具有损耗型波导的光信号转接组件和光信号转接系统的制作方法

本技术涉及通信领域，特别涉及一种具有损耗型波导的光信号转接组件、连接芯、连接结构、转接结构、光信号转接系统和电子设备。

背景技术：

1、随着大数据时代的到来，光信号转接系统作为大数据传输的重要手段得到广泛应用。其中，光信号转接系统通过光信号转接组件实现两个光纤之间的信号传输。除此之外，光信号转接系统中的电子产品会产生电磁噪声(electromagnetic noise，emn)，电磁噪声是指由电路元件的热激振动或其他因素引起的电信号上的随机变化，是一种能够干扰或者中断电子设备正常运行的电磁波。电磁噪声会对周围其他电子产品产生干扰。为了保证电子系统中各电子产品的性能，电子产品需要通过电磁兼容性(electromagneticcompatibility，emc)认证等相关测试的电子产品才能上市。电磁兼容性是指在电子设备在不同工作条件下的无干扰和相互兼容的能力。

2、随着通信技术的发展，电子产品中芯片的工作速率不断增加，使得电子产品emc认证的电磁辐射测试频段从30mhz～1ghz扩大到30mhz～6ghz，其中，美国fcc标准(federalcommunications commission)更是要求电子产品认证的电磁辐射测试频段扩大到30mhz～40ghz。电子产品中电磁辐射源产生的电磁波通过空间传播，直接从光信号转接组件泄露，致使产品不满足市场准入认证要求。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术实施例提供一种具有损耗型波导的光信号转接组件、连接芯、连接结构、转接结构和光信号转接系统。其中，光信号转接组件包括连接芯、转接器、第一导电层和第二导电层。其中，连接芯为塑料材质，转接器的塑料基料中掺杂导电填料和/或导磁填料。转接器上开设有插槽，连接芯插接于插槽内，第一导电层位于连接芯和转接器之间，并环设于连接芯四周，第二导电层环设于转接器四周。第二导电层、转接器、第一导电层和连接器形成“回”字形波导结构，并且“回”字形波导结构中的介质为填充有导电填料和/或导磁填料的塑料材质。上述光信号转接组件中的波导结构，能够改变电磁波的传输路径，让电磁波的传输路径尽可能多的落入转接器所在的区域，提高转接器对电磁波的损耗。基于此，能够提高对电磁波的损耗，提升屏蔽效果。

2、本技术的第一方面提供一种光信号转接组件，该光信号转接组件用于将第一光学模块对接至第二光学模块，以实现光信号从第一光学模块向第二光学模块的传输。其中，该光信号转接组件包括连接芯、第一导电层、转接器和第二导电层。连接芯用于与光学模块相接。第一导电层绕着传输轴线围设于连接芯四周，其中，传输轴线与光信号的传输方向平行。转接器的材质包括导电填料和/或导磁填料，并且转接器绕着传输轴线围设于第一导电层四周。第二导电层绕着传输轴线围设于转接器四周。

3、其中，光学模块包括但不限于光纤和光模块。连接芯可以是连接器中的插芯，还可以是与光模块适配的光器件，本技术对此不作具体限定。传输轴线可以沿着连接芯插入转接器的插接方向延伸。

4、即在本技术的实现方式中，沿着传输轴线，连接芯的外周向面上具有第一导电层，第一导体层的外周向面上具有转接器，转接器的外周向面上具有第二导电层。基于此，第一导电层和第二导电层形成沿着传输轴线延伸的“回”字型波导结构。也即，“回”字形波导结构包括沿径向由内至外依次包括连接芯、第一导电层、转接器以及第二导电层。其中，径向垂直于传输轴线。上述光信号转接组件，能够有效限制电磁波在光信号转接组件的传输路径。同时，由于转接器的材质包括导电材料和/或导磁填料，因此“回”字型波导结构中的两层金属壁之间为损耗型介质，提高转接器对电磁波的损耗。基于此，上述光信号转接组件中的波导结构能够提高对电磁波的损耗，提升屏蔽效果。

5、在上述第一方面一些可能的实现方式中，上述光信号转接组件中，第一导电层成型于连接芯与转接器彼此相对的两个表面中的一个上。即在本技术的实现方式中，光信号转接组件在装配状态下，第一导电层位于连接芯与转接器之间，减少了本技术中光信号转接组件中的部件的数量，降低光信号转接组件的组装或者装配难度。本技术对第一导电层成型在连接芯或者转接器上并不作具体限定。此外，本技术中的导电层成型方法下文将作详细描述，在此将不作展开。

6、在上述第一方面一些可能的实现方式中，上述光信号转接组件中，导电填料和/或导磁填料的质量掺杂比例范围为0.5％～40％。其中，导电填料和/或导磁填料的质量掺杂比例是指，导电填料和/或导磁填料的累计重量占转接器总质量的比例。其中，转接器总重量是指导电填料和/或导磁填料以及塑料基料的质量之和。上述光信号转接组件，通过合理设计导电填料和/或导磁填料的质量掺杂比例，能够有效提高对电磁波的损耗效果，进而能够有效提高光信号转接组件的屏蔽效果。

