一种芯片抗干扰结构的制作方法

本技术涉及芯片，具体涉及一种芯片抗干扰结构。

背景技术：

1、芯片在光刻生产之后，由于受到工艺以及晶元材料的限制，芯片的厚度较薄，一般为80um，使得芯片本身的物理强度不足，所以芯片在受到外部压力或者由于温度变化导致材料热胀冷缩等所带来的受力情况下，容易发生形变或者开裂，在芯片使用运输储存的过程增加芯片损坏的风险。

2、其次，芯片通常分为两块区域，在芯片中央有一块像素感光区域，用于接受光产生电子，在感光区域的周围则是芯片的数字模拟电路以及芯片的管脚。理论上光子只会被感光区域的像素所吸收，但是当光子打到感光区域的四周区域时，由于整个芯片采用的cmos工艺技术，并且近红外光在cmos半导体材料内具有很强的穿透能力，因此感光区域四周具有同材质的cmos数字模拟电路区域也会吸收光子，然后在芯片底层产生电子，进而可能流向感光区域，这种现象称作寄生光敏感性(pls)，寄生光敏现象会对器件引入干扰并产生错误的电子噪声，从而影响器件的信号质量和性能稳定性。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种芯片抗干扰结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种芯片抗干扰结构，适用于芯片本体，所述芯片本体设置感光区域，所述芯片本体上设置覆盖层，所述覆盖层位于所述感光区域四周，用于覆盖所述芯片本体的非感光区域。

3、优选的，所述覆盖层采用非透明材料制成。

4、优选的，所述覆盖层开设通孔，所述感光区域位于所述通孔内。

5、优选的，所述通孔的内边缘与所述感光区域外边缘之间设置隔离带。

6、优选的，所述芯片本体顶部设置粘接层。

7、优选的，所述芯片本体与所述覆盖层通过所述粘接层连接。

8、优选的，所述粘接层与所述覆盖层的形状相同。

9、优选的，所述覆盖层的厚度为300um～310um。

10、优选的，所述芯片本体底部设置若干个焊接球。

11、该芯片抗干扰结构具备以下有益效果：

12、1、该芯片抗干扰结构，在芯片本体上设置了覆盖层，使得整个芯片的厚度大大增加，从而有效增加了芯片整体的强度。

13、2、该芯片抗干扰结构，芯片本体的非感光区域上的数字模拟电路被覆盖层所遮挡，覆盖层隔绝了芯片本体中非感光区域与环境光的接触，降低芯片本体的寄生光敏感性，防止数字模拟电路被干扰并产生错误的电子噪声，从而提高器件的信号质量和性能稳定性。

技术特征：

1.一种芯片抗干扰结构，适用于芯片本体(1)，所述芯片本体(1)设置感光区域(11)，其特征在于：所述芯片本体(1)上设置覆盖层(3)，所述覆盖层(3)位于所述感光区域(11)四周，用于覆盖所述芯片本体(1)的非感光区域。

2.根据权利要求1所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述覆盖层(3)采用非透明材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述覆盖层(3)开设通孔(31)，所述感光区域(11)位于所述通孔(31)内。

4.根据权利要求3所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述通孔(31)的内边缘与所述感光区域(11)外边缘之间设置隔离带。

5.根据权利要求1所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述芯片本体(1)顶部设置粘接层(2)。

6.根据权利要求5所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述芯片本体(1)与所述覆盖层(3)通过所述粘接层(2)连接。

7.根据权利要求6所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述粘接层(2)与所述覆盖层(3)的形状相同。

8.根据权利要求1所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述覆盖层(3)的厚度为300um～310um。

9.根据权利要求1所述的一种芯片抗干扰结构，其特征在于：所述芯片本体(1)底部设置若干个焊接球(4)。

技术总结本技术涉及芯片技术领域，且公开了一种芯片抗干扰结构，适用于芯片本体，芯片本体设置感光区域，芯片本体上设置覆盖层，覆盖层位于感光区域四周，用于覆盖芯片本体的非感光区域。该芯片抗干扰结构，在芯片本体上设置了覆盖层，使得整个芯片的厚度大大增加，从而有效增加了芯片整体的强度；芯片本体的非感光区域上的数字模拟电路被覆盖层所遮挡，覆盖层隔绝了芯片本体中非感光区域与环境光的接触，降低芯片本体的寄生光敏感性，防止数字模拟电路被干扰并产生错误的电子噪声，从而提高器件的信号质量和性能稳定性。技术研发人员：金丰,陈凯风受保护的技术使用者：芯探（上海）科技有限公司技术研发日：20240511技术公布日：2024/12/23