤的操作:

10.如权利要求9所述的所述一个或多个非暂时性计算机可读取媒体,其中所述第一位置包括所述多个裸晶上的对准特征的预期位置。

11.如权利要求10所述的所述一个或多个非暂时性计算机可读取媒体,其中所述第二位置包括在被安装在基板上之后的所述多个裸晶上的所述对准特征的实际位置。

12.如权利要求9所述的所述一个或多个非暂时性计算机可读取媒体,其中所述一个或多个相机包括配置为对所述裸晶的所述图像执行线扫描捕捉的一个或多个线扫描相机。

13.如权利要求12所述的所述一个或多个非暂时性计算机可读取媒体,其中所述裸晶的所述图像包括线扫描,所述线扫描沿着所述第一位置表明所述多个裸晶上的对准特征的位置的线。

14.如权利要求9所述的所述一个或多个非暂时性计算机可读取媒体,其中所述操作进一步包括:导致所述一个或多个相机捕捉所述基板上的一个或多个全局对准特征的图像,以对准所述基板。

15.一种调整数字光刻术以补偿裸晶放置误差的方法,所述方法包括:

16.如权利要求15所述的方法,其中所述第一位置表明所述多个裸晶中的一者的斜面边缘或裸晶拐角。

17.如权利要求15所述的方法,所述方法进一步包括:用所述基板上的所述多个裸晶的所述实际位置的x/y坐标更新通用计量文件。

18.如权利要求15所述的方法,其中所述多个裸晶的所述图像中的图像包括视野,所述视野捕捉所述图像中的多个所述第一位置。

19.如权利要求15所述的方法,所述方法进一步包括:最大化所述一个或多个相机的视野,使得所述一个或多个相机的分辨率仍然能够准确地识别所述第二位置。

20.如权利要求15所述的方法,其中所述一个或多个相机包括基于所述多个相机的视野隔开的多个相机。

技术总结可以在不对基板使用全面计量扫描的情况下识别基板封装上的裸晶的实际实体位置。相反地,可以使用一个或多个相机基于对准特征在封装的设计文件中的预期定位是基板来高效地定位任何对准特征的近似位置。然后,可以将相机移动到对准特征应该在的位置,并且可以捕捉图像,以确定对准特征的实际位置。然后,可以使用对准特征的这些实际位置来识别裸晶的坐标,以及裸晶在封装上的旋转和/或变化高度。可以使用来自设计文件的预期位置与实际实体位置之间的差异来调整针对数字光刻系统的指令,以补偿裸晶的错位。技术研发人员:乌尔里希·穆勒,王修仁,郭士豪,建峰·陈受保护的技术使用者:应用材料公司技术研发日:技术公布日:2024/11/18

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