一种中介层及其制备方法、系统级封装结构与流程

本发明涉及半导体，具体为一种中介层及其制备方法、系统级封装结构。

背景技术：

1、由于产品功能需求，目前sip(system-in-package，系统级封装)制程需要将部分主板电路扇出(fan-out)塑封体(molding package)供后续测试或hot bar制程，比如，将主板上部分电路监测点引至塑封体表面方便后续测试。

2、为了实现上述功能，目前在sip封装的smt打件过程中，采用中介层interposer作为扇出中间连接件，该中介层设计为上下对称结构，如图4所示，左边为中介层的俯视图，有6行10列焊盘，右边为中介层的剖视图，上焊盘1与下焊盘2对称，经通孔电性连接。

3、该工艺存在的问题如下：

4、因中介层上表面的焊盘(pad)尺寸以及焊盘间距受后续工艺或测试点的尺寸设计限制，无法缩小。由于目前使用的interposer中介层为柱状，底部pad与顶部pad对称设计，导致底部焊盘尺寸以及底部焊盘间距无法缩小，此类中介层组装到主板上将占用主板较大的布局空间，影响了主板上的元件布局。

技术实现思路

1、本发明的目的之一是提供一种中介层及其制备方法、系统级封装结构，用于解决现有技术中存在的问题。

2、本发明提供的技术方案如下：

3、一种中介层，包括：一垂直主体和一水平分支，水平分支从垂直主体的顶部向外延伸；垂直主体的顶部与水平分支的底部相接触，形成t型结构；

4、垂直主体从底部向顶部方向依次包括底部铜箔层和第一绝缘层，底部铜箔层上设有若干第一焊盘；

5、水平分支从底部向顶部方向依次包括阻断铜箔层、第二绝缘层和顶部铜箔层；顶部铜箔层上设有与第一焊盘一一对应的第二焊盘；垂直主体底部的面积小于水平分支顶部的面积；

6、每个第一焊盘位置上设有贯穿第一绝缘层和阻断铜箔层的过孔，第一焊盘通过过孔与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接。

7、在一些实施例中，水平分支在阻断铜箔层与顶部铜箔层之间还包括n个第一铜箔层，n>＝1；从阻断铜箔层至顶部铜箔层，相邻铜箔层之间设有第二绝缘层；

8、第一焊盘通过所述过孔与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接包括：第一焊盘通过过孔电性连接至第一铜箔层，经第一铜箔层与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接。

9、在一些实施例中，第一绝缘层的高度大于分平分支的高度。

10、本发明还提供一种中介层的制备方法，包括：

11、制作一多层印刷电路板pcb板，pcb板从下往上依次包括底部铜箔层、第一绝缘层、阻断铜箔层和顶部铜箔层，在阻断铜箔层与顶部铜箔层之间设有第二绝缘层；底部铜箔层上设有若干第一焊盘组，第一焊盘组包含若干第一焊盘；顶部铜箔层上设有若干与第一焊盘组对应的第二焊盘组，第二焊盘组包含与第一焊盘一一对应的第二焊盘；第一焊盘组的面积小于第二焊盘组的面积；每个第一焊盘位置上设有贯穿第一绝缘层和阻断铜箔层的过孔，第一焊盘通过过孔与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接；

12、移除pcb板上相邻第一焊盘组之间的第一绝缘层；

13、沿着相邻第二焊盘组之间的中线对pcb板进行切割，以得到切割后的中介层。

14、在一些实施例中，第一焊盘通过过孔与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接，包括：第一焊盘通过过孔电性连接至顶部铜箔层，经顶部铜箔层与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接。

15、在一些实施例中，pcb板在阻断铜箔层与顶部铜箔层之间还包括n个第一铜箔层，n>＝1；从阻断铜箔层至顶部铜箔层，相邻铜箔层之间设有第二绝缘层；

16、第一焊盘通过过孔与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接，包括：

17、第一焊盘通过过孔电性连接至第一铜箔层，经第一铜箔层与位于顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接。

18、在一些实施例中，第一焊盘组由x行y列的第一焊盘构成；

19、pcb板在阻断铜箔层与顶部铜箔层之间还包括n个第一铜箔层，其中n等于x和y的最小值除以2得到的商向上取整的结果。

20、在一些实施例中，采用激光或蚀刻移除pcb板上相邻第一焊盘组之间的第一绝缘层。

21、本发明还提供一种系统级封装结构，包括：

22、主板；

23、电子元件，安装于主板的表面；

24、前述任一实施例所述的中介层，通过其垂直主体安装于主板的表面；

25、塑封体，包裹电子元件和中介层，且中介层的水平分支的顶部露出塑封体。

26、在一些实施例中，至少一个电子元件安装在中介层的水平分支与垂直主体及主板形成的至少一个间隙中。

27、通过本发明提供的一种中介层及其制备方法、系统级封装结构，至少能够带来以下有益效果：本发明提供的中介层实现了扇出连接功能，结构呈t型，节省了其安装在主板上所占用的空间，提高了主板的空间利用率。

技术特征：

1.一种中介层，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的中介层，其特征在于，包括：

3.根据权利要求1所述的中介层，其特征在于，包括：

4.一种中介层的制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一焊盘通过所述过孔与位于所述顶部铜箔层的对应的第二焊盘电性连接，包括：

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

9.一种系统级封装结构，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的系统级封装结构，其特征在于，包括：

技术总结本发明提供了一种中介层及其制备方法、系统级封装结构，该中介层包括：一垂直主体和一水平分支，垂直主体与水平分支形成T型结构；垂直主体包括底部铜箔层和第一绝缘层，底部铜箔层设有若干第一焊盘；水平分支包括阻断铜箔层、第二绝缘层和顶部铜箔层，顶部铜箔层设有与第一焊盘一一对应的第二焊盘，垂直主体底部的面积小于水平分支顶部的面积；每个第一焊盘位置上设有贯穿第一绝缘层和阻断铜箔层的过孔，第一焊盘通过过孔与对应的第二焊盘电性连接。本发明提供的中介层实现了扇出连接功能，结构呈T型，其垂直主体与主板连接，节省了安装在主板上所占用的空间，提高了主板的空间利用率。技术研发人员：华应锋,刘德权,王奇辉,王高航,陈思浪受保护的技术使用者：环维电子（上海）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/21