一种封装结构和相应的制备方法与流程

本发明涉及封装，具体为一种封装结构和相应的制备方法。

背景技术：

1、目随着半导体产品向着高密度、高集成、小尺寸方向发展，越来越多的人把技术突破口放在先进封装研发上。3d封装固然能很好的提高io密度和电性能，但是还需要进一步提高表面积和空间的利用率，实现更多的io集成。

技术实现思路

1、本发明的目的在于解决如何实现更多io集成的问题，提供了一种封装结构和相应的制备方法。

2、为了实现上述目的，本发明提供一种封装结构，包括：

3、环状电路板；

4、位于所述环状电路板一端的第一转接板，所述第一转接板用于将所述环状电路板和外部结构电连接；

5、其中，所述环状电路板包括环状介质层、位于所述环状介质层表面的第一芯片和位于所述环状介质层中的第一管脚、第一金属线路，所述第一金属线路连接所述第一芯片和相应的第一管脚，所述环状介质层的一端具有第一端面，所述第一管脚暴露于所述第一端面，所述第一转接板面向所述环状电路板的一侧表面具有和所述第一管脚相对应的第一焊盘，所述第一焊盘和对应的第一管脚相连接，实现所述第一转接板和所述环状电路板电连接。

6、作为一种可实施方式，所述环状电路板为至少一个，当所述环状电路板为至少两个时，至少两个环状电路板呈套娃式排列，且至少两个环状电路板之间具有间隔。

7、作为一种可实施方式，还包括：

8、位于所述环状电路板另一端的第二转接板，所述第二转接板表面具有第二芯片或/和贴片天线；

9、所述环状电路板还包括第二管脚和第二金属线路，所述第二管脚和所述第二金属线路位于所述环状介质层中，所述第二金属线路连接所述第一芯片和相应的第二管脚，所述环状介质层的另一端具有第二端面，所述第二管脚暴露于所述第二端面，所述第二转接板面向所述环状电路板的一侧表面具有和所述第二管脚相对应的第二焊盘，所述第二焊盘和对应的第二管脚相连接，实现所述第二芯片或/和所述贴片天线电连接于所述环状电路板。

10、作为一种可实施方式，所述环状电路板内部的第一转接板和第二转接板之间填充有介质材料。

11、作为一种可实施方式，所述第二转接板具有至少一层第二重布线层，所述第二转接板表面为所述第二转接板远离所述环状电路板的一侧表面和/或所述第二转接板面向所述环状电路板的一侧表面。

12、作为一种可实施方式，所述第一转接板面向所述环状电路板的一侧表面还具有第三芯片，且所述第三芯片位于所述环状电路板的内部。

13、作为一种可实施方式，所述电路板还包括第四金属线路，所述第四金属线路连接部分所述第一管脚和部分所述第二管脚。

14、作为一种可实施方式，还包括：

15、金属屏蔽罩，所述金属屏蔽罩位于所述第一转接板表面，所述金属屏蔽罩用于罩设所述环状电路板的外侧以实现电磁屏蔽。

16、作为一种可实施方式，所述第一转接板具有至少一层第一重布线层，所述第一转接板远离所述环状电路板的一侧表面用于设置焊球。

17、作为一种可实施方式，所述第二转接板远离所述环状电路板的一侧表面设置有焊球，所述焊球通过第二重布线层与所述第二转接板面向所述环状电路板的一侧表面电连接。

18、作为一种可实施方式，所述第一芯片为至少一个，所述环状介质层表面包括所述环状介质层的内侧面和所述环状介质层的外侧面，至少一个第一芯片位于所述环状介质层的内侧面或/和所述环状介质层的外侧面。

19、作为一种可实施方式，所述环状介质层通过金属层连接形成环状电路板。

20、作为一种可实施方式，所述环状电路板为方形环状电路板，且所述方形环状电路板的侧面棱边为圆弧状。

21、相应的，本发明还提供一种封装结构的制备方法，包括：

22、提供电路板，所述电路板包括介质层、位于所述介质层表面的第一芯片和位于所述介质层中的第一管脚、第一金属线路，所述第一金属线路连接所述第一芯片和相应的第一管脚，所述介质层的一端具有第一端面，所述第一管脚暴露于所述第一端面；

23、将所述介质层弯折形成环状介质层，得到环状电路板；

24、提供第一转接板，将所述第一转接板设于所述环状电路板的一端，用于将所述环状电路板和外部结构电连接；其中，所述第一转接板面向所述环状电路板的一侧表面具有和所述第一管脚相对应的第一焊盘，所述第一焊盘和对应的第一管脚相连接，实现所述第一转接板和所述环状电路板电连接。

