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用于天线的被动辐射冷却膜的制作方法

  • 国知局
  • 2024-11-21 11:55:04

背景技术:

1、包括5g天线的蜂窝天线正在高速安装。如今,蜂窝天线仅需通过铝制热传递翅片或销进行对流冷却即可在背面进行冷却。天线的尺寸和信息传输速率受到热量的限制。除了对流冷却材料之外,在天线的正面和背面施加创新的辐射冷却材料将降低天线的温度,从而实现更高的信息传输速率。

技术实现思路

1、一种与天线一起使用的冷却膜包括抗污层,该抗污层固定到反射微孔层的第一主表面。该反射微孔层包含第一含氟聚合物,并且对在400纳米至2500纳米范围内的大多数波长的电磁辐射具有漫反射性。该抗污层具有与该反射微孔层相背的面向外的抗污表面。该膜被成形为自支撑三维结构并且被配置用于将该膜固定到该天线的正面、相邻表面或背面以用于冷却该天线。另外,可通过将金属化太阳反射器附接到现有的铝(或其他金属)制散热器的翅片和基底来实现天线背面上的增强的冷却。该金属化太阳反射器还具有抗污层和位于该抗污层与该金属化太阳反射器之间的高热发射率材料。

技术特征:

1.一种冷却膜,所述冷却膜包括:

2.根据权利要求1所述的冷却膜,所述冷却膜还包括位于所述自支撑三维结构内部的导热材料。

3.根据权利要求1所述的冷却膜,其中所述自支撑三维结构包括翅片。

4.根据权利要求1所述的冷却膜,其中所述反射微孔层在8微米至13微米的波长范围内具有至少50%的平均吸收率。

5.根据权利要求1所述的冷却膜,所述冷却膜还包括红外吸收层,所述红外吸收层固定到所述膜的与所述第一主表面相背的第二主表面,其中所述红外吸收层在4微米至20微米的波长范围内具有至少50%的平均吸收率。

6.根据权利要求5所述的冷却膜,其中所述红外吸收层与所述抗污层相背地固定到所述反射微孔层。

7.根据权利要求1所述的冷却膜,所述冷却膜还包括辅助反射微孔层,所述辅助反射微孔层与所述抗污层相背地固定到所述反射微孔层。

8.根据权利要求1所述的冷却膜,其中所述反射微孔层包含第一含氟聚合物,并且对在300纳米至3000纳米范围内的大多数波长的电磁辐射具有漫反射性。

9.根据权利要求1所述的冷却膜,其中所述面向外的抗污表面包括叠加在微结构化表面上的纳米结构化表面。

10.根据权利要求1所述的冷却膜,其中所述抗污层包含第二含氟聚合物。

11.根据权利要求1所述的冷却膜,其中所述反射微孔层包括微空隙聚合物膜。

12.根据权利要求11所述的冷却膜,其中所述微空隙聚合物膜还包括聚合物颗粒。

13.一种冷却膜,所述冷却膜包括:

14.根据权利要求13所述的冷却膜,所述冷却膜还包括位于所述自支撑三维结构内部的导热材料。

15.根据权利要求13所述的冷却膜,所述冷却膜还包括位于所述自支撑三维结构内部的金属翅片。

16.根据权利要求13所述的冷却膜,其中所述自支撑三维结构包括翅片。

17.根据权利要求13所述的冷却膜,其中所述太阳反射多层膜在8微米至13微米的波长范围内具有至少50%的平均吸收率。

18.根据权利要求13所述的冷却膜,所述冷却膜还包括红外吸收层,所述红外吸收层固定到所述膜的与所述第一主表面相背的第二主表面。

19.根据权利要求18所述的冷却膜,其中所述红外吸收层在4微米至20微米的波长范围内具有至少50%的平均吸收率。

20.根据权利要求18所述的冷却膜,其中所述红外吸收层与所述抗污层相背地固定到所述太阳反射多层膜。

21.一种具有根据权利要求1至12中任一项所述的冷却膜的天线,所述冷却膜固定到所述天线的正面或背面。

22.一种具有根据权利要求1至12中任一项所述的冷却膜的天线,所述冷却膜用压敏粘合剂固定到所述天线的正面或背面。

23.一种具有根据权利要求1至12中任一项所述的冷却膜的天线,所述冷却膜用熔点低于150℃的含氟聚合物热熔融粘合剂固定到所述天线的正面。

24.一种具有根据权利要求13至20中任一项所述的冷却膜的天线,所述冷却膜固定到所述天线的背面。

25.一种具有根据权利要求13至20中任一项所述的冷却膜的天线,所述冷却膜用粘合剂固定到所述天线的背面上的散热器翅片。

技术总结一种用于被动地冷却天线的冷却膜包括抗污层,该抗污层固定到反射微孔层的第一主表面。该反射微孔层包含第一含氟聚合物,并且对在400纳米至2500纳米范围内的大多数波长的电磁辐射具有漫反射性。该膜还可包括红外吸收层,该红外吸收层固定到该膜的与第一主表面相背的第二主表面,并且该红外吸收层任选地被金属化。该膜被成形为自支撑三维结构诸如翅片,并且导热材料位于该结构内部并且固定到该天线的一部分,对于非金属化膜而言固定到该天线的正面,或者对于该金属化膜而言固定到该天线的背面。技术研发人员:蒂莫西·J·赫布林克,蓬图斯·布罗德纳,约翰·P·巴埃佐尔德,德里克·J·德纳,查尔斯·A·希尔受保护的技术使用者:3M创新有限公司技术研发日:技术公布日:2024/11/18

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