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一种硅片抛光牺牲剂的制作方法
本发明涉及硅片加工领域，尤其涉及一种硅片抛光牺牲剂。背景技术：1、目前在半导体和光伏两大领域中所使用的硅片在生产过程中都会经过抛光步骤，现有的硅片抛光步骤通常分为三种：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光......
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牺牲胶组合物的制作方法
本发明涉及一种牺牲胶组合物，特别是应用于电子零件的制造领域的牺牲胶组合物。背景技术：1、在电子零件制造领域中，通常广泛地利用黏着片(黏着胶带)来进行基板等层状物的多层重叠的层压步骤。所述黏着片被要求在......
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在MEMS结构中起到支撑作用的牺牲层材料的刻蚀工艺的制作方法
本公开涉及半导体领域，更具体地涉及一种在mems结构中起到支撑作用的牺牲层材料的刻蚀工艺。背景技术：1、聚酰亚胺(polymide/pi)在半导体领域广泛应用。在mems工艺中的pi工艺是为了隔离和支......
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采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法
本发明涉及mems微镜制备，特别涉及一种采用金属牺牲层的mems微镜制备方法。背景技术：1、mems(micro-electro-mechanical systems)微镜是指采用mems技术制备的，......
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一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法与流程
1.本发明属于聚酰亚胺的刻蚀技术领域，具体涉及一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法。背景技术：2.聚酰亚胺(polyimide,pi)是一类含有酰亚胺环和苯环构成的稳定共轭结构的高分子化学物质，其具有目前......
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一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法
一种基于大马士革工艺的mems开关牺牲层的制备方法技术领域1.本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种基于大马士革工艺的mems开关牺牲层的制备方法。背景技术：2.mems开关具有体积小、集成度......
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一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法与流程
本发明涉及mems器件制造领域，特别涉及一种低间距高平整度mems器件复合金属牺牲层制备方法。背景技术：随着通信技术的发展，电子产品逐渐向小型化和多功能方向发展，mems(微电子机械系统)由于具有微型......
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一种实用化射频MEMS开关双层牺牲层的制备方法与流程
本发明属于牺牲层的制备方法技术领域，具体涉及一种实用化射频mems开关双层牺牲层的制备方法。背景技术：牺牲层工艺是制作mems开关的重要工艺，牺牲层平整度差会导致开关上电极变形，进而影响mems开关的......
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一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法与流程
本发明属于聚酰亚胺牺牲层制备方法技术领域，具体涉及一种提高射频mems开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法。背景技术：射频mems开关较传统的机械式和电子式开关而言，具有体积小、质量轻、功耗低、插损小、隔......
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一种RF-MEMS开关复合牺牲层制备方法与流程
本发明涉及rf-mems器件制造技术领域，特别是指一种rf-mems开关复合牺牲层制备方法。背景技术：rf-mems（rf即radiofrequency，射频；mems即micro-electro-m......
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一种船体上层建筑分段建造工艺的制作方法
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