7、在上述第一方面一些可能的实现方式中，上述光信号转接组件中，第一导电层为绕着传输轴线回转的膜状结构。和/或者，第二导电层为绕着传输轴线回转的膜状结构。上述光信号转接组件，第一导电层和第二导电层为绕着传输轴线回转的薄膜状结构，对现有结构的尺寸影响较小，便于扩大本技术技术方案所适用的范围。例如，第一导电层的厚度范围为1μm～500μm。和/或者，第二导电层的厚度范围为1μm～500μm。

8、在上述第一方面一些可能的实现方式中，上述光信号转接组件中，第一导电层包括第一子导电层和第二子导电层，并且第一子导电层和第二子导电层相配合，以绕着传输轴线围设于连接芯四周。第一子导电层成型于连接芯朝向转接器的表面，第二子导电层成型于转接器朝向连接芯的表面。

9、即在本技术的实现方式中，第一导电层包括第一子导电层和第二子导电层两部分。并且，第一子导电层设于连接芯朝向转接器的表面上，第二子导电层设于转接器朝向转接器的表面上。本技术中，第一子导电层和第二子导电层综合后能够绕着传输轴线围设于连接芯四周即可，对第一子导电层和第二子导电层的形态不作具体限定。上述光信号转接组件中，第一导电层还可以是分别成型在连接芯和转接器上的分体式结构，扩展了第一导电层的实现方式，降低了第一导电层的设计难度和成型难度。

10、在上述第一方面一些可能的实现方式中，第二导电层成型于转接器背向连接芯的表面。即在本技术的实现方式中，第二导电层成型于转接器的外表面。上述光信号转接组件，一方面无需将第二导电层单独设置为一个部件，减少了光信号转接组件中的部件数量，降低了装配难度，便于提高整体精度，另一方面，第二导电层成型于转接器的外表面，成型难度降低，便于降低生成成本，提高光信号转接组件的经济效益。

11、在上述第一方面一些可能的实现方式中，光信号转接组件还包括导电壳体，连接芯、第一导电层和转接器位于导电壳体内，导电壳体作为第二导电层。例如，导电壳体的厚度大于1μm。即在本技术的实现方式中，第二导电层为单独设置的一个部件，并且光信号转接组件中的其他部件可以容置于该部件中。上述光信号转接组件中设置有导电壳体，将导电壳体作为第二导电层，便于实现光信号转接组件的密封设计，能够提高系统的稳定性。

12、在上述第一方面一些可能的实现方式中，光信号转接组件包括导电壳体，在转接位置处，连接芯、第一导电层、转接器和第二导电层位于导电壳体内。第二导电层包括第三子导电层和第四子导电层，并且第三子导电层和第四子导电层相配合，以绕着传输轴线围设于转接器四周。第三子导电层成型于转接器表面，第四子导电层成型于导电壳体表面。上述光信号转接组件进一步扩大适用范围。

13、在上述第一方面一些可能的实现方式中，导电填料包括但不限于碳纤维、镍碳纤维、金属导电粒子、金属导电纤维、碳黑、石墨、碳纳米管中的至少一种。上述光信号转接组件，通过合理设计导电填料的种类，能够有效提高对电磁波的损耗效果，进而能够有效提高光信号转接组件的屏蔽效果。

14、在上述第一方面一些可能的实现方式中，导磁填料包括但不限于铁氧体、铁粉、镍铁粉、镍锌铁氧体、羟基铁和磁性陶瓷中的至少一种。上述光信号转接组件，通过合理设计导磁填料的种类，能够有效提高对电磁波的损耗效果，进而能够有效提高光信号转接组件的屏蔽效果。

15、在上述第一方面一些可能的实现方式中，连接芯与第一导电层相对的表面相互密封贴合，连接芯为导电材质。即在本技术中，光学模块为光模块，连接芯为与光模块相连的光器件，并且光器件为导电材质。上述光信号转接组件，光器件导电材质，能够避免电磁波直接从连接芯中辐射出。基于此，上述结构能够进一步优化电磁波的传输路径，让尽可能多的电磁波尽落入转接器所在的区域，进一步提高转接器对电磁波的损耗。基于此，上述波导结构能够进一步提高对电磁波的损耗，因此能够进一步提升光信号转接组件的屏蔽效果。

16、在上述第一方面一些可能的实现方式中，光信号转接组件还包括第三导电层，第三导电层设于连接芯上，并沿着传输轴线的相交方向延伸至与第一导电层的表面密封贴合。即在本技术中，光学模块为光纤，连接芯为与光纤相连的插芯。上述光信号转接组件，在插芯上设置第三导电层，并且第三导电层用于阻断第一导电层形成的筒形通道，能够避免电磁波直接从插芯(也即连接芯)中辐射出。基于此，上述结构能够进一步优化电磁波的传输路径，让尽可能多的电磁波尽落入转接器所在的区域，进一步提高转接器对电磁波的损耗。基于此，上述波导结构能够进一步提高对电磁波的损耗，因此能够进一步提升光信号转接组件的屏蔽效果。

