一种优化的通电电流抑制电路的制作方法

【】本技术涉及电路设计，特别涉及一种优化的通电电流抑制电路。

背景技术

0、背景技术：

1、电器设备内部通常都有电源转换电路，将外部的电源转换为可以满足内部电路电压、电流需求的内部电源，为了保证内部电源输出稳定，这部分电源转换电路经常会用到容值大的滤波电容，这样在通电时滤波电容充电，因为电路输入内阻小，充电阶段就会形成一个大的冲击电流，这个冲击电流会对输入保险丝产生强烈冲击，当滤波电容容值大、输入电压高时，如果选用保险丝的额定电流不够大，就有可能造成保险丝熔断，如果增大保险丝的额定电流，又会造成保险丝反应不灵敏，应该保护熔断时反应迟缓，不能很好的起到保护作用。

技术实现思路

0、技术实现要素：

1、为了克服上述问题，本实用新型提出一种可有效解决上述问题的优化的通电电流抑制电路。

2、本实用新型解决上述技术问题提供的一种技术方案是：提供一种优化的通电电流抑制电路，包括火线l和零线n，所述火线l的输入端连接有保险丝f1，所述火线l和零线n之间并联有压敏电阻rv1、安规电容cx1和放电电阻，所述压敏电阻rv1位于保险丝f1的后端，安规电容cx1位于压敏电阻rv1的后端，放电电阻位于安规电容cx1的后端，所述放电电阻的后端连接有共模电感l1，所述共模电感l1的后端连接有整流桥db1，所述整流桥db1的后端连接有整流滤波电解电容ec1；所述火线l和零线n之间还并联有第一电容c1和第二电容c2，所述火线l上串联有ntc热敏电阻rt1。

3、优选地，所述第一电容c1、第二电容c2、ntc热敏电阻rt1和共模电感l1构成π型滤波电路。

4、优选地，所述第一电容c1位于安规电容cx1和放电电阻之间，所述第二电容c2位于共模电感l1和整流桥db1之间，所述ntc热敏电阻rt1位于放电电阻和共模电感l1之间。

5、优选地，所述第一电容c1和第二电容c2位于整流桥db1和整流滤波电解电容ec1之间，所述ntc热敏电阻rt1位于第一电容c1和第二电容c2之间。

6、优选地，所述第一电容c1位于压敏电阻rv1和安规电容cx1之间，所述ntc热敏电阻rt1位于第一电容c1和安规电容cx1之间，所述第二电容c2位于共模电感l1和整流桥db1之间。

7、优选地，所述共模电感l1两侧绕组匝数不同。

8、优选地，所述放电电阻包括第一电阻r1和第二电阻r2，第一电阻r1和第二电阻r2串联。

9、与现有技术相比，本实用新型的优化的通电电流抑制电路既能实现抑制通电冲击电流，又可以改善电路的emc/emi效果，只增加3个元器件，实现成本低、占用体积小，ntc热敏电阻自身形成负反馈，简捷实用，可靠性高。

技术特征：

1.一种优化的通电电流抑制电路，其特征在于，包括火线l和零线n，所述火线l的输入端连接有保险丝f1，所述火线l和零线n之间并联有压敏电阻rv1、安规电容cx1和放电电阻，所述压敏电阻rv1位于保险丝f1的后端，安规电容cx1位于压敏电阻rv1的后端，放电电阻位于安规电容cx1的后端，所述放电电阻的后端连接有共模电感l1，所述共模电感l1的后端连接有整流桥db1，所述整流桥db1的后端连接有整流滤波电解电容ec1；

2.如权利要求1所述的优化的通电电流抑制电路，其特征在于，所述第一电容c1、第二电容c2、ntc热敏电阻rt1和共模电感l1构成π型滤波电路。

3.如权利要求1所述的优化的通电电流抑制电路，其特征在于，所述第一电容c1位于安规电容cx1和放电电阻之间，所述第二电容c2位于共模电感l1和整流桥db1之间，所述ntc热敏电阻rt1位于放电电阻和共模电感l1之间。

4.如权利要求1所述的优化的通电电流抑制电路，其特征在于，所述第一电容c1和第二电容c2位于整流桥db1和整流滤波电解电容ec1之间，所述ntc热敏电阻rt1位于第一电容c1和第二电容c2之间。

5.如权利要求1所述的优化的通电电流抑制电路，其特征在于，所述第一电容c1位于压敏电阻rv1和安规电容cx1之间，所述ntc热敏电阻rt1位于第一电容c1和安规电容cx1之间，所述第二电容c2位于共模电感l1和整流桥db1之间。

6.如权利要求1所述的优化的通电电流抑制电路，其特征在于，所述共模电感l1两侧绕组匝数不同。

7.如权利要求1所述的优化的通电电流抑制电路，其特征在于，所述放电电阻包括第一电阻r1和第二电阻r2，第一电阻r1和第二电阻r2串联。

技术总结本技术涉及电路设计技术领域，特别涉及一种优化的通电电流抑制电路，火线L和零线N之间并联有压敏电阻RV1、安规电容CX1和放电电阻，压敏电阻RV1位于保险丝F1的后端，安规电容CX1位于压敏电阻RV1的后端，放电电阻位于安规电容CX1的后端，放电电阻的后端连接有共模电感L1，共模电感L1的后端连接有整流桥DB1，整流桥DB1的后端连接有整流滤波电解电容EC1，火线L和零线N之间还并联有第一电容C1和第二电容C2，火线L上串联有NTC热敏电阻RT1。与现有技术相比，本技术的优化的通电电流抑制电路既能实现抑制通电冲击电流，又可以改善电路的EMC/EMI效果。技术研发人员：陈遂佰,戴上举受保护的技术使用者：深圳华秋电子有限公司技术研发日：20240411技术公布日：2024/12/23