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基于六列输入分离反相器的抗单粒子双翻转的SRAM单元

本发明涉及纳米集成电路抗软错误恢复锁存，尤其涉及一种基于六列输入分离反相器的抗单粒子双翻转的sram单元。背景技术：1、纳米集成电路抗软错误恢复锁存是针对集成电路（ic）在纳米尺度下的制造过程中可能面......

2024-07-31 97

#粒子#单元#反相器
基于反相器的双节点翻转加固的SRAM单元

本发明涉及纳米集成电路抗软错误加固锁存，尤其涉及一种基于反相器的双节点翻转加固的sram单元。背景技术：1、近年微电子制造工艺的发展，使得集成电路进入纳米时代。在纳米工艺下，晶体管的特征尺寸不断缩小，......

2024-07-31 8

#单元#双节#反相器