17、可以理解，在本技术其他一些实现方式中，第三导电层在插芯上的设置位置本技术不作具体限定，能够阻碍电磁波直接从插芯上辐射泄露的形态均在本技术的保护范围之内。

18、在上述第一方面一些可能的实现方式中，上述光信号转接组件中，第三导电层为垂直于传输轴线的膜状结构。例如，第三导电层的厚度范围为1μm～500μm。上述光信号转接组件，第三导电层为绕着传输轴线回转的薄膜状结构，对现有结构的尺寸影响较小，便于扩大本技术技术方案所适用的范围。

19、本技术的第二方面提供一种连接结构，该连接结构包括连接芯和第四导电层。其中，连接芯用于与光学模块相接。第四导电层绕着传输轴线至少部分地围设于连接芯四周，其中，传输轴线与传输方向平行。可以理解，第四导电层即为成型在连接芯上的第一导电层，连接结构即为其上设有导电层的连接器，在此将不作展开描述。上述连接结构，第四导电层成型于连接芯上，对应于前述第一导电层成型于连接芯上的技术方案，便于减少光信号转接组件中的部件数量，降低光信号转接组件的组装和装配难度。

20、在上述第二方面一些可能的实现方式中，连接结构包括但不限于多用途推拉式连接器、方口连接器、标准连接器、有源光电缆连接器中的至少一种。

21、本技术的第三方面提供一种转接结构，该连接结构包括第五导电层和转接器。其中，第五导电层绕着传输轴线围设成环形。转接器的材质包括导电填料和/或导磁填料，并且转接器绕着传输轴线围设于第五导电层四周。可以理解，第五导电层即为成型在转接器上的第一导电层，转接结构即为其上设有导电层的转接器，在此将不作展开描述。上述转接结构，对应于前述第一导电层成型于转接器上的技术方案，便于减少光信号转接组件中的部件数量，降低光信号转接组件的组装和装配难度。

22、在上述第三方面一些可能的实现方式中，导电填料包括但不限于碳纤维、镍碳纤维、金属导电粒子、金属导电纤维、碳黑、石墨、碳纳米管中的至少一种。上述光信号转接组件，通过合理设计导电填料的种类，能够有效提高对电磁波的损耗效果，进而能够有效提高光信号转接组件的屏蔽效果。

23、在上述第三方面一些可能的实现方式中，导磁填料包括但不限于铁氧体、铁粉、镍铁粉、镍锌铁氧体、羟基铁和磁性陶瓷中的至少一种。上述光信号转接组件，通过合理设计导磁填料的种类，能够有效提高对电磁波的损耗效果，进而能够有效提高光信号转接组件的屏蔽效果。

24、本技术的第四方面提供一种转接结构，该转接结构包括转接器和第六导电层。其中，转接器包括导电填料和/或导磁填料，转接器上开设有用于插接连接芯的插槽，并且插槽沿着传输方向延伸。第六导电层绕着传输轴线至少部分地围设于转接器四周，其中，传输轴线与传输方向平行。可以理解，第六导电层即为成型在转接器上的第二导电层，转接结构即为其上设有导电层的转接器，在此将不作展开描述。上述转接结构，对应于前述第二导电层成型于转接器上的技术方案，便于减少光信号转接组件中的部件数量，降低光信号转接组件的组装和装配难度。

25、在上述第四方面一些可能的实现方式中，导电填料包括但不限于碳纤维、镍碳纤维、金属导电粒子、金属导电纤维、碳黑、石墨、碳纳米管中的至少一种。上述光信号转接组件，通过合理设计导电填料的种类，能够有效提高对电磁波的损耗效果，进而能够有效提高光信号转接组件的屏蔽效果。

26、在上述第四方面一些可能的实现方式中，导磁填料包括但不限于铁氧体、铁粉、镍铁粉、镍锌铁氧体、羟基铁和磁性陶瓷中的至少一种。上述光信号转接组件，通过合理设计导磁填料的种类，能够有效提高对电磁波的损耗效果，进而能够有效提高光信号转接组件的屏蔽效果。

27、本技术的第五方面提供一种转接结构，该转接结构包括第五导电层、转接器和第六导电层。上述转接结构，对应于前述第一导电层和第二导电层均成型于转接器上的技术方案，便于减少光信号转接组件中的部件数量，降低光信号转接组件的组装和装配难度。

28、本技术的第六方面提供一种光信号转接系统，该光信号转接系统包括上述的第一方面及第一方面可能的实现方式中的任意一种光信号转接组件和两个光学模块，其中，两个光学模块通过光学转接组件实现光信号转接。

29、本技术的第七方面提供一种电子设备，该电子设备包括上述第六方面中的任意一种光信号转接系统。