25、作为一种可实施方式， 在形成环状电路板的过程中，包括形成至少一个环状电路板，其中，当所述环状电路板为至少两个时，在得到至少两个环状电路板的步骤之后，还包括：

26、将至少两个环状电路板呈套娃式排列设于所述第一转接板表面，且至少两个环状电路板之间具有间隔。

27、作为一种可实施方式， 所述电路板还包括第二管脚和第二金属线路，所述第二管脚和所述第二金属线路位于所述介质层中，所述第二金属线路连接所述第一芯片和相应的第二管脚，所述介质层的另一端具有第二端面，所述第二管脚暴露于所述第二端面；

28、将所述第一转接板设于所述环状电路板的一端的步骤之后还包括：

29、提供第二转接板，所述第二转接板表面具有第二芯片或/和贴片天线，将所述第二转接板设于所述环状电路板另一端，使得所述第二芯片或/和贴片天线电连接于所述环状电路板；其中，所述第二转接板面向所述环状电路板的一侧表面具有和所述第二管脚相对应的第二焊盘，所述第二焊盘和对应的第二管脚相连接，实现所述第二转接板和所述环状电路板电连接。

30、作为一种可实施方式，在将第二转接板设于所述环状电路板另一端的步骤之后还包括：

31、在所述第一转接板表面形成金属屏蔽罩，所述金属屏蔽罩用于罩设所述环状电路板的外侧以实现电磁屏蔽。

32、作为一种可实施方式，所述第二转接板具有至少一层第二重布线层，所述第二转接板表面为所述第二转接板远离所述环状电路板的一侧表面和/或所述第二转接板面向所述环状电路板的一侧表面。

33、作为一种可实施方式，在将所述第一转接板设于所述环状电路板的一端的步骤之后，还包括：

34、将介质材料填充于所述环状电路板内部的第一转接板表面。

35、作为一种可实施方式， 在将第二转接板设于所述环状电路板另一端的步骤之后还包括：

36、在所述第一转接板远离所述环状电路板的一侧表面形成焊球。

37、作为一种可实施方式，所述第一转接板面向所述环状电路板的一侧表面还具有第三芯片，且所述第三芯片位于所述环状电路板的内部。

38、作为一种可实施方式，将所述介质层环绕形成环状介质层，得到环状电路板的步骤包括：

39、在所述介质层两侧边形成金属层；

40、将所述介质层弯折得到环状介质层，将环状介质层通过金属层连接形成环状电路板。

41、作为一种可实施方式，所述第一转接板具有至少一层第一重布线层。

42、作为一种可实施方式，所述第一芯片为至少一个，所述环状介质层表面包括所述环状介质层的内侧面和所述环状介质层的外侧面，至少一个第一芯片位于所述环状介质层的内侧面或/和所述环状介质层的外侧面。

43、作为一种可实施方式，所述环状电路板为方形环状电路板，且所述方形环状电路板的侧面棱边为圆弧状。

44、本发明的有益效果：

45、本发明提供了一种封装结构和相应的制备方法，通过提供环状电路板；将第一转接板设于所述环状电路板一端，通过所述第一转接板将所述环状电路板和外部结构电连接；所述环状电路板包括环状介质层、位于所述环状介质层表面的第一芯片和位于所述环状介质层中的第一管脚、第一金属线路，所述第一金属线路连接所述第一芯片和相应的第一管脚，所述环状介质层的一端具有第一端面，所述第一管脚暴露于所述第一端面，所述第一转接板面向所述环状电路板的一侧具有和所述第一管脚相对应的第一焊盘，所述第一焊盘和对应的第一管脚相连接，实现所述第一转接板和所述环状电路板电连接。本发明充分利用布线空间，使得走线不仅可以在xy平面上进行，还可以利用z方向的空间形成环状电路板，这样大大增加了走线密度，使得单个封装体能集成更多的芯片。

46、本发明通过环状电路板可以实现第一芯片在环状电路板的双面贴装，使得可以提高表面积和空间的利用率，实现更多的芯片集成。

47、本发明通过将至少两个环状电路板呈套娃式排列，使得进一步提高表面积和空间的利用率，实现更多的芯片集成。

48、本发明通过将第二转接板设于环状电路板的另一端，使得进一步提高表面积和空间的利用率，实现更多的芯片集成。

49、本发明提供的第一转接板和第二转接板不仅仅充当中介层的作用，还可灵活改造成有源电路板，并根据外部接口设计不同的引脚